Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Температурное переключение резонаторных мод в микрокристаллах InN

Казанов Д.Р.¹, Кайбышев В.Х.¹, Давыдов В.Ю.¹, Смирнов А.Н.¹, Жмерик В.Н.¹, Кузнецова Н.В.¹, Копьев П.С.¹, Иванов С.В.¹, Шубина Т.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Оптические резонаторы на основе микрокристаллов InN, в которых возможно существование мод шепчущих галерей низких порядков вплоть до комнатной температуры, были сформированы молекулярно-пучковой эпитаксией на профилированных подложках. Обнаруженное явление переключения типа мод при подъеме температуры объяснено изменением оптических параметров вследствие сдвига и изменения формы края поглощения. Результаты моделирования, проведенного с учетом изменения показателя преломления, воспроизводят характерные распределения интенсивности электромагнитного поля в резонаторах.

K.J. Vahala. Nature, 424, 839 (2003)
M. Burger, G. Gallsen, T. Kure, A. Hoffmann, A. Pawlis, D. Reuter, D.J. As. Appl. Phys. Lett., 103, 021 107 (2013)
Y. Zhang, Z. Ma, Z. Zhang, T. Wang, H.W. Choi. Appl. Phys. Lett., 104, 221 106 (2014)
T. Nobis, R.M. Kaidashev, A. Rahm, M. Lorenz, M. Grundmann. Phys. Rev. Lett., 93, 103 903 (2004)
T. Nobis, M. Grundmann. Phys. Rev. A, 72, 063 806 (2005)
М.А. Kaliteevski, S. Brand, R.A. Abram, A. Kavokin, L.S. Dang. Phys. Rev. B, 75, 233 309 (2007)
Я.В. Алексеенко, А.М. Монахов, И.В. Рожанский. ЖТФ, 79, 72 (2009)
Т.В. Шубина, В.Н. Жмерик, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, В.Х. Кайбышев, G. Pozina, B. Monemar, А.В. Андрианов, Д.И. Куницын, С.В. Иванов, П.С. Копьев. Тр. XVIII Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 2014) т. 2, с. 616
A.L. Efros, B.L. Shklovskii. Electronic of Doped Semiconductors (Springer, Heidelberg, 1989)
T.V. Shubina, M.M. Glazov, S.V. Ivanov, A. Vasson, J. Leymarie, B. Monemar, T. Araki, H. Naoi, Y. Nanishi. Phys. Status Solidi C, 4, 2474 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель