"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP
Емельянов В.М.1, Сорокина С.В.1, Хвостиков В.П.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: resso2003@bk.ru
Поступила в редакцию: 16 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Методом математического моделирования проведен анализ достижимых значений эффективности фотоэлектрического преобразования лазерного излучения с длиной волны 1.3 и 1.55 мкм в гетероструктурах In0.53Ga0.47As/InP с вводом излучения со стороны подложки n-InP. Исследовано влияние параметров гетероструктуры In0.53Ga0.47As/InP и конструкции фотопреобразователя лазерного излучения на кпд. Проведено сравнение характеристик промоделированных фотопроизводителей In0.53Ga0.47As/InP и фотопреобразователей на основе GaAs для длины волны 809 нм. Показано, что при мощностях излучения 2-6 Вт достижимы значения кпд 40% для длины волны 1.3 мкм и близкие к 50% для длины волны 1.55 мкм, однако при больших мощностях кпд заметно снижается. Установлено, что основным фактором, препятствующим достижению высокой эффективности преобразования излучения большой мощности, являются потери в подложке n-InP. Оценен оптимальный уровень легирования подложек n-InP для фотопреобразоватей лазерного излучения различной мощности.
  • G.A. Landis. J. Propulsion Power, 8 (1), 251 (1992)
  • J. Hecht. New Scientist, 207 (2777), 25 (2010)
  • F. Steinsiek, W.P. Foth, K.H. Weber, C. Schaefer, H.J. Foth. Proc. 54th IAC (Bremen, Germany, 2003) IAC-03-R.3.06
  • G.A. Landis. Proc. SPIE Optics, Electro-optics \& Laser Conference (Los Angeles CA, USA, 1994) v. 2121, p. 252
  • M. Mori, H. Kagawa, Y. Saito. Proc. Conf. Solar Power from Space '04 (Granada, Spain, 2004) v. 567, p. 3
  • H. Suzuki, T. Fujita, M. Mori. Proc. 57th IAC (Valencia, Spain, 2006) IAC-06-C3.2.4
  • M. Dumke, G. Heiserich, S. Franke, L. Schulz, L. Overmeyer. J. Systemics Cybernetics. Informatics, 8 (1), 55 (2010)
  • В.М. Андреев, Б.В. Егоров, А.М. Койнова, В.М. Лантратов, В.Д. Румянцев, ФТП, 20 (3), 435 (1986)
  • R. Pena, C. Algora. Proc. 20th EU Conf. on PV Solar Energy (Barcelona, Spain, 2005) p. 488
  • E. Oliva, F. Dimroth, A.W. Bett. Prog. in PV: Res. and Appl., 16 (4), 289 (2008)
  • V. Andreev, V. Khvostikov, V. Kalinovsky, V. Lantratov, V. Grilikhes, V. Rumyantsev, M. Shvarts, V. Fokanov, A. Pavlov. Proc. 3rd World Conf. PV Energy Conv. (Osaka, Japan, 2003) v. 1, p. 761
  • Л.Б. Карлина, А.С. Власов, М.М. Кулагина, Н.Х. Тимошина. ФТП, 40 (3), 351 (2006)
  • Л.Б. Карлина, А.С. Власов, М.М. Кулагина, Е.П. Ракова, Н.Х. Тимошина, В.М. Андреев. ФТП, 44 (2), 240 (2010)
  • N. Dharmarasu, M. Yamaguchi, A. Khan, T. Yamada, T. Tanabe, S. Takagishi, T. Takamoto, T. Ohshima, H. Itoh, M. Imaizumi, S. Matsuda. Appl. Phys. Lett., 79 (15), 2399 (2001)
  • V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, M.A. Mintairov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Lantratov. Proc. 25th EPSEC (Valencia, Spain, 2010) p. 406
  • V.M. Andreev, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, N.K. Timoshina. Proc. 23rd EPSEC (Valencia, Spain, 2008) p. 375
  • А.М. Васильев, А.П. Ландсман. Полупроводниковые фотопреобразователи (М., Сов. радио, 1971) с. 84, 221, 222
  • S.S. Adachi. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors: Numerical Data and Graphical Information (Kluwer Academic, Boston, 1999)
  • D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27 (2), 985 (1983)
  • T.P. Pearsall, J.P. Hirtz. J. Cryst. Growth, 54 (1), 127 (1981)
  • T.P. Pearsall. GaInAsP Alloy Semiconductors (John Wiley and Sons, 1982)
  • C.H. Henry, R.A. Logan, F.R. Merritt, C.G. Bethea. Electron. Lett., 20 (9), 358 (1984)
  • O.K. Kim, W.A. Bonner. J. Electron. Mater., 12 (5), 827 (1983)
  • В.И. Корольков, В.С. Юферев. ФТП, 14 (6), 1064 (1980)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.