Выполнены расчеты разрывов зон на гетерогранице для различных комбинаций гетеропар InAlGaAs/AlGaAs, которые могут быть синтезированы на подложках GaAs в режиме послойного псевдоморфного роста. Найдены закономерности, позволяющие реализовать асимметричный барьерный слой, обеспечивающий почти свободное прохождение дырок и наибольшую возможную высоту барьера для электронов. С учетом критической толщины индийсодержащего четверного твердого раствора определены оптимальные составы обоих соединений (In0.232Al0.594Ga0.174As/Al0.355Ga0.645As), при которых поток электронов через барьер минимален.
L.V. Asryan, S. Luryi. Sol. St. Electron., 47 (2), 205 (2003)
A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100 (2), 021 107 (2012)
Ф.И. Зубов, А.Е. Жуков, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, Н.В. Крыжановская, K. Yvind, Е.С. Семенова, Л.В. Асрян. Направлено в ПЖТФ
A.N. Ambrajei, J.E. Clendenin, A.Y. Egorov, Y.A. Mamaev, T. Maruyama, G.A. Mulhollan, A.V. Subashiev, Y.P. Yashin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Appl. Surf. Sci., 166 (1--4), 40 (2000)
Yu.A. Mamaev, L.G. Gerchikov, Yu.P. Yashin, D.A. Vasiliev, V.V. Kuzmichev, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, V.S. Mikhrin, A.P. Vasiliev. Appl. Phys. Lett., 93 (8), 081 114 (2008)
L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 26 (5), 055 025 (2011)
А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, М.М. Павлов, Ф.И. Зубов, Л.В. Асрян. ФТП, 45 (4), 540 (2011)
M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, N.A. Maleev. Quantum dot lasers (N.Y., Oxford University Press, 2003) p. 64
R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22 (11), 562 (1973)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лившиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Физматлит, 2008) с. 108