"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сравнительный анализ влияния электронного и дырочного захвата на мощностные характеристики полупроводникового лазера
Соколова З.Н.1, Пихтин Н.А.1, Тарасов И.С.1, Асрян Л.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
Поступила в редакцию: 21 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Проведено сравнение рабочих характеристик полупроводникового лазера с квантовой ямой в активной области, рассчитанных с использованием трех моделей: модели, не учитывающей различий между электронными и дырочными параметрами и использующей электронные параметры для обоих типов носителей заряда; модели, не учитывающей различий между электронными и дырочными параметрами и использующей дырочные параметры для обоих типов носителей заряда; модели, учитывающей асимметрию электронных и дырочных параметров. Показано, что при одинаковых скоростях захвата электронов и дырок в пустую квантовую яму лазерные характеристики, полученные с использованием трех моделей, сильно различаются. Эти различия являются следствием различного заполнения электронами и дырками подзон размерного квантования в квантовой яме. Электронная подзона является более заполненной, чем дырочная, в результате чего при одинаковых скоростях захвата в пустую квантовую яму эффективная скорость электронного захвата меньше, чем эффективная скорость дырочного захвата. Показано, в частности, что для исследованной лазерной структуры скорость захвата дырок в пустую квантовую яму 5·105 см/с и соответствующая ей скорость захвата электронов 3·106 см/с описывают быстрый захват этих носителей, при котором ватт-амперная характеристика лазера остается практически линейной вплоть до высоких плотностей тока накачки. Скорость же захвата электронов 5·105 см/с и соответствующая ей скорость захвата дырок 8.4·104 см/с описывают медленный захват этих носителей, приводящий к существенной сублинейности ватт-амперной характеристики.
  • L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. Appl. Phys. Lett., 81, 2154 (2002)
  • L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. IEEE J. Quant. Electron., 39, 404 (2003)
  • З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. ФТП, 45, 1553 (2011)
  • З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. ФТП, 46, 1067 (2012)
  • L.V. Asryan, Z.N. Sokolova. J. Appl. Phys., 115, 023107 (2014)
  • З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. Квант. электрон., 44, 801 (2014)
  • Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 25, 928 (1991)
  • А.В. Лютецкий, К.С. Борщёв, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 42, 106 (2008)
  • M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6 (1), 27 (1991)
  • Л.В. Асрян. Квант. электрон., 35, 1117 (2005)
  • K.J. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 52, 1945 (1988)
  • L.V. Asryan, S. Luryi. Appl. Phys. Lett., 83, 5368 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.