"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поведение примеси железа в кристаллах Hg3In2Te6
Грушка О.Г.1, Савчук А.И.1, Чупыра С.Н.1, Биличук С.В.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 2 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

На основе результатов оптических и фотоэлектрических измерений установлено, что легирование железом приводит к образованию в кристаллах Hg3In2Te6 глубокого уровня Ec-0.69 эВ. При поглощении света примесными центрами Fe2+ наблюдаются как электронные переходы примесной уровень--зона проводимости, так и оптические переходы между основным и возбужденным состояниями названного центра (внутрицентровые переходы). Исследования явлений переноса показали, что примесные центры Fe2+ проявляют акцепторные свойства.
  • О.Г. Грушка, В.Т. Маслюк, С.М. Чупыра, О.М. Мыслюк, С.В. Биличук, И.И. Заболоцкий. ФТП, 46 (3), 327 (2012)
  • А.И. Малик, Г.Г. Грушка, Н.Р. Тевс. ЖТФ, 60 (6), 146 (1990)
  • А.И. Малик, Г.Г. Грушка. ЖТФ, 60 (10), 188 (1990)
  • Л.Н. Курбатов. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра (М., МФТИ, 1999)
  • Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (М., Высш. шк., 1973)
  • В.И. Фистуль. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями (М., Металлургия, 1987)
  • Ю.Ф. Ваксман, Ю.А. Ницук, В.В. Яцун, А.С. Насибов, П.В. Шапкин. ФТП, 45 (9), 1171 (2011)
  • В.Ф. Агекян. ФТТ, 44 (11), 1921 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.