"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия короткопериодных сверхрешеток ZnSSe/CdSe для применения в многопереходных солнечных элементах AIIIBV/AIIBVI
Сорокин С.В.1, Гронин С.В.1, Седова И.В.1, Климко Г.В.1, Европейцев Е.А.1, Байдакова М.В.1, Ситникова А.А.1, Торопов А.А.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Представлены результаты по выращиванию методом молекулярно-пучковой эпитаксии короткопериодных переменно-напряженных сверхрешеток (СР) ZnSxSe1-x/CdSe с эффективным значением ширины запрещенной зоны в диапазоне Eg~ 2.5-2.7 эВ, псевдоморфных подложкам GaAs (001). Регистрация осцилляций интенсивности отраженного пучка в дифракции быстрых отраженных электронов использовалась для in situ контроля параметров сверхрешеток. Разработан метод определения параметров сверхрешеток (составы и толщины отдельных слоев сверхрешеток) на основе совместного анализа выращенных структур методами низкотемпературной фотолюминесценции и рентгеновской дифрактометрии. Сверхрешетки ZnSxSe1-x/CdSe продемонстрировали параметры, близкие к расчетным значениям, и низкую плотность структурных дефектов при толщине ~ 300 нм, существенно превышающей критическую для объемных слоев AIIBVI, обладающих таким же рассогласованием постоянной решетки.
  • S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Gronin, G.V. Klimko, K.G. Belyaev, S.V. Ivanov, A. Alyamani, E.V. Lutsenko, A.G. Vainilovich, G.P. Yablonskii. Electron. Lett., 48 (2), 118 (2012)
  • С.В. Иванов. Тр. XVII Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника", 11--15 марта, Нижний Новгород, Россия, 2013. С. 452
  • M.A. Haase, J. Xie, T.A. Ballen, J. Zhang, B. Hao, Z.H. Yang, T.J. Miller, X. Sun, T.L. Smith, C.A. Leatherdale. Appl. Phys. Lett., 96, 231 116 (2010)
  • M.M. Zverev, N.A. Gamov, E.V. Zdanova, V.N. Studionov, D.V. Peregoudov, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Gronin, P.S. Kop'ev, I.M. Olikhov, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi B, 247 (6), 1561 (2010)
  • М.М. Зверев, Н.А. Гамов, Е.В. Жданова, Д.В. Перегудов, В.Б. Студенов, С.В. Иванов, И.В. Седова, С.В. Сорокин, С.В. Гронин, П.С. Копьев. Письма ЖТФ, 33 (24), 1 (2007)
  • Е.В. Луценко, А.Г. Войнилович, Н.В. Ржеуцкий, В.Н. Павловский, Г.П. Яблонский, С.В. Сорокин, С.В. Гронин, И.В. Седова, П.С. Копьев, С.В. Иванов, М. Аланзи, А. Хамидалддин, А. Альямани. Квант. электрон., 43 (5), 418 (2013)
  • S. Fujisaki, J.-I. Kasai, R. Akimoto, Sh. Tanaka, Sh. Tsuji, T. Hasama, H. Ishikawa. Appl. Phys. Express, 5, 062 101 (2012)
  • S. Takagi, Y. Enya, T. Kyono, M. Adachi, Y. Yoshizumi, T. Sumitomo, Y. Yamanaka, T. Kumano, S. Tokuyama, K. Sumiyoshi, N. Saga, M. Ueno, K. Katayama, T. Ikegami, T. Nakamura, K. Yanashima, H. Nakajima, K. Tasai, K. Naganuma, N. Fuutagawa, Y. Takiguchi, T. Hamaguchi, M. Ikeda. Appl. Phys. Express, 5 (8), 082 102 (2012)
  • M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 21, 1 (2013)
  • S.-N. Wu, D. Ding, S.R. Johnson, S.-Q. Yu, Y.-H. Zhang. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 18, 328 (2010)
  • S.V. Gronin, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, G.V. Klimko, K.G. Belyaev, A.V. Lebedev, A.A. Sitnikova, A.A. Toropov, S.V. Ivanov. Phys. Status. Solidi. C, 9, 1833 (2012)
  • S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, P.S. Kop'ev, J.R. Kim, H.D. Jung, H.S. Park. J. Cryst. Growth, 159, 16 (1996)
  • S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, I.L. Krestnikov, N.N. Faleev, B.Ya. Ber, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 184/185, 70 (1998)
  • S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, I.V. Sedova. Molecular beam epitaxy of wide-gap II-VI laser heterostructures. In: M. Henini (ed.) Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production (Elsevier Inc., 2013) p. 611
  • S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, I.V. Sedova, A.A. Sitnikova, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, A. Waag, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 74, 498 (1999)
  • N. Peranio, A. Rosenauer, D. Gerthsen, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Ivanov. Phys. Rev. B, bf 61 (23), 16 015 (2000)
  • R.N. Kyutt, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander. Appl. Phys. Lett., 75, 373 (1999)
  • S. Fujita, Y. Wu, Y. Kawakami, S. Fujita. J. Appl. Phys., 72 (11), 5233 (1992)
  • S.J. Hwang, W. Shan, J.J. Song, Z.Q. Zhu, T. Yao. Appl. Phys. Lett., 64 (17), 2267 (1994)
  • Z. Zhu, H. Yoshihara, K. Takebayashi, T. Yao. Appl. Phys. Lett., 63, 1678 (1993)
  • F. Flack, N. Samarth, V. Nikitin, P.A. Crowell, J. Shi, J. Levy, D.D. Awschalom. Phys. Rev. B, 54 (24), R17312 (1996)
  • M. Rabe, M. Lowisch, F. Henneberger. J. Cryst. Growth, 184/185, 248(1998)
  • Chris G. Van de Walle. Phys. Rew. B, 39 (3), 1871 (1989)
  • S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys --- Group-IV, III--V and II--VI Semiconductors (John Wiley \& Sons Ltd., United Kingdom, 2009)
  • Jan H. van der Merwe, W.A. Jesser. J. Appl. Phys., 63 (5), 1509 (1988)
  • A. Lebedev, S. Sorokin, A. Toropov, T. Shubina, N. Il'inskaya, O. Nekrutkina, S. Ivanov, G. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. Acta Phys. Polon. A, 94, 421 (1998)
  • J. Petruzzello, B.L. Greenberg, D.A. Cammack, R. Dalby. J. Appl. Phys., 63, 2299 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.