"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, облученного электронами
Соболев Н.А.1, Штельмах К.Ф.1,2, Калядин А.Е.1, Аруев П.Н.1, Забродский В.В.1, Шек Е.И.1, Yang D.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, People's Republic of China
Поступила в редакцию: 9 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Исследована электролюминесценция в светодиодных структурах n+-p-p+ на основе Si, облученного электронами и отожженного при высокой температуре. Светодиоды изготовлены путем газофазного осаждения слоев поликристаллического кремния, легированных бором и фосфором с высокой концентрацией. Трансформация спектров электролюминесценции в зависимости от тока в светодиодах хорошо описывается шестью гауссовыми кривыми. Положения максимумов этих кривых не зависят от тока и равны 1233, 1308, 1363, 1425, 1479, 1520 нм. Исследованы зависимости интегральной интенсивности электролюминесценции и полуширины линий от тока.
  • B. Zheng, J. Michel, F.Y.G. Ren, L.C. Kimerling, D.C. Jacobson, J.M. Poate. Appl. Phys. Lett., 64, 2842 (1994)
  • L. Pavesi. J. Phys.: Condens. Matter, 15, R1169 (2003)
  • J. Liu, X. Sun, R. Camacho-Aguilera, L. Kimerling, J. Michel. Optics Lett., 35, 679 (2010)
  • Н.А. Соболев. ФТП, 44, 3 (2010)
  • V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 51, 10520 (1995)
  • M. Acciari, S. Binetti, O.V. Feklisova, E.A. Steinman, E.B. Yakimov. Sol. St. Phenomena, 95-96, 453 (2004)
  • S. Pizzini, E. Leonti, S. Binetti, M. Acciarri, A. Le Donne, B. Pichaud. Sol. St. Phenomena, 95-96, 273 (2004)
  • E.O. Sveinbjornsson, J. Weber. Appl. Phys. Lett., 69, 2686 (1996)
  • V.V. Kveder, E.A. Steiman, H.G. Grimmeiss. J. Appl. Phys., 78, 446 (1995)
  • N.A. Sobolev, O.B. Gusev, E.I. Shek, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, A.M. Emel\`yanov. Appl. Phys. Lett., 72, 3326 (1998)
  • V. Kveder, V. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Zeibt, W. Schreter. Appl. Phys. Lett., 84, 2106 (2004)
  • L. Xiang, D. Li, L. Jin, D. Yang. Sol. St. Commun., 152, 1956 (2012)
  • L. Xiang, D. Li, L. Jin, S. Wang, D. Yang. J. Appl. Phys., 113, 033 518 (2013)
  • N.A. Sobolev, P.N. Aruev, A.E. Kalyadin, E.I. Shek, V.V. Zabrodskiy, A.S. Loshachenko, K.F. Shtel\`makh, V.I. Vdovin, A. Medvids, L. Xiang, D. Yang. Sol. St. Phenomena, 205-206, 305 (2014)
  • Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма ЖЭТФ, 23, 651 (1976)
  • M. Suezawa, K. Sumino. Phys. Status Solidi A, 78, 639 (1983)
  • G.P. Watson, J.L. Benton, Y.-H. Hie, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 83, 3773 (1998)
  • R. Sauer, J. Weber, J. Stolz, E.R. Weber, K.H. Kurster, H. Alexander. Appl. Phys. A, 36, 1 (1985)
  • Э.А. Штейнман. ФТТ, 47, 9 (2005)
  • R. Sauer, Ch. Kisielowski-Kemmerich, H. Alexander. Phys. Rev. Lett., 57, 1472 (1986)
  • Р. Смит. Полупроводники. 2-е изд. Пер. с англ. под ред. Н.А. Пенина (М., Мир, 1982)
  • Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов. ФТП, 39, 1271 (2005)
  • S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini. J. Appl. Phys., 92, 2437 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.