Впервые исследованы электронные свойства наноинтерфейса Ва/SiC(111) методом фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхротронного излучения в диапазоне энергий 80-450 эВ. Эксперименты проведены in situ в сверхвысоком вакууме при ультратонких Ва-покрытиях на образцах SiC(111), выращенных новым методом замещения атомов подложки. Обнаружено, что Ва-адсорбция вызывает появление индуцированных поверхностных состояний с энергиями связи 1.9, 6.2 и 7.5 эВ. Эволюция поверхностных состояний и спектров остовных уровней Si 2p и C 1s показывает, что формирование интерфейса Ba/SiC происходит за счет переноса заряда от адатомов Ba к поверхностным атомам кремния и нижерасположенным атомам углерода.
S.E. Saddow, A.Agrawal. Advances in Silicon Carbide Processing and Applications (2004). ISBN 1-58053-740-5
P. Soukiassian, H.B. Enriquez. J. Phys.: Condens Matter, 16, 1611 (2004)
T. Seyller. J. Phys.: Condens Matter, 16, 1755 (2004)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys., 113, 024 909 (2013)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 313 001 (2014)
S.W. King, R.J. Nemanich, R.F. Davis. Phys. Status Solidi B, 252, 391 (2015)
Y. Hoshino, T. Nishimura, T. Yoneda, K. Ogawa, H. Namba, Y. Kido. Surf. Sci., 505, 234 (2002)
S. Watcharinyanon, C. Virojanadara, L.I. Johansson. Surf. Sci., 605, 1918 (2011)
S. Watcharinyanon, L.I. Johansson, C. Xia, C. Virojanadara. J. Appl. Phys., 111, 083 711 (2012)
V. van Elsbergen, T.U. Kampen, W. Monch. J. Appl. Phys.. 79, 316 (1996)
C. Virojanadara, L.I. Johansson. Surf. Sci., 600, 436 (2006)
L.I. Johansson, C. Virojanadara. Phys. Status Solidi B, 248, 667 (2011)
B. Wenzien, P. Kackell, F. Bechstedt, G. Cappellini. Phys. Rev. B, 52, 10 897 (1995)
V.M. Bermudez, J.P. Long. Appl. Phys. Lett., 66, 475 (1995)
H.W. Yeom, Y.-C. Chao, I. Matsuda, S. Hara, S. Yoshida, R.I.G. Uhrberg. Phys. Rev. B, 58, 10 540 (1998)
Г.В. Бенеманская, Г.Э. Франк-Каменецкая, Н.М. Шмидт. ЖЭТФ, 130, 506 (2006)
A.G. Fedorus, A.G. Naumovets, Yu.S. Vedula. Phys. Status Solidi A, 13, 445 (1972)
C.P. Cheng, I.H. Hong, T.W. Pi. Phys. Rev. B, 58, 4066 (1998)
T. Okuda, K.S. An, A. Harasawa, T. Kinoshita. Phys. Rev. B, 71, 085 317 (2005)
Г.В. Бенеманская, В.Н. Жмерик, М.Н. Лапушкин, С.Н. Тимошнев. Письма ЖЭТФ, 91, 739 (2010)
P.-A. Glans, T. Balasubramanian, M. Syvajarvi, R. Yakimova, L.I. Johansson. Surf. Sci., 470, 284 (2001)
R. Verucchi, L. Aversa, M.V. Nardi, S. Taioli, S. Beccara, D. Alfae, L. Nasi, F. Rossi, G. Salviati, S. Iannotta. J. Am. Chem. Soc., 134, 17 400 (2012)
G.V. Benemanskaya, P.A. Dementev, S.А. Kukushkin, M.N. Lapushkin, A.V. Osipov, B. Senkovskiy, S.N. Timoshnev. Mater. Phys. Mech., 22, 183 (2015)
C.H. Park, B.-H. Cheong, K.-H. Lee, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 49, 4485 (1994)
L. Wenchang, Y. Weidong, Z. Kaiming. J. Phys. Condens. Matter, 3, 9079 (1991)
J. Wang, L. Zhang, Q. Zeng, G.L. Vignoles, L. Cheng, A. Guette. Phys. Rev. B, 79, 125 304 (2009)
L.I. Johansson, F. Owman, P. Martensson. Phys. Rev. B, 53, 19 793 (1996)
J. Schardt, J. Bernhardt, U. Starke, K. Heinz. Phys. Rev. B, 62, 10 335 (2000)
М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, И.И. Пронин, С.М. Соловьев, Д.Е. Марченко, Д.В. Вялых. ФТТ, 53, 564 (2011)
М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, К.М. Попов, И.И. Пронин, Письма ЖТФ, 39 (8), 1 (2013)
R. Takahashi, H. Handa, Shunsuke, K. Imaizumi, H. Fukidome, A. Yoshigoe, Yu. Teraoka, M. Suemitsu. Jph. J. Appl. Phys., 50, 070 103 (2011)