"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование низкорезистивного Cu3Ge cоединения при низкотемпературной обработке в потоке атомарного водорода
Министерство образования и науки Российской Федераци, ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2010 годы", 14.577.21.0204 от 27.10.15
Ерофеев Е.В.1, Казимиров А.И.1, Федин И.В.1, Кагадей В.А.2
1Научно-исследовательский институт систем электрической связи Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
2АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
Email: erofeev@micran.ru
Поступила в редакцию: 18 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Исследованы закономерности формирования низкорезистивного Cu3Ge соединения при низкотемпературной обработке в потоке атомарного водорода двухслойной системы Cu/Ge, осаждeнной на подложку i-GaAs. Обработка системы Cu/Ge/i-GaAs с толщиной слоeв 122 и 78 нм соответственно в атомарном водороде с плотностью потока 1015 aт·см2·с-1 в течение 2.5-10 мин при комнатной температуре приводит к взаимодиффузии Cu и Ge и формированию поликристаллической плeнки, содержащей стехиометрическую фазу Cu3Ge. Плeнка состоит из вертикально ориентированных зерен размером 100-150 нм и имеет минимальное удельное сопротивление 4.5 мкОм·см. Варьирование времени обработки образцов Cu/Ge/i-GaAs в атомарном водороде влияет на профили распределения Cu и Ge, фазовый состав пленок, а также на величину их удельного сопротивления. Экспериментально наблюдаемый синтез Cu3Ge соединения, реализующийся при комнатной температуре, свидетельствует о стимулирующем характере воздействия обработки в атомарном водороде как на диффузию Cu и Ge, так и на химическую реакцию образования соединения Cu3Ge. Активация данных процессов может быть обусловлена энергией, выделяющейся при рекомбинации атомов водорода, адсорбированных на поверхности образца Cu/Ge/i-GaAs.
  • Ю.И. Тюрин, И.П. Чернов. Аккумулирующие свойства водорода в твердом теле (М., Энергоатомиздат, 2000)
  • Водород в металлах, под ред. Г. Алефельда, И. Фелькеля. (М., Мир, 1978) т. 1
  • B.A. Эльтеков. Bзаимодействие атомных частиц с твeрдым телом. Компьютерное моделирование (М., изд-во Моск. ун-та, 1976)
  • S.J. Pearton, A.Y. Polyakov. Chem. Vapor Deposition, 16, 266 (2010)
  • C.H. Seager, S.M. Mayers, A.F. Wright, D.D. Koleske, A.A. Allerman. J. Appl. Phys., 92 (12), 7246 (2002)
  • S.M. Mayers, A.F. Wright, G.A. Petersen, C.H. Seager, W.R. Wampler, M.H. Crawford, J. Han. J. Appl. Phys., 88 (8), 4676 (2000)
  • A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, K.H. Baik, S.J. Pearton, B. Luo, F. Ren, J.M. Zavada. J. Appl. Phys., 94 (6), 3960 (2003)
  • B.A. Лавренко. Рекомбинация атомов водорода на поверхности твердых тел (Киев, Наук. думка, 1973)
  • Е.Л. Жавжаров, Г.А. Бялик, В.М. Матюшин. Письма в ЖТФ,  33 (13), 64 (2007). 
  • B.M. Матюшин. ФТП, 35 (3), 301 (2001)
  • B.M. Матюшин. ЖTФ, 69 (7), 73 (1999)
  • A.I. Kazimirov, E.V. Erofeev, V.A. Kagadei. Proc. SPIE, 8700, 870005-1 (2013)
  • M.O. Aboelfotoh, M.J. Bradu. L. Krusin-Elbaum. United States Patent 5288456
  • V.A. Kagadei, D.I. Proskurovsky. United States Patent 6765216
  • M.O. Aboelfotoh, S. Oktyabrsky, J. Narayan. J. Mater. Res.,  12 (9), 2325 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.