"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с delta-слоем Mn
Рыков А.В.1, Дорохин М.В.1, Малышева Е.И.1, Демина П.Б.1, Вихрова О.В.1, Здоровейщев А.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: rikov@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Исследованы люминесцентные свойства светоизлучающих диодов на основе гетероструктур GaAs/InGaAs со слоями, легированными Mn. Получены зависимости степени циркулярной поляризации электролюминесценции от ростовых параметров --- содержания Mn, концентрации дырок. Обнаружено монотонное увеличение степени циркулярной поляризации электролюминесценции и температуры Кюри ферромагнитной структуры с ростом концентрации дырок, а также изменение знака степени циркулярной поляризации в зависимости от содержания Mn. Полученные данные объясняются с точки зрения известных моделей ферромагнетизма в структурах на основе ферромагнитных полупроводников.
  • N. Dai, H. Luo, F.C. Zhang, N. Samarth, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna. Phys. Rev. Lett., 67 (27), 3824 (1991)
  • I.A. Buyanova, G.Yu. Rudko, W.M. Chen, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev. Appl. Phys. Lett., 82, 1700 (2003)
  • R.C. Myers, A.C. Gossard, D.D. Awschalom. Phys. Rev. B, 69, 161 305(R) (2004)
  • M.V. Dorokhin, Yu.A. Danilov, P.B. Demina, V.D. Kulakovskii, O.V. Vikhrova, S.V. Zaitsev, B.N. Zvonkov. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 24 (2008)
  • В.Л. Коренев. Письма ЖЭТФ, 78 (9), 1053 (2003)
  • О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин. Письма ЖТФ, 35 (14), 8 (2009)
  • М.В. Дорохин, С.В. Зайцев, А.С. Бричкин, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, В.Д. Кулаковский, М.М. Прокофьева, А.Е. Шолина. ФТТ, 52 (11), 2147 (2010)
  • T. Hartmann, S. Ye, P.J. Klar, W. Heimbrodt, M. Lampalzer, W. Stolz, T. Kurz, A. Loidl, H.-A. Krug von Nidda, D. Wolverson, J.J. Davies, H. Overhof. Phys. Rev. B, 70, 233 201 (2004)
  • F. Matsukura, H. Ohno, T. Dietl. III-V Ferromagnetic Semiconductors. Handbook of Magnetic Materials. V. 14, ed. by K.H.J. Buschow (Elsevier, 2002) v. 1, p. 1
  • Y. Nishitani, D. Chiba, M. Endo, M. Sawicki, F. Matsukura, T. Diet, H. Ohno. Phys. Rev. B, 81, 045 208 (2010)
  • С.В. Зайцев, М.В. Дорохин, А.С. Бричкин, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, В.Д. Кулаковский. Письма ЖЭТФ, 90 (10), 730 (2009)
  • I.V. Rozhansky, N.S. Averkiev, I.V. Krainov, E. Laehderanta. Physica Status Solidi A, 211 (5), 1048 (2014)
  • Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Деминa, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Оптич. журн., 757 (6), 56 (2008)
  • K.M. Yu, W. Walukiewicz, T. Wojtowicz, I. Kuryliszyn, X. Liu, Y. Sasaki, J.K. Furdyna. Phys. Rev. B, 65, 201 303(R) (2002)
  • J. Blinowski, P. Kacman. Phys. Rev. B, 67, 121 204(R) (2003)
  • T. Jungwirth, J. Sinova, J. Masek, J. Kucera, A.H. MacDonald. Rev. Mod. Phys., 78, 822 (2006)
  • D.K. Young, J.A. Gupta, E. Johnston-Halperin, R. Epstein, Y. Kato, D.D. Awschalom. Semicond. Sci. Technol, 17, 275 (2002)
  • U. Bockelmann, W. Heller, G. Abstreiter. Phys. Rev. B, 55, 4469 (1997)
  • A.O. Govorov, A.V. Kalameitsev. Phys. Rev. B, 71, 035 338 (2005)
  • T. Jungwirth, K.Y. Wang, J. Mavsek, K.W. Edmonds, J. Konig, J. Sinova, M. Polini, N.A. Goncharuk, A.H. Mac Donald, M. Sawicki, A.W. Rushfoth, R.D. Campion, L.X. Zgao, C.T. Foxon, B.L. Gallagher. Phys. Rev. B, 72, 165 204 (2005)
  • Y. Nishitani, D. Chiba, M. Endo, M. Sawicki, F. Matsukura, T. Dietl, H. Ohno. Phys. Rev. B, 81, 045 208 (2010)
  • Th. Hartmann, S. Ye, P.J. Klar, W. Heimbrodt, M. Lampalzer, W. Stolz, T. Kurz, A. Loidl, H.-A. Krug von Nidda, D. Wolverson, J.J. Davies, H. Overhof. Phys. Rev. B, 70, 233 201 (2004)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.