Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование бетавольтаического эффекта на кремниевых pin-структурах при облучении beta-источником никель-63
1Тольяттинский государственный университет, Тольятти, Россия 
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: Nagornov.Yuri@gmail.com
Поступила в редакцию: 13 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.
Рассмотрены возможности бетавольтаики в качестве источников питания для полупроводниковых схем. Экспериментальные исследования показали существенную роль зарядки поверхности и снижение эдс. Проведено моделирование бетавольтаического эффекта от источника никель-63 для кремниевых pin-структур и показано, что коэффициент сбора сгенерированных носителей заряда может достигать значения 13%. Определены дозовые зависимости эффективности работы кремниевых бетавольтаических структур от alpha- и gamma-облучений, показано, что дозы 1.3·1014 и 1020 см-2 соответственно являются пороговыми, выше которых происходит резкое снижение работоспособности. Определены оптимальные параметры микроканальных структур бетавольтаики, в которых ширина каналов и расстояние между ними соответствуют 3 и 10 мкм.
- M. Lu, G. Zhang, K. Fu, G. Yu, D. Su, J. Hu. Energy Conversion and Management, 52 (4), 1955 (2011)
- Sh. Yao, Z. Song, X. Wang, H. San, Yu. Yu. Appl. Radiation and Isotopes, 70 (10), 2388 (2012)
- H. Chen, L. Jiang, X. Chen. J. Phys. D: Appl. Phys., 44 (21), 215 303 (2011)
- Ю.С. Нагорнов. Современные аспекты применения бетавольтаического эффекта (Ульяновск, УлГПУ, 2012)
- Ю.С. Нагорнов, В.М. Радченко, Е.С. Пчелинцева, В.В. Светухин, Б.М. Костишко, В.Д. Рисованый. Изв. вузов. Электроника, N 1, 90 (2011)
- H. Guo, A. Lal. The 12th Int. Conference on Solid State Sensors, Actuators and Microsystems (Boston, USA, 2003) p. 36
- M.V.S. Chandrashekhar. Appl. Phys. Lett., 88, 033 506 (2006)
- J.P. Clarkson, W. Sun, K.D. Hirschman, L.L. Gadeken, P.M. Fauchet. Phys. Status Solidi A, 204 (5), 1536 (2007)
- M.V.S. Chandrashekhar, Ch.I. Thomas, M.G. Spencer. USA Patent. US7939986B2 (2011)
- Ю.С. Нагорнов, Е.С. Пчелинцева, В.М. Радченко, Б.М. Костишко, В.В. Светухин, В.Д. Рисованый. Вопросы атомной науки и техники. Физика радиационного воздействия на радиоэлектрон. аппаратуру, N 1, 65 (2011)
- А.В. Зеленцов, З.М. Поварницына, Е.С. Сельков, В.Д. Ходжаев, А.И. Черный, В.П. Яромский. Патент РФ N 2308119 от 10.10.2007 (2007)
- В.Н. Павлов, В.Я. Панченко, М.А. Поликарпов, А.А. Свинцов, Е.Б. Якимов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 46 (2013)
- С.В. Булярский, В.М. Радченко, О.В. Скаляух. Изготовление и применение источников альфа-излучения (Ульяновск, УлГУ, 2005)
- О.К. Барановский, П.В. Кучинский, В.М. Лутковский, А.П. Петрунин, Е.Д. Савенок. ФТП, 35 (3), 352 (2001)
- С.И. Зайцев, В.Н. Павлов, В.Я. Панченко, М.А. Поликарпов, А.А. Свинцов, Е.Б. Якимов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 9 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
