"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследования глубоких уровней GaAs p-i-n-структур
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 16-08-00954-а
Соболев М.М.1, Солдатенков Ф.Ю.1,2, Козлов В.А.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО Силовые полупроводники", Санкт-Петербург, Россия
3ЗАО НПО ФИД--Технология", Санкт-Петербург, Россия
Email: m.sobolev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований вольт-фарадных характеристик, спектров нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) p+-p0-i-n0-структур на основе нелегированного GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии при двух температурах начала кристаллизации 950 и 850oC, без света и при оптической подсветке. Показано, что для эпитаксиальных p0-, i- и n0-слоев структур характерно наличие дефектов с глубокими уровнями донорного и акцепторного типа с концентрациями, сравнимыми с концентрациями мелких доноров и акцепторов. Обнаружено наличие интерфейсных состояний, которые проявляются для вольт-фарадных характеристик при различных температурах измерения и оптической подсветке и являются аддитивной постоянной. Выявлена сильная температурная зависимость стационарной емкости структур. Обнаружено, что инжекция неосновных носителей заряда при приложенном положительном импульсе заполнения и оптическая перезарядка приводят к модификации структуры и соответственно DLTS-спектров p+-p0-i-n0-структур. Выявлено, что для p+-p0-i-n0-структур GaAs, выращенных при Tb=850oC, отсутствуют интерфейсные состояния и перезарядка глубоких ловушек акцепторного типа при оптической подсветке не приводит к изменению вольт-фарадных характеристик. В DLTS-спектрах, измеренных обычным способом, обнаружено наличие двух дырочных ловушек: HL5 и HL2, характерных для слоев GaAs.
  • N. Kimato, J.A. Cooper. Fundamentals of Silicon Carbide Technology, Growth, Characterization, Devices and Applications (Singapore, Wiley, 2014)
  • I.V. Grekhov, P.A. Ivanov, D.V. Khristyuk, A.O. Konstantinov, S.V. Korotkov, T.P. Samsonova. Sol. St. Electron., 47, 1769 (2003)
  • П.А. Иванов, И.В. Грехов. ФТП, 46 (4), 544 (2012)
  • Ж.И. Алферов, В.И. Корольков, В.Г. Никитин, М.Н. Степанова, Д.Н. Третьяков. Письма ЖТФ, 2 (2), 201 (1976)
  • Ф.Ю. Солдатенков, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков. ФТП, 41 (2), 217 (2007)
  • В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 43 (8), 1093 (2009)
  • В.Е. Войтович, А.И. Гордеев, А.Н. Думаневич. Силовая электроника, 2, 16 (2010)
  • В.Е. Войтович, А.И. Гордеев, А.Н. Думаневич. Силовая электроника, 5, 4 (2010)
  • В.И. Брылевский, А.В. Рожков, И.А. Смирнова, П.Б. Родин, И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 41 (7), 1 (2015)
  • М.М. Соболев, П.Р. Брунков, С.Г. Конников, М.Н. Степанова, В.Г. Никитин, В.П. Улин, А.Ш. Долбая, Т.Д. Камушадзе, Р. Майсурадзе. ФТП, 25 (6), 1058 (1989)
  • П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25 (1), 338 (1991)
  • D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45 (7), 3023 (1974)
  • G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13 (22), 666 (1977)
  • E.R. Weber, H. Ennen, U. Kaufmann, J. Windscheif, J. Schneider, T. Wosinski. J. Appl.Phys., 53 (9), 6140 (1982)
  • K. Krambrock, J.-M. Spaeth, C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 45 (3), 1481 (1992)
  • J. Lagowski, D.G. Lin, T.-P. Chen, M. Skowronski, H.C. Gatos. Appl. Phys. Lett., 47 (9), 929 (1985)
  • E.S. Yang. J. Appl. Phys., 45 (9), 3801 (1974)
  • J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-14 (2), 63 (1967)
  • М.М. Соболев, А.В. Гитцович, М.И. Папенцев, И.В. Кочнев, Б.С. Явич. ФТП, 26 ,(10), 1760 (1992)
  • Д.В. Давыдов, А.Л. Закгейм, Ф.М. Снегов, М.М. Соболев, А.Е. Черняков, А.С. Усиков, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 33 (4), 11 (2007)
  • М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 33 (2), 184 (1999)
  • M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, Yu.G. Musikhin. J. Electron. Mater., 28, 491 (1999)
  • S.K. Brierley. J. Appl. Phys., 61 (2), 567 (1987)
  • E. Meijer, L.A. Ledebo, Z.-G. Wang. Sol. St. Commun., 46, 255 (1983)
  • X.D. Chen, Y. Huang, S. Fung, C.D. Beling, C.C. Ling, J.K. Sheu, M.L. Lee, G.C. Chi, S.J. Chang. Appl. Phys. Lett., 82, 3671 (2003)
  • S. Loualiche, A. Nouailhat, G. Guillto, M. Gavand, A. Lauger. J. Appl. Phys., 53 (12), 8691 (1982)
  • D. Stievenard, J.C. Bourgoin, D. Pons. Physica B + C, 116B, 394 (1983)
  • D.V. Lang. Inst. Phys. Conf. Ser., 31 (1), 70 (1977).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.