"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптимизация асимметричных барьерных слоев в лазерных гетероструктурах InAlGaAs/AlGaAs на подложках GaAs
Жуков А.Е.1,2, Асрян Л.В.3, Семенова Е.С.4, Зубов Ф.И.1,2, Крыжановская Н.В.1, Максимов М.В.5,1,2
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
4DTU Fotonik, Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, D, Denmark
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

Выполнены расчеты разрывов зон на гетерогранице для различных комбинаций гетеропар InAlGaAs/AlGaAs, которые могут быть синтезированы на подложках GaAs в режиме послойного псевдоморфного роста. Найдены закономерности, позволяющие реализовать асимметричный барьерный слой, обеспечивающий почти свободное прохождение дырок и наибольшую возможную высоту барьера для электронов. С учетом критической толщины индийсодержащего четверного твердого раствора определены оптимальные составы обоих соединений (In0.232Al0.594Ga0.174As/Al0.355Ga0.645As), при которых поток электронов через барьер минимален.
  • L.V. Asryan, S. Luryi. Sol. St. Electron., 47 (2), 205 (2003)
  • A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100 (2), 021 107 (2012)
  • Ф.И. Зубов, А.Е. Жуков, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, Н.В. Крыжановская, K. Yvind, Е.С. Семенова, Л.В. Асрян. Направлено в ПЖТФ
  • A.N. Ambrajei, J.E. Clendenin, A.Y. Egorov, Y.A. Mamaev, T. Maruyama, G.A. Mulhollan, A.V. Subashiev, Y.P. Yashin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Appl. Surf. Sci., 166 (1--4), 40 (2000)
  • Yu.A. Mamaev, L.G. Gerchikov, Yu.P. Yashin, D.A. Vasiliev, V.V. Kuzmichev, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, V.S. Mikhrin, A.P. Vasiliev. Appl. Phys. Lett., 93 (8), 081 114 (2008)
  • L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 26 (5), 055 025 (2011)
  • А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, М.М. Павлов, Ф.И. Зубов, Л.В. Асрян. ФТП, 45 (4), 540 (2011)
  • M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  • V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, N.A. Maleev. Quantum dot lasers (N.Y., Oxford University Press, 2003) p. 64
  • R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22 (11), 562 (1973)
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лившиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Физматлит, 2008) с. 108
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.