"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Политипные включения и политипная стабильность кристаллов карбида кремния
Авров Д.Д.1, Лебедев А.О.2, Таиров Ю.М.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия -tairov
Поступила в редакцию: 15 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

На основе литературных и собственных экспериментальных данных рассмотрены основные аспекты проблемы, связанной с обеспечением политипной стабильности выращиваемых слитков карбида кремния политипов 4H и 6Н.
  • А. Верма, П. Кришна. Полиморфизм и политипизм в кристаллах (М., Мир, 1969)
  • G. Agrosi, G. Tempesta, G.C. Capitani, E. Scandale, D. Siche. J. Crystal Growth, 311, 4784 (2009)
  • A.O. Konstantinov, C. Hallin, O. Kordina, E. Janzen. J. Appl. Phys., 80, 5704 (1996)
  • N. Nordell, O. Bowallius, S. Anand, A. Kakanakova-Georgieva, R. Yakimova, L.D. Madsen, S. Karlsson, A.O. Konstantinov. Appl. Phys. Lett., 80, 1755 (2002)
  • R. Pusche, M. Hundhausen, L. Ley, K. Semmelroth, F. Schmid, G. Pensl, H. Nagasawa. J. Appl. Phys., 96, 5569 (2004)
  • N. Ohtani, M. Katsuno, H. Tsuge, T. Fujimoto, M. Nakabayashi, H. Yashiro, M. Sawamura, T. Aigo, T. Hoshino. Microelectronic Engin., 83, 142 (2006)
  • H.-J. Rost, J. Doerschel, D. Schulz, D. Siche, J. Wollweber. Mater. Sci. Forum, 389-393, 67 (2002)
  • E. Sanchez, A. Kopec, S. Poplawski, R. Ware, S. Holmes, S. Wang, A. Timmerman. Mater. Sci. Forum, 389-393, 71 (2002)
  • D. Hofmann, E. Schmitt, M. Bickermann, M. Kolbl, P.J. Wellmann, A. Winnacker. Mater. Sci. Eng. B, 61-62, 48 (1999)
  • D. Siche, H.-J. Rost, J. Doerschel, D. Schulz, J. Wollweber. J. Cryst. Growth, 237-239, pt. 2, 1187 (2002)
  • N. Ohtani, M. Katsuno, H. Tsuge, T. Fujimoto, M. Nakabayashi, H. Yashiro, M. Sawamura, T. Aigo, T. Hoshino. J. Cryst. Growth, 286, 55 (2006)
  • R.A. Stein, P. Lanig. J. Cryst. Growth, 131, 71 (1993)
  • R. Madar, E. Pernot, M. Anikin, M. Pons. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 13 009 (2002)
  • E.Y. Tupitsyn, A. Arulchakkaravarthi, R.V. Drachev, T.S. Sudarshan. J. Cryst. Growth, 299, 70 (2007)
  • M. Kanaya, J. Takahashi, Yu. Fujiwara, A. Moritani. Appl. Phys. Lett., 58, 56 (1991)
  • R. Yakimova, M. Syvajarvi, T. Iakimov, H. Jacobson, R. Raback, A. Vehanen, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 217, 255 (2000)
  • Yu. M. Tairov, V.F. Tsvetkov. Progress in Cryst. Growth and Characterization of Mater., 7, 111 (1983)
  • A. Fissel. J. Cryst. Growth, 212, 438 (2000)
  • E. Schmitt, T. Straubinger, M. Rasp, M. Vogel, A. Wohlfart. J. Cryst. Growth, 310, 966 (2008)
  • N. Ohtani, M. Katsuno, M. Nakabayashi, T. Fujimoto, H. Tsuge, H. Yashiro, T. Aigo, H. Hirano, T. Hoshino, K. Tatsumi. J. Cryst. Growth, 311, 1475 (2009)
  • R. Yakimova, M. Syvajarvi, E. Janzen. Mater. Sci. Forum, 264-268, 159 (1998)
  • H. Matsunami, T. Kimoto. Mater. Sci. Eng. R, 20, 125 (1997)
  • Ch. Liu Ch. Liu, X. Chen, T. Peng, B. Wang, W. Wang, G. Wang. J. Cryst. Growth, 394, 126 (2014)
  • M. Camarda, A. La Magna, A. Severino, F. La Via. Thin Sol. Films, 518, S159 (2010)
  • S. Nie, C. D. Lee, R.M. Feenstra, Y. Ke, R.P. Devaty, W.J. Choyke, C.K. Inoki, T.S. Kuan, G. Gu. Surf. Sci., 602, 2936 (2008)
  • T. Kimoto, A. Itoh, H. Matsunami, T. Okano. J. Appl. Phys., 81, 3494 (1997)
  • S. Nakamura, T. Kimoto, H. Matsunami. J. Cryst. Growth, 256, 341 (2003)
  • T. Kimoto, A. Itoh, H. Matsunami. Appl. Phys. Lett., 66, 3645 (1995)
  • G. Ehrlich, F.G. Hudda. J. Chem. Phys., 44, 1039 (1966)
  • R. L. Schwoebel, E.J. Shipsey. J. Appl. Phys., 37, 3682 (1966)
  • V. Borovikov, A. Zangwill. Phys. Rev. B, 79, 245 413 (2009)
