Методом математического моделирования проведен анализ достижимых значений эффективности фотоэлектрического преобразования лазерного излучения с длиной волны 1.3 и 1.55 мкм в гетероструктурах In0.53Ga0.47As/InP с вводом излучения со стороны подложки n-InP. Исследовано влияние параметров гетероструктуры In0.53Ga0.47As/InP и конструкции фотопреобразователя лазерного излучения на кпд. Проведено сравнение характеристик промоделированных фотопроизводителей In0.53Ga0.47As/InP и фотопреобразователей на основе GaAs для длины волны 809 нм. Показано, что при мощностях излучения 2-6 Вт достижимы значения кпд 40% для длины волны 1.3 мкм и близкие к 50% для длины волны 1.55 мкм, однако при больших мощностях кпд заметно снижается. Установлено, что основным фактором, препятствующим достижению высокой эффективности преобразования излучения большой мощности, являются потери в подложке n-InP. Оценен оптимальный уровень легирования подложек n-InP для фотопреобразоватей лазерного излучения различной мощности.
G.A. Landis. J. Propulsion Power, 8 (1), 251 (1992)
J. Hecht. New Scientist, 207 (2777), 25 (2010)
F. Steinsiek, W.P. Foth, K.H. Weber, C. Schaefer, H.J. Foth. Proc. 54th IAC (Bremen, Germany, 2003) IAC-03-R.3.06
G.A. Landis. Proc. SPIE Optics, Electro-optics \& Laser Conference (Los Angeles CA, USA, 1994) v. 2121, p. 252
M. Mori, H. Kagawa, Y. Saito. Proc. Conf. Solar Power from Space '04 (Granada, Spain, 2004) v. 567, p. 3
H. Suzuki, T. Fujita, M. Mori. Proc. 57th IAC (Valencia, Spain, 2006) IAC-06-C3.2.4
M. Dumke, G. Heiserich, S. Franke, L. Schulz, L. Overmeyer. J. Systemics Cybernetics. Informatics, 8 (1), 55 (2010)
В.М. Андреев, Б.В. Егоров, А.М. Койнова, В.М. Лантратов, В.Д. Румянцев, ФТП, 20 (3), 435 (1986)
R. Pena, C. Algora. Proc. 20th EU Conf. on PV Solar Energy (Barcelona, Spain, 2005) p. 488
E. Oliva, F. Dimroth, A.W. Bett. Prog. in PV: Res. and Appl., 16 (4), 289 (2008)
V. Andreev, V. Khvostikov, V. Kalinovsky, V. Lantratov, V. Grilikhes, V. Rumyantsev, M. Shvarts, V. Fokanov, A. Pavlov. Proc. 3rd World Conf. PV Energy Conv. (Osaka, Japan, 2003) v. 1, p. 761
Л.Б. Карлина, А.С. Власов, М.М. Кулагина, Н.Х. Тимошина. ФТП, 40 (3), 351 (2006)
Л.Б. Карлина, А.С. Власов, М.М. Кулагина, Е.П. Ракова, Н.Х. Тимошина, В.М. Андреев. ФТП, 44 (2), 240 (2010)
N. Dharmarasu, M. Yamaguchi, A. Khan, T. Yamada, T. Tanabe, S. Takagishi, T. Takamoto, T. Ohshima, H. Itoh, M. Imaizumi, S. Matsuda. Appl. Phys. Lett., 79 (15), 2399 (2001)
V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, M.A. Mintairov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Lantratov. Proc. 25th EPSEC (Valencia, Spain, 2010) p. 406
V.M. Andreev, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, N.K. Timoshina. Proc. 23rd EPSEC (Valencia, Spain, 2008) p. 375
А.М. Васильев, А.П. Ландсман. Полупроводниковые фотопреобразователи (М., Сов. радио, 1971) с. 84, 221, 222
S.S. Adachi. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors: Numerical Data and Graphical Information (Kluwer Academic, Boston, 1999)
D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27 (2), 985 (1983)
T.P. Pearsall, J.P. Hirtz. J. Cryst. Growth, 54 (1), 127 (1981)
T.P. Pearsall. GaInAsP Alloy Semiconductors (John Wiley and Sons, 1982)
C.H. Henry, R.A. Logan, F.R. Merritt, C.G. Bethea. Electron. Lett., 20 (9), 358 (1984)
O.K. Kim, W.A. Bonner. J. Electron. Mater., 12 (5), 827 (1983)
В.И. Корольков, В.С. Юферев. ФТП, 14 (6), 1064 (1980)