"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3C-SiC(111)
Бенеманская Г.В.1,2, Дементьев П.А.1,2, Кукушкин С.А.2, Лапушкин М.Н.1,2, Сеньковский Б.В.3, Тимошнев С.Н.2,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialen und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II D, Berlin, Germany
4Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Galina.Benemanskaya@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Впервые исследованы электронные свойства наноинтерфейса Ва/SiC(111) методом фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхротронного излучения в диапазоне энергий 80-450 эВ. Эксперименты проведены in situ в сверхвысоком вакууме при ультратонких Ва-покрытиях на образцах SiC(111), выращенных новым методом замещения атомов подложки. Обнаружено, что Ва-адсорбция вызывает появление индуцированных поверхностных состояний с энергиями связи 1.9, 6.2 и 7.5 эВ. Эволюция поверхностных состояний и спектров остовных уровней Si 2p и C 1s показывает, что формирование интерфейса Ba/SiC происходит за счет переноса заряда от адатомов Ba к поверхностным атомам кремния и нижерасположенным атомам углерода.
  • S.E. Saddow, A.Agrawal. Advances in Silicon Carbide Processing and Applications (2004). ISBN 1-58053-740-5
  • P. Soukiassian, H.B. Enriquez. J. Phys.: Condens Matter, 16, 1611 (2004)
  • T. Seyller. J. Phys.: Condens Matter, 16, 1755 (2004)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys., 113, 024 909 (2013)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 313 001 (2014)
  • S.W. King, R.J. Nemanich, R.F. Davis. Phys. Status Solidi B, 252, 391 (2015)
  • Y. Hoshino, T. Nishimura, T. Yoneda, K. Ogawa, H. Namba, Y. Kido. Surf. Sci., 505, 234 (2002)
  • S. Watcharinyanon, C. Virojanadara, L.I. Johansson. Surf. Sci., 605, 1918 (2011)
  • S. Watcharinyanon, L.I. Johansson, C. Xia, C. Virojanadara. J. Appl. Phys., 111, 083 711 (2012)
  • V. van Elsbergen, T.U. Kampen, W. Monch. J. Appl. Phys.. 79, 316 (1996)
  • C. Virojanadara, L.I. Johansson. Surf. Sci., 600, 436 (2006)
  • L.I. Johansson, C. Virojanadara. Phys. Status Solidi B, 248, 667 (2011)
  • B. Wenzien, P. Kackell, F. Bechstedt, G. Cappellini. Phys. Rev. B, 52, 10 897 (1995)
  • V.M. Bermudez, J.P. Long. Appl. Phys. Lett., 66, 475 (1995)
  • H.W. Yeom, Y.-C. Chao, I. Matsuda, S. Hara, S. Yoshida, R.I.G. Uhrberg. Phys. Rev. B, 58, 10 540 (1998)
  • Г.В. Бенеманская, Г.Э. Франк-Каменецкая, Н.М. Шмидт. ЖЭТФ, 130, 506 (2006)
  • A.G. Fedorus, A.G. Naumovets, Yu.S. Vedula. Phys. Status Solidi A, 13, 445 (1972)
  • C.P. Cheng, I.H. Hong, T.W. Pi. Phys. Rev. B, 58, 4066 (1998)
  • T. Okuda, K.S. An, A. Harasawa, T. Kinoshita. Phys. Rev. B, 71, 085 317 (2005)
  • Г.В. Бенеманская, В.Н. Жмерик, М.Н. Лапушкин, С.Н. Тимошнев. Письма ЖЭТФ, 91, 739 (2010)
  • P.-A. Glans, T. Balasubramanian, M. Syvajarvi, R. Yakimova, L.I. Johansson. Surf. Sci., 470, 284 (2001)
  • R. Verucchi, L. Aversa, M.V. Nardi, S. Taioli, S. Beccara, D. Alfae, L. Nasi, F. Rossi, G. Salviati, S. Iannotta. J. Am. Chem. Soc., 134, 17 400 (2012)
  • G.V. Benemanskaya, P.A. Dementev, S.А. Kukushkin, M.N. Lapushkin, A.V. Osipov, B. Senkovskiy, S.N. Timoshnev. Mater. Phys. Mech., 22, 183 (2015)
  • C.H. Park, B.-H. Cheong, K.-H. Lee, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 49, 4485 (1994)
  • L. Wenchang, Y. Weidong, Z. Kaiming. J. Phys. Condens. Matter, 3, 9079 (1991)
  • J. Wang, L. Zhang, Q. Zeng, G.L. Vignoles, L. Cheng, A. Guette. Phys. Rev. B, 79, 125 304 (2009)
  • L.I. Johansson, F. Owman, P. Martensson. Phys. Rev. B, 53, 19 793 (1996)
  • J. Schardt, J. Bernhardt, U. Starke, K. Heinz. Phys. Rev. B, 62, 10 335 (2000)
  • М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, И.И. Пронин, С.М. Соловьев, Д.Е. Марченко, Д.В. Вялых. ФТТ, 53, 564 (2011)
  • М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, К.М. Попов, И.И. Пронин, Письма ЖТФ, 39 (8), 1 (2013)
  • R. Takahashi, H. Handa, Shunsuke, K. Imaizumi, H. Fukidome, A. Yoshigoe, Yu. Teraoka, M. Suemitsu. Jph. J. Appl. Phys., 50, 070 103 (2011)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.