Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 9 » Статья стр. 1283
<<<
Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs
Середин П.В.1, Голощапов Д.А.1, Леньшин А.С.1, Лукин А.Н.1, Федюкин А.В.1, Арсентьев И.Н.2, Бондарев А.Д.2, Лубянский Я.В.2, Тарасов И.С.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.
PDF версия
Методами структурного анализа, атомно-силовой микроскопии, инфракрасной и видимой-ультрафиолетовой спектроскопии были исследованы свойства наноструктурированных пленок нитрида алюминия, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs с различной ориентацией. Пленки нитрида алюминия могут иметь показатель преломления в диапазоне 1.6-4.0 для области длин волн ~250 нм и оптическую ширину запрещенной зоны ~5 эВ. Показано, что управление морфологией, составом поверхности и оптическими функциональными характеристиками гетерофазных систем AlN/GaAs может быть достигнуто за счет использования разориентированных подложек GaAs.
  1. N.A. Bert, A.D. Bondarev, V.V. Zolotarev, D.A. Kirilenko, Y.V. Lubyanskiy, A.V. Lyutetskiy, S.O. Slipchenko, A.N. Petrunov, N.A. Pikhtin, K.R. Ayusheva, I.N. Arsentyev, I.S. Tarasov. Semiconductors, 49, 1383 (2015)
  2. Kim Jae-keun, Jeong Sang-hun. J. Korean Phys. Soc., 38, 19 (2001)
  3. R. Bathe, R.D. Vispute, D. Habersat, R.P. Sharma, T. Venkatesan, C.J. Scozzie, M. Ervin, B.R. Geil, A.J. Lelis, S.J. Dikshit, R. Bhattacharya. Thin Sol. Films, 398--399, 575 (2001)
  4. Ho Chao-Jen, Shing Tai-Kang, Li Pin-Chou. Tamkang J. Sci. Eng., 7, 1 (2004)
  5. S. Khan, M. Shahid, A. Mahmood, A. Shah, I. Ahmed, M. Mehmood, U. Aziz, Q. Raza, M. Alam. Prog. Nat. Sci. Mater. Int., 25, 282 (2015)
  6. C. Balasubramanian, S. Bellucci, G. Cinque, A. