Приводятся результаты экспериментального исследования параметров GaN и GaAs структур до и после gamma-нейтронного облучения. Предложен специальный набор тестовых диодов, позволяющих снизить погрешность результатов измерений параметров структур, что важно для проектирования и оптимизации конструкции полупроводниковых приборов.
Е.Р. Аствацатурьян, Д.В. Громов, В.М. Ломако. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия (Минск, Университетское, 1992)
А.В. Мурель, С.В. Оболенский, А.Г. Фефелов, Е.В. Киселева. ФТП, 38 (7), 834 (2004)
Е.С. Оболенская, Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский. ВАНТ, сер. Физика радиационного воздействия на аппаратуру, N 4, 9 (2012)
Е.В. Киселева, С.В. Оболенский, М.А. Китаев, О.В. Ткачев, В.П. Шукайло, В.Т. Громов. ПЖТФ, 31 (20), 58 (2005)
Ю.В. Федоров. Электроника, N 2, 92 (2011)
В.П. Карамышев, И.В. Мурылева. Электрон. техн., сер. Микроэлектроника, вып. 6, 26 (1984)
С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1981)
Н.В. Басаргина, И.В. Ворожцова, С.М. Дубровских, О.В. Ткачев, В.П. Шукайло, Е.А. Тарасова, А.Ю. Чурин, С.В. Оболенский. Вестн. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, N 3-1, 61 (2013)
Р. Цулег. Радиационные эффекты в ИC на GaAs / Арсенид галлия в микроэлектронике, под. ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена (М., Мир, 1988) с. 501
N.A. Sobolev. In: Handbook of Self Assembled Semiconductor Nanostructures for Novel Devices in Photonics and Electronics, ed. by M. Henini (Elsevier, Amsterdam et al., 2008) chap. 13, p. 392.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.