Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия

Форш Е.А.^1,2, Форш П.А.^1,3, Кашкаров П.К.

¹Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow, Russia

²Факультет нано-, био-, информационных и когнитивных технологий Московского физико-технического института, Долгопрудный, Московская обл., Россия
³Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 17 февраля 2015 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения и стационарной фотопроводимости, а также изучена релаксация фотопроводимости после отключения освещения пленок нанокристаллического оксида индия (In₂O₃), синтезированных золь-гель методом. В зависимости от условий получения образцов варьировался средний размер нанокристаллов в них: наименьший средний размер нанокристаллов составлял 7-8 нм, наибольший - 39-41 нм. Из анализов оптических спектров поглощения и спектральной зависимости фотопроводимости определена оптическая ширина запрещенной зоны исследованных образцов In₂O₃. Обнаружено, что в нанокристаллическом In₂O₃ оптическая ширина запрещенной зоны заметно меньше оптической ширины запрещенной зоны в монокристаллическом In₂O₃. Изучены кинетики спада фотопроводимости в нанокристаллическом In₂O₃ в воздухе, вакууме и аргоне при комнатной температуре. Предложена модель, объясняющая наблюдаемый спад фотопроводимости.

C. Liang, G. Meng, Y. Lei. Adv. Mater., 13, 1330 (2001)
S. Mailis, L. Boutsikaris, N.A. Vainos, C. Xirouhaki, G. Vasiliou, N. Garawal, G. Kiriakidis, H. Fritzsche. Appl. Phys. Lett., 69, 2459 (1996)
G. Lavareda, C. Nunes de Carvalho, E. Fortunato, A.R. Ramos, E. Alves, O. Conde, A. Amaral. J. Non-Cryst. Sol., 352, 2311 (2006)
D. Zhang, C. Li, S. Han, X. Liu, T. Tang, W. Jin, C. Zhou. Appl. Phys. A, 77, 163 (2003)
G. Korotcenkov, V. Brinzari, A. Cerneavschi, M. Ivanov, V. Golovanov, A. Cornet, J. Morante, A. Cabot, J. Arbiol. Thin Sol. Films, 460, 315 (2004)
M.N. Martyshov, E.A. Forsh, A.V. Marikutsa, P.A. Forsh, M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov, P.K. Kashkarov. J. Nanoelectron. Optoelectron., 6, 452 (2011)
Е.А. Форш, А.В. Марикуца, М.Н. Мартышов, П.А. Форш, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов, П.К. Кашкаров. Росс. нанотехнологии, 7, 87 (2012)
Aron Walsh, Juarez L. F. Da Silva, Su-Huai Wei et al. Phys. Rev. Lett., 100, 167 402 (2008)
P.D.C. King, T.D. Veal, F. Fuchs, C. Korber, A. Klein, L.F.J. Piper, Alex DeMasi, Kevin E. Smith, G. Panaccione, P. Torelli, D.J. Payne, A. Bourlange, R.G. Egdell. Phys. Rev. B, 79, 205 211 (2009)
B. Pashmakov, B. Claflin, H. Fritzsche. Sol. St. Commun., 86, 619 (1993)
Thorsten Wagner, Claus-Dieter Kohl, Sara Morandi, Cesare Malagu, Nicola Donato, Mariangela Latino, Giovanni Neri, Michael Tiemann. Chem. Eur. J., 18, 8216 (2012)
A. Dixit, Raghava P. Panguluri, C. Sudakar, P. Kharel, P. Thapa, I. Avrutsky, R. Naik, G. Lawes, B. Nadgorny. Appl. Phys. Lett., 94, 252 105 (2009)
E.A. Forsh, M.N. Martyshov, P.A. Forsh, P.A. Forsh, M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov, P.K. Kashkarov. Thin Sol. Films, 558, 320 (2014)
S. Brunauer. The adsorption of gases and vapors (Princeton, University Press Princeton, 1943)
Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
J. Kakalios, R.A. Street, W.B. Jackson. Phys. Rev. Lett., 59, 1037 (1987)
H. Scher, E.W. Montroll. Phys. Rev. B, 12, 2455 (1975)
N. Barsan, U. Weimar. J. Electroceram., 7, 143 (2001)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель