В рамках теории функционала электронной плотности определена локализация переходов в объеме зоны Бриллюэна, формирующих основные структуры в спектрах мнимой части диэлектрической функции до ~7 эВ полупроводников группы III-V (AlSb, GaSb, InSb и InAs). Выявлено, что интенсивные переходы происходят не только в окрестности осей высокой симметрии зоны Бриллюэна, но и в нескольких конкретных больших объемах неприводимой части зоны Бриллюэна.
O. Ueda, S.J. Pearton. Materials and reliability handbook for semiconductor optical and electron devices (New York, Springer, 2013); Ch. Liu, Y. Li, Y. Zeng. Engineering, 2, 617 (2010)
Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения типа A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=-), под ред. Р. Уиллардсона, А. Бира (М., Мир, 1970)
В.В. Соболев. Оптические фундаментальные спектры соединений A^3B-=SUP=-5-=/SUP=- (Кишинев, Штиинца, 1979)
P. Yu, M. Cardona. Fundamentals of semiconductors (Berlin, Springer, 2005)
В.В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. Т. I. Введение в теорию (Москва--Ижевск, Изд-во Ин-та компьютерных исследований, 2012)
В.В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. Т. II. Моделирование интегральных спектров элементарными полосами (Москва--Ижевск, Изд-во Ин-та компьютерных исследований, 2012)
В.В. Соболев, В.В. Немошкаленко. Электронная структура твердых тел в области фундаментального края поглощения. Т. I. Введение в теорию. (Киев, Наукова думка, 1992)
F.H. Pollak, C.W. Higginbotham, M. Cardona. Proc. Int. Conf. Phys. Semicond. (Kyoto, Japan, 1966) v. 21, p. 20
C.W. Higginbotham, F.H. Pollak, M. Cardona. Proc. 9 Int. Conf. Phys. Semicond. (Moscow, 1968) v. 11, p. 57
R.N. Cahn, M. Cohen. Phys. Rev. B, 1, 2569 (1970)
V.C. De Alvarez, J.P. Walter, R.W. Boyd, M.L. Cohen. J. Phys. Chem. Solids, 34, 337 (1973)
I. Topol, H. Neumann, E. Hess. Czech. J. Phys. B, 24, 107 (1974)
J.R. Chelikowsky, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 14, 556 (1976)
M. Alouani, L. Brey, N.E. Christensen. Phys. Rev. B, 37, 1167 (1988)
M.-Zh. Huang, W.Y. Ching. Phys. Rev. B, 47, 9449 (1993)
R. Asahi, W. Mannstadt, A.J. Freeman. Phys. Rev. B, 59, 7486 (1999)
S.H. Rhim, M. Kim, A.J. Freeman, R. Asahi. Phys. Rev. B, 71, 045 202 (2005)
A.H. Reshak. Eur. Phys. J. B, 47, 503 (2005)
Zh. Feng, H. Hu, Sh. Cui, W. Wang, C. Lu. Cent. Eur. J. Phys., 7, 786 (2009)
N.N. Anua, R. Ahmed, A. Shaari, M.A. Saeed, B.U. Haq, S. Goumri-Said. Semicond. Sci. Technol., 28, 105 015 (2013)
M.I. Ziane, Z. Bensaad, B. Labdelli, H. Bennacer. Sensors \& Transducers, 27, 374 (2014)
Y. Wang, H. Yin, R. Cao, F. Zahid, Y. Zhu, L. Liu, J. Wang, H. Guo. Phys. Rev. B, 87, 235 203 (2013)
B.D. Malone, M.L. Cohen. J. Phys.: Condens. Matter, 25, 105 503 (2013)
S. Zollner, Ch. Lin, E. Schonherr, A. Bohringer, M. Cardona. J. Appl. Phys., 66, 383 (1989)
S. Zollner, M. Garriga, J. Humlcek, S. Gopalan, M. Cardona. Phys. Rev. B, 43, 4349 (1991)
S. Logothetidis, L. Vina, M. Cardona. Phys. Rev. B, 31, 947 (1985)
T.J. Kim, J.J. Yoon, S.Y. Hwang, Y.W. Jung, T.H. Chong, Y.D. Kim, H. Kim, Y.-Ch. Chang. Appl. Phys. Lett., 97, 171 912 (2010)
Springer Handbook of Condensed Matter and Materials Data, ed. by W. Martienssen, H. Warlimont (Berlin, Springer, 2005)
А.В. Бакулин, С.Е. Кулькова. Изв. вузов. Физика, 57, 122 (2014)
P. Blaha, K. Schwarz, G.K.H. Madsen, D. Kvasnicka, J. Luitz. WIEN2K (Techn. Univ. Wien, Austria, 2001) ISBN 3-9501030-1-2
J.P. Perdew, S. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett., 77, 3865 (1996)
P.E. Blochl, O. Jepsen, O.K. Andersen. Phys. Rev. B, 49, 16223 (1994)
R. Markowski, M. Podgorny. J. Phys.: Condens. Matter, 3, 9041 (1991).