"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Тензосопротивление кристаллов n-Ge и n-Si при наличии радиационных дефектов
Гайдар Г.П.1
1Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 20 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Исследованы изменения тензосопротивления в gamma-облученных (60Со) кристаллах n-Ge<Sb> и n-Si<As> при фиксированных температурах в условиях наложения одноосной упругой деформации (0 ≤ X ≤ 1.2 ГПа) вдоль главных кристаллографических направлений. Обнаружено при несимметричном расположении оси деформации относительно изоэнергетических эллипсоидов наличие максимума на зависимостях тензосопротивления rhoX/rho0 = f (X) и предложено объяснение природы полученного эффекта. Выявлено тензосопротивление в необлученных кристаллах n-Si<As> при симметричном размещении оси деформации относительно всех изоэнергетических эллипсоидов, величина которого уменьшается при gamma-облучении. Показано, что этот эффект можно объяснить изменением подвижности электронов в зоне проводимости вследствие роста поперечной эффективной массы и возникновением новых глубоких центров под действием облучения соответственно.
  • П.И. Баранский, А.Е. Беляев, Г.П. Гайдар, В.П. Кладько, А.В. Кучук. Проблемы диагностики реальных полупроводниковых кристаллов (Киев, Наук. думка, 2014)
  • М. Лано, Ж. Бургуен. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. (М., Мир, 1984) [Пер с англ.: J. Bourgoin, M. Lannoo. Point defects in semiconductors. I. Theoretical aspects, ed. by M. Cardona (Berlin-Helderberg-N Y., Springer Verlag, 1981)]
  • Ж. Бургуен, М. Лано. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985). [Пер с англ.: J. Bourgoin, M. Lannoo. Point defects in semiconductors. II. Experimental aspects, ed. by M. Cardona (Berlin-Helderberg-N. Y., Springer Verlag, 1983)]
  • А.В. Федосов, С.В. Лунев, Д.А. Захарчук, Л.И. Панасюк, Ю.В. Коваль. Науч. вестн. Волын. нац. ун-та им. Леси Украинки. Физ. науки, N 16, 39 (2011)
  • А.К. Семенюк, П.Ф. Назарчук. ФТП, 24 (11), 2056 (1990)
  • А.В. Федосов, Д.А. Захарчук, Р.М. Семенченко, С.А. Федосов, С.В. Лунев. Науч. вестн. Волын. нац. ун-та им. Леси Украинки. Физ. науки, N 16, 43 (2007)
  • С.И. Будзуляк. Физика и химия твердого тела, 13 (1), 34 (2012)
  • А.В. Федосов, Д.А. Захарчук, С.А. Федосов, Ю.В. Коваль, С.В. Лунев, Л.И. Панасюк. Науч. вестн. Волын. нац. ун-та им. Леси Украинки. Физ. науки, N 9, 54 (2008)
  • А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977). [Пер. с англ.: A.G. Milnes. Deep Impurities in Semiconductors (N. Y.-London-Sidney- Toronto, Willey Interscience Publication, 1977)]
  • А.В. Федосов, С.В. Лунев, А.М. Коровицкий, С.А. Федосов, С.Я. Мисюк. Науч. вестн. Волын. нац. ун-та им. Леси Украинки. Физ. науки, N 18, 8 (2009)
  • S. Thompson, N. Anand, M. Armstrong et al. Intern. Electron Devices Meeting (2002) [ IEDM'02 Technical Digest, 2002] p. 61
  • T. Ghani, M. Armstrong, C. Auth et al. IEEE Intern. Electron Devices Meeting (2003) [ IEDM'03 Technical Digest, 2003] p. 11.6.1
  • K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, Y. Hirayama. Phys. Rev. Lett., 96 (23), 236 801 (2006)
  • C.E. Nebel. Nature Materials, 12 (8), 690 (2013)
  • D. Culcer, A.L. Saraiva, B. Koiller, X. Hu, S.D. Sarma. Phys. Rev. Lett., 108 (12), 126 804 (2012)
  • G.D. Watkins. In: Radiation Damage in Semiconductors, ed. by P. Baruch (Paris, Dunod Cie, 1965) v. 3, p. 97
  • D.L. Trueblod. Phys. Rev., 161 (3), 828 (1967)
  • Радиационные дефекты в полупроводниках, под ред. В.Д. Ткачева (Минск, БГУ им. В.И. Ленина, 1972)
  • П.И. Баранский, А.В. Федосов, Г.П. Гайдар. Физические свойства кристаллов кремния и германия в полях эффективного внешнего воздействия (Луцк, Надстырье, 2000)
  • П.И. Баранский, В.В. Коломоец, А.В. Федосов. ФТП, 10 (11), 2179 (1976)
  • G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 121 (4), 1001 (1961)
  • П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
  • И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные эффекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974)
  • С.С. Королюк. ФТП, 15 (4), 784 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.