"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пространственно-коррелированные двумерные массивы полупроводниковых и металлических квантовых точек в гетероструктурах на основе GaAs
Неведомский В.Н.1, Берт Н.А.1, Чалдышев В.В.1,2, Преображенский В.В.3, Путято М.А.3, Семягин Б.Р.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 3 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии в едином процессе получены гетероструктуры на основе GaAs, содержащие двумерные массивы полупроводниковых квантовых точек (ПКТ) InAs и металлических квантовых точек (МКТ) AsSb. Двумерный массив МКТ AsSb был сформирован путем низкотемпературной эпитаксии, обеспечивающей большой избыток мышьяка в эпитаксиальном слое GaAs. При выращивании последующих слоев при более высокой температуре избыточный мышьяк формировал наноразмерные включения --- МКТ в матрице GaAs. Двумерный массив таких МКТ формировался путем delta-легирования низкотемпературного слоя GaAs сурьмой, являющейся прекурсором для гетерогенной нуклеации МКТ и аккумулирующейся в них, образуя металлический сплав AsSb. Двумерный массив ПКТ InAs формировался по механизму Странского-Крастанова на поверхности GaAs. В промежутке между массивами ПКТ и МКТ выращивался барьерный слой AlAs толщиной 3 нм. Полное расстояние между массивами ПКТ и МКТ составляло 10 нм. Электронно-микроскопические исследования структуры показали, что расположение МКТ и ПКТ в двумерных массивах является пространственно-коррелированным. Причиной пространственной корреляции, по-видимому, являются поля упругих деформаций и напряжений, создаваемые в матрице GaAs как МКТ AsSb, так и ПКТ InAs.
  • М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 32, 513 (1998)
  • M.R. Melloch, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren, J.L. Freeouf. Appl. Phys. Lett., 57, 1531 (1990)
  • Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  • S. Gupta, M.Y. Frankel, J.A. Valdmanis, J.F. Whittaker, G.A. Mourou, F.W. Smith, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 59, 3276 (1991)
  • А.А. Пастор, П.Ю. Сердобинцев, В.В. Чалдышев. ФТП, 46, 637 (2012)
  • А.А. Пастор, У.В. Прохорова, П.Ю. Сердобинцев, В.В. Чалдышев, М.А. Яговкина. ФТП, 47, 1144 (2013)
  • L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
  • N. Cherkashin, S. Reboh, M.J. Hytch, A. Claverie, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, V.V. Chaldyshev. Appl. Phys. Lett., 102, 173 115 (2013)
  • Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, И.Г. Табатадзе, П.С. Копьев. ФТП 28, 1483 (1994)
  • В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 43, 1662 (2009)
  • В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 45, 1642 (2011)
  • В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 47, 1196 (2013)
  • В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 48, 1578 (2014)
  • N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74, 1588 (1999)
  • V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.E. Romanov, A.A. Suvorova, A.L. Kolesnikova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, N.D. Zakharov, A. Claverie. Appl. Phys. Lett., 80, 377 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.