Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние инжекционной способности анодного эмиттера на характеристики комбинированных СИТ-МОП транзисторов
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 13-07-00943
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: semlab@yandex.ru
Поступила в редакцию: 10 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.
C помощью двумерного численного моделирования изучена возможность оптимизации высоковольтных комбинированных СИТ-МОП транзисторов (КСМТ) путем локального уменьшения времени жизни вблизи анодного эмиттера и(или) снижения его инжекционной способности тремя различными способами. Показано, что с физической точки зрения все четыре способа оптимизации эквивалентны и позволяют уменьшить энергию потерь в КСМТ при выключении Eoff на 30-40%, как и в биполярных транзисторах с изолированным затвором (БТИЗ). Однако при прочих равных условиях энергия Eoff в КСМТ оказалась на 15-35% меньше, чем в эквивалентных БТИЗ траншейной конструкции.
- V.K. Khana. The Insulated gate bipolar transistor (IGBT): theory and design (Wiley-Intersci. Publ., 2003)
- B.J. Baliga. Fundamentals of Power Semiconductor Devices (N. Y., Springer Science, 2008)
- H. Takahashi et al. Proc. 8th Int. Symp. on Power Semiconductor Devices and ICs (USA, Maui Hawaii, 1996) p. 349
- О.И. Бономорский, П.А. Воронин. Патент РФ на изобретение N 2199795. Бюллетень "Изобретения и полезные модели". Бюл. N 6, 27.02.2003
- О. Бономорский, П. Воронин, В. Куканов, Н. Щепкин. Компоненты и технологии: Силовая электроника, N 1, 18 (2004)
- О. Бономорский, П. Воронин, В. Куканов, Н. Щепкин. Компоненты и технологии: Силовая электроника, N 8, 68 (2004)
- О.И. Бономорский, А.С. Кюрегян, А.В. Горбатюк, Б.В. Иванов. Электротехника, N 2, 51 (2015) [O.I. Bonomorskii, A.S. Kyuregyan, A.V. Gorbatyuk, B.V. Ivanov. Russian Electrical Engin., 86, 93 (2015)]
- А.С. Кюрегян, А.В. Горбатюк, Б.В. Иванов. Электротехника, 2016, в печати
- K. Cheng, F. Udrea, G.A.J. Amaratunga. Sol. St. Electron., 44, 1573 (2000)
- A.R. Hefner, D.L. Blackburn. IEEE Trans. Power Electron., PE-2, 194 (1987)
- X. Yuan, F. Udrea, L. Coulbeck et al. Sol. St. Electron., 46, 75 (2002)
- D.W. Green, K.V. Vershinin, M. Sweet, E.M.S. Narayanan. IEEE Trans. Power Electron., 22, 1857 (2007)
- А.В. Горбатюк, И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 34, 61 (2008)
- Synopsys Dev. Simulation. TCAD Sentaurus Manual // http:www.synopsys.com
- G. Masetti, M. Severi, S. Solmi. IEEE Trans. Electron Dev., ED-30, 764 (1983)
- D.B.M. Klaassen, J.W. Slotboom, H.C. de Graaff. Sol. St. Electron., 35, 125 (1992)
- W. Feiler, W. Gerlach, U. Wiese. Sol. St. Electron., 38, 1781 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
