Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности механизмов проводимости сильно легированного и компенсированного полупроводника V_1-xTi_xFeSb

Ромака В.А.^1,2, Rogl P.³, Ромака В.В.², Kaczorowski D.⁴, Стаднык Ю.В., Крайовский В.Я.², Горынь А.М.

¹Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина Ya. Pidstryhach Institute for Applied Problems of Mechanics and Mathematics, National Academy of Sciences of Ukraine, Lviv, Ukraine

Ya. Pidstryhach Institute for Applied Problems of Mechanics and Mathematics, National Academy of Sciences of Ukraine, Lviv, Ukraine

²Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine

³Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия Institut für Physikalische Chemie, Universität Wien, Wien, Austria

⁴Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша Institute of Low Temperature and Structure Research, Academy of Sciences, Wroclaw, Poland

Institute of Low Temperature and Structure Research, Academy of Sciences, Wroclaw, Poland

Поступила в редакцию: 20 июля 2015 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические и кинетические характеристики полупроводника n-VFeSb, сильно легированного акцепторной примесью Ti, в диапазонах: T=4.2-400 K, N^Ti_A~9.5·10¹⁹-3.6·10²¹ см^-3 (x=0.005-0.20). Установлен сложный механизм генерирования структурных дефектов акцепторной и донорной природы. Показано, что наличие вакансий в позиции атомов Sb в n-VFeSb порождает структурные дефекты донорной природы ("априорное легирование"). Введение в VFeSb примеси Ti путем замещения V одновременно приводит к генерированию структурных дефектов акцепторной природы, уменьшению и ликвидации дефектов донорной природы на участке концентраций 0≤ x≤0.03 при занятии атомами Sb вакансий, генерированию дефектов донорной природы в результате появления и увеличения числа вакансий. Полученный результат лежит в основе технологии получения новых термоэлектрических материалов на основе n-VFeSb. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса.

V.V. Romaka, L. Romaka, Yu. Stadnyk, V. Gvozdetskii, R. Gladyshevskii, N. Skryabina, N. Melnychenko, V. Hlukhyy, T. Fessler. Eur. J. Inorg. Chem., 2588 (2012)
D.P. Young, P. Khalifah, R.J. Cava, A.P. Ramirez. J. Appl. Phys., 87, 317 (2000)
Yu. Stadnyk, A. Horyn, V. Sechovsky, L. Romaka, Ya. Mudryk, J. Tobola, T. Stopa, S. Kaprzyk, A. Kolomiets. J. Alloys Comp., 402, 30 (2005)
Yu. Stadnyk, L. Romaka, Yu. Gorelenko, A. Tkachuk, J. Pierre. Int. Conf. on Thermoelectrics (Proceed. 8-11 June, 2001, Beijing, China) p. 251
K. Kaczmarska, J. Pierre, J. Beille, J. Tobola, R.V. Skolozdra, G.A. Melnik. J. Magn. Magn. Mater., 187, 210 (1998)
R. Ferro, A. Saccone. Intermetallic Chemistry (Amsterdam, Elsevier, 2008)
Minmin Zou, Jing-Feng Li, Takuji Kita. J. Solid State Chem., 198, 125 (2013)
Chenguang Fu, Hanhui Xie, Yintu Liu, T.J. Zhu, Jian Xie, X.B. Zhao. Intermetallics, 32, 39 (2013)
T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal. Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7, 378--381 (2001)
M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy. Phys. Rev. B, 52, 188 (1995)
V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams. Calculated electronic properties of metals (N.Y., Pergamon Press, 1978)
В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык. Интерметаллические полупроводники; свойства и применения (Львов, Львовская политехника, 2011)
N.F. Mott. Metal-insulator transitions (London-Bristol, Taylor \& Francis, 1990)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61, 816 (1971)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)
D. Fruchart, V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, L.P. Romaka, Yu.K. Gorelenko, M.G. Shelyapina, V.F. Chekurin. J. Alloys Comp., 438, 8 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель