Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Гетеропереходные низкобарьерные GаAs-диоды с улучшенной обратной вольт-амперной характеристикой

Юнусов И.В., Кагадей В.А.¹, Фазлеева А.Ю.¹, Арыков В.С.¹

¹АО "Научно-производственная фирма Микран", Томск, Россия

Поступила в редакцию: 9 февраля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложена и реализована конструкция полупроводниковой эпитаксиальной гетероструктуры низкобарьерного диода, позволяющая существенно снизить плотность обратного тока диода без ухудшения его остальных важнейших параметров. Улучшение параметров обратной ветви вольт-амперной характеристики достигнуто за счет введения в гомоструктуру гетеропереходов, что позволило сформировать близкий к оптимальному потенциальный рельеф в объеме полупроводника. Приведены результаты теоретических расчетов с использованием TCAD Synopsys, а также сравнительные экспериментальные вольт-амперные характеристики диодов, изготовленных на основе гомо- и гетероструктур. Существенное снижение обратного тока показано на примере диодов с высотой барьера 0.2 и 0.17 В.

I. Dale, A. Condie, S. Neylon, M.J. Kearney. IEEE MTT-S Digest, 467 (1989)
Z. Hu, V.T. Vo, A.A. Rezazadeh. IEEE Microwave and Wireless Components Lett., 15 (3), 150 (2005)
M.P. Zurakowski. US Patent N 4, 839, 709 (1989)
A.S. Zagorodny, N.N. Voronin, I.V. Yunusov, V.A. Gushchin. Proc. 15th Int. Conf. of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM) (2014) p. 164
S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (New Jersey, Wiley, 2007)
И.В. Юнусов, А.М. Ющенко, А.Ю. Плотникова, В.С. Арыков, А.С. Загородний. Изв. вузов. Физика, N 9/2, 294 (2012)
И.В. Юнусов, В.С. Арыков, А.М. Ющенко, А.Ю. Плотникова. Патент РФ N 2561779 (2015)
Д. Радченко, К. Сбитнев, Н. Малеев. Производство электроники: технология, оборудование, материалы, N 7-8, 57 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель