Проведен анализ всех опубликованных результатов измерений коэффициентов ударной ионизации электронов alphan и дырок alphap в 4H-SiC при 300 K. Показано, что наиболее правдоподобные аппроксимации зависимостей alphan,p от напряженности электрического поля E имеют обычный вид alphan,p=an,pexp(-En,p/E) при значениях подгоночных параметров an=38.6·106 см-1, En=25.6 МВ/см, ap=5.31·106 см-1, Ep=13.1 МВ/см. Эти зависимости alphan,p(E) использованы для расчета максимальной напряженности поля Eb и толщины области пространственного заряда wb при напряжении пробоя Ub. Получен ряд новых формул для вычисления alphan,p(E) из результатов измерения коэффициентов лавинного умножения и факторов избыточного шума при одностороннем освещении фотодиодов со ступенчатым легированием.
O. Konstantinov, Q. Wahab, N. Nordell, U. Lindefelt. Appl. Phys. Lett., 71, 90 (1997)
O. Konstantinov, Q. Wahab, N. Nordell, U. Lindefelt. J. Electron. Mater., 27, 335 (1998)
K. Ng, J.P.R. David, R.C. Tozer, G.J. Rees, F. Yan, H. Zhao, M. Weiner. IEEE Trans. Electron. Dev., 50, 1724 (2003)
K. Ng, J.P.R. David, D.J. Massey, R.C. Toze, G.J. Rees, F. Yan, J.H. Zhao, M. Weiner. Mater. Sci. Forum, 457--460, 1069 (2004)
W.S. Loh, B.K. Ng, S.I. Soloviev, H.-Y. Cha, P.M. Sandvik, C.M. Johnson, J.P.R. David. IEEE Trans. Electron. Dev., 55, 1984 (2008).
W.S. Loh, J.P.R. David, B.K. Ng, S.I. Soloviev, P.M. Sandvik, J.S. Ng, C.M. Johnson. Mater. Sci. Forum, 615--617, 311 (2009)
J.E. Green, W.S. Loh, A.R.J. Marshall, B.K. Ng, R.C. Tozer, J.P.R. David, S.I. Soloviev, P.M. Sandvik. IEEE Trans. Electron. Dev., 59, 1030 (2012)
H. Niwa, J. Suda, T. Kimoto. Mater. Sci. Forum, 778--780, 461 (2014)
R. Raghunathan, B.J. Baliga. Solid-State Electron., 43, 199 (1999)
T. Hatakeyama, T. Watanabe, T. Shinohe, K. Kojima, K. Arai, N. Sano. Appl. Phys. Lett., 85, 1380 (2004)
D.M. Nguyen, C. Raynaud, N. Dheilly, M. Lazar, D. Tournier, P. Brosselard, D. Planson. Diamond Relat. Mater., 20, 395 (2011)
D.M. Nguyen, C. Raynaud, M. Lazar, G. Paques, S. Scharnholz, N. Dheilly, D. Tournier, D. Planson. Mater. Sci. Forum, 717--720, 545 (2012)
W.S. Loh, C.M. Johnson, J.S. Ng, P.M. Sandvik, S.D. Arthur, S.I. Soloviev, J.P.R. David. Mater. Sci. Forum, 556--557, 339 (2007)
A. Akturk, N. Goldsman, S. Aslam, J. Sigwarth, F. Herrero. J. Appl. Phys., 104, 026 101 (2008)
C.A. Lee, R.A. Logan, R.L. Batdorf, J.J. Kleimack, W. Wiegmann. Phys. Rev., 134, A761 (1964)
M.H. Woods, W.C. Johnson, M.A. Lampert. Solid-State Electron., 16, 381 (1973)
G.E. Bulman, L.W. Cook, G.E. Stillman. Solid-State Electron., 25, 1189 (1982)
Л.А. Кирдяшкина, А.С. Кюрегян, П.Н. Шлыгин, С.Н. Юрков. ФТП, 24, 560 (1990)
И.В. Грехов, Ю.H. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
А.С. Кюрегян, С.Н. Юрков. ФТП, 23, 1819 (1989)
N.R. Howard. J. Electronics and Control, 13, ser. 1, 537 (1962)
B.T. Dai, C.Y. Chang, J. Appl. Phys., 42, 5198 (1971)
R.J. McIntyre. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-13, 164 (1966).