Построена количественная теория диагонального (баллистического) и недиагонального (сдвигового) по индексам зон вкладов в двухквантовый ток линейного фотогальванического эффекта в полупроводнике со сложной зоной, обусловленный асимметрией актов рассеяния электронов на фононах и фотонах. Показано, что процессы, обусловленные одновременным поглощением двух фотонов, не дают вклады в баллистический фототок в n-GaP. Это связано с тем, что при этом не возникает асимметричное распределение по импульсу возбужденных фотонами электронов, оно возникает при последовательном поглощении двух фотонов с участием LO-фононов. Указано, что температурная зависимость сдвигового вклада в двухфотонный фототок в n-GaP будет определяться температурной зависимостью коэффициента поглощения света, обусловленного прямыми оптическими переходами электронов между подзонами X₁ и X₃. Указано, что в спектральной зависимости фототока наблюдается особенность в области частот света omega->Delta/2h, связанная с горбообразностью подзоны X₁ n-GaP¹ и корневой особенностью плотности состояния, определяемая как k^-1_omega=(2homega-Delta)^-1/2, где Delta - энергетическая щель между подзонами X₁ и X₃. Получены спектральная и температурная зависимости коэффициента поглощения линейно поляризованного излучения n-GaP с учетом горба" нижней подзоны зоны проводимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.