"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оценка стойкости к диффузионной деструкции наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур методом ИК-спектральной эллипсометрии
Макеев М.О.1, Иванов Ю.А.1, Мешков С.А.1
1Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
Email: mc.stiv@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Разработана методика оценки качества наноразмерных AlAs/GaAs резонансно-туннельных гетероструктур с точки зрения их стойкости к диффузионной деструкции. Методом ИК-спектральной эллипсометрии выявлено диффузионное размытие слоев AlAs/GaAs гетероструктуры и определены коэффициенты диффузии Al и Si в GaAs.
  • Н.В. Алкеев, С.И. Аверин, А.А. Дорофеев, Н.Б. Гладышева, М.Ю. Торгашин. Микроэлектроника, 39 (5), 356 (2010)
  • В.Н. Вьюгинов, А.Г. Гудков, В.А. Добров, С.А. Мешков, В.В. Попов. Электромагнитные волны и электрон. системы, 1, 4 (2012)
  • Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, И.А. Федоренко, Н.В. Федоркова, В.Д. Шашурин. РЭ, 55 (8), 982 (2010)
  • Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, Н.В. Федоркова, И.А. Федоренко. Вестн. МГТУ им. Н.Э. Баумана, Сер. Приборостроение, спец. выпуск "Наноинженерия", 128 (2010)
  • Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, В.Ю. Синякин, И.А. Федоренко, Н.В. Федоркова, И.Б. Федоров, В.Д. Шашурин. Наноинженерия, 1, 34 (2011)
  • P. Mei, H.W. Yoon, T. Venkatesan, S.A. Schwarz, J.P. Harbison. Appl. Phys. Lett., 50 (25), 1823 (1987)
  • S. Yu, U.M. Gosele, T.Y. Tan. J. Appl. Phys., 66 (7), 2952 (1989)
  • T.Y. Tan, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 52 (15), 1240 (1988)
  • T.Y. Tan, S. Yu, U. Gosele. J. Appl. Phys., 70 (9), 4823 (1991)
  • U. Gosele, T.Y. Tan, M. Schultz, U. Egger, P. Werner, R. Scholz, O. Breitenstein. Def. Dif. Forum, 143- 149, 1079 (1997)
  • C.-H. Chen, U.M. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. A, 69, 313 (1999)
  • H.-M. You, U.M. Gosele, T.Y. Tan. J. Appl. Phys., 73 (11), 7207 (1993)
  • I. Harrison, H.P. Ho, N. Baba Ali. J. Electron. Mater., 20 (6), 449 (1991)
  • L. Pavesi, Nguyen Hong Ky, J.D. Ganiere, F.K. Reinhart, N. Baba-Ali, I. Harrison, B. Tuck, M. Henini. J. Appl. Phys., 71 (5), 2225 (1992)
  • K.H. Lee, D.A. Stevenson, M.D. Deal. J. Appl. Phys., 68 (8), 4008 (1990)
  • H. Bracht, E.E. Haller, K. Eberl, M. Cardona. Appl. Phys. Lett., 74 (1), 49 (1999)
  • S.F. Wee, M.K. Chai, K.P. Homewood, W.P. Gillin. J. Appl. Phys., 82 (10), 4842 (1997)
  • B.L. Olmsted, S.N. Houde-Walter. Appl. Phys. Lett., 63 (4), 530 (1993)
  • L. Wang, L. Hsu, E.E. Haller, J.W. Erickson, A. Fischer, K. Eberl, M. Cardona. Phys. Rev. Lett., 76, 2342 (1996)
  • H. Ono, N. Ikarashi, T. Baba. Appl. Phys. Lett., 66 (5), 601 (1995)
  • J.J. Murray, M.D. Deal, E.L. Allen, D.A. Stevenson, S. Nozaki. J. Electrochem. Soc., 137 (7), 2037 (1992)
  • H. Mehrer. Diffusion in Solids. Fundamentals, Methods, Diffusion-controlled Processes (Springer, 2009)
  • D.J. Fisher. Diffusion in GaAs and other III-V semiconductors. 10 years of Research (Scitec Publications, 1998)
  • F. El-Mellouhi, N. Mousseau. J. Appl. Phys., 100 (8), 083 521 (2006)
  • R.M. Cohen. J. Appl. Phys., 67 (12), 7268 (1990)
  • J. Hilfiker, C. Bungay, R. Synowicki, T. Tiwald, C. Herzinger, B. Johs, G. Pribil, J.A. Woollam. J. Vac. Sci. Technol. A, 21 (4), 1103 (2003)
  • J. Hilfiker, N. Singh, T. Tiwald, D. Convey, S.M. Smith, J.H. Baker, H.G. Tompkins. Thin Sol. Films, 516, 7979 (2008)
  • H.G. Tompkins, T. Tiwald, C. Bungay, A.E. Hooper. J. Phys. Chem. B, 108 (12), 3777 (2004)
  • М.О. Макеев, Е.А. Жукова. Наука и образование: электронное научн.-техн. изд., 7, 229 (2013)
  • М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков. Наноинженерия, 4, 44 (2011)
  • М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, В.Д. Шашурин. Наука и образование: электронное научн.-техн. изд., 11, 229 (2013)
  • М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, В.Ю. Синякин. Нано- и микросистемная техника, 12, 23 (2014)
  • M.O. Makeev, Yu.A. Ivanov, V.Yu. Sinyakin, S.A. Meshkov, S.V. Agasieva, V.D. Shashurin. CriMiCo 2014-2014 24th Int. Crimean Conf. Microwave and Telecommunication Technology, Conf. Proceedings (Sevastopol, Crimea, Russia, 2014) p. 754
  • M.O. Makeev, Yu.A. Ivanov, S.A. Meshkov, A.B. Gil'man, M.Yu. Yablokov. High Energy Chemistry, 45 (6), 536 (2011)
  • М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, А.Б. Гильман, М.Ю. Яблоков. Нанотехника, 3, 27 (2011)
  • М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, Н.А. Ветрова, С.А. Козубняк. Вестн. МГТУ. Сер. Приборостроение, S, 80 (2010)
  • М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, Ю.Н. Литвак, С.А. Мешков, Д.Э. Мигаль, В.В. Назаров. Наноинженерия, 1, 24 (2014).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.