  • N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, M. Nakabayashi, H. Tsuge, H. Yashiro, T. Aigo, H. Hirano, T. Hoshino, W. Ohashi. Jpn. J. Appl. Phys., 48, 065 503 (2009)
  • T. Kimoto, A. Itoh, H. Matsunami, T. Okano. J. Appl. Phys., 81, 3494 (1997)
  • N. Ohtani, M. Katsuno, J. Takahashi, H. Yashiro, M. Kanaya. Phys.Rev. B, 59, 4592 (1999)
  • V. Papaioannou, J. Stoemenos, L. Di Cioccio, D. David, C. Pudda. J. Cryst. Growth, 194, 342 (1998)
  • S. Tanaka, R.S. Kern, R.F. Davis, J.F. Wendelken, J. Xu. Surf. Sci., 350, 247 (1996)
  • P.J. Stout. J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 3314 (1998)
  • S. Lin, Z. Chen, X. Feng, Y. Yang, L. Li, Z. Wang, P. Pan, J. Wan, H. Wang, Y. Ba, Y. Ma, Q. Li. Diamond Relat. Mater., 20, 516 (2011)
  • J. Chen J. Chen, S.C. Lien, Y.C. Shin, Zh.Ch. Feng, C.H. Kuan, J.H. Zhao, J.H. Zhao, W.J. Lu. Mater. Sci. Forum, 600-603, 39 (2009)
  • D.J. Larkin, P.G. Neudeck, J.A. Powell, L.G. Matus. Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 51 (1994)
  • G.J. Tennenhouse, J.A. Mangels. J. Mater. Sci. Lett., 1, 282 (1982)
  • D. Schulz, M. Lechner, H.-J. Rost, D. Siche, J. Wollweber. Mater. Sci. Forum, 433-436, 17 (2003)
  • H.-J. Rost, J. Doerschel, K. Irmscher, D. Schulz, D. Siche. J. Cryst. Growth, 257, 75 (2003)
  • H.-J. Rost, J. Doerschel, K. Irmscher, M. Rossberg, D. Schulz, D. Siche. J. Cryst. Growth, 275, e451 (2005)
  • В.А. Карачинов. Автореф. канд. дис. (Л., ЛЭТИ, 1985)
  • H. Vakhner, Y.M. Tairov. Phys. Solid State, 11, 1972 (1969)
  • Yu.M. Tairov, I.I. Khlebnikov, V.F. Tsvetkov. Phys. Status Solidi A, 25, Iss. 1, 349 (1974)
  • K. Racka, E. Tymicki, K. Grasza, R. Jakie a, M. Pisarek, B. Surma, A. Avdonin, P. Skupinski, J. Krupka. J. Cryst. Growth, 401, 677 (2014)
  • S.G. Muller, R. Eckstein, D. Hofmann, E. Schmitt, W. Schoierer, A.Winnacker, W. Dorsch, H.P. Strunk. Mater. Sci. Eng. B, 44, 392 (1997)
  • C. Basceri, I. Khlebnikov, Y. Khlebnikov, P. Muzykov, M. Sharma, G. Stratiy, M. Silan, C. Balkas. Mater. Sci. Forum, 527-529, 39 (2006)
  • D.D. Avrov, S.I. Dorozhkin, A.O. Lebedev, Yu.M. Tairov. Semiconductors, 41, 1389 (2007)
  • N. Shulze, D. Barrett, M. Weidner, G. Pensl. Mater. Sci. Forum, 338-342, 111 (2000)
  • T. Nishiguchi, T. Shimizu, M. Sasaki, S. Nishino. Mater. Sci. Forum, 353-356, 69 (2001)
  • Sh. Lin, Z. Chen, B. Liu, L. Li, X. Feng. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 21, 326 (2010)
  • A.O. Lebedev, D.D. Avrov, A.V. Bulatov, S.I. Dorozhkin, Yu.M. Tairov, A.Yu. Fadeev. J. Cryst. Growth, 318, 394 (2011)
  • X. Li, S. Jiang, X. Hu, J. Dong, J. Li, X. Chen, L. Wang, X. Xu, M. Jiang. Mater. Sci. Forum, 527-529, 95 (2006)
  • E.E. Eshun, M.G. Spencer, J.Griffin, P. Zhou, G.L. Harris. Mater. Sci. Eng. B, 98, 65 (2003)
  • A.A. Lebedev. Semicond.Sci.Technol., 21, R17 (2006)
  • K. Grasza, E. Tymicki. Mater. Sci. Forum, 600-603,31 (2007)
  • X.-B. Li, E.-W. Shi, Z.-Z. Chen, B. Xiao. Diamond Relat. Mater., 16, 654 (2007)
  • Г.С. Олейник, Н.В. Даниленко. Успехи химии, 66, 615 (1997)
  • F.C. Frank. Phil. Mag., 42, 1014 (1951)
  • Ю.О. Пунин, А.Г. Штукенберг. Автодеформационные дефекты кристаллов (СПб., Изд-во СПбГУ, 2008)
  • A. Lebedev, Yu. Tairov. J. Cryst. Growth, 401, 392 (2014)
  • K. Dornberger-Schiff. Lehrgang uber OD-Strukturen (Berlin, 1966)
  • Ж. Фридель. Дислокации (М.: Мир, 1967)
  • M.H. Hong, A.V. Samant, P. Pirouz. Phil. Mag. A, 80, 919 (2000)
  • G. Feng, J. Suda, T. Kimoto. Physica B, 404, 4745 (2009)
  • S. Nakashima, H. Harima. Phys. Status Solidi A, 162, 39 (1997)
  • S. Lin, Z. Chen, Y. Ba, M. Yang, L. Li. Mater. Lett., 81, 27 (2012)
  • Y. Zhang, H. Chen, G. Choi, B. Raghothamachar, M. Dudley, J.H. Edgar et al. J. Electron.Mater., 39, 799 (2010).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.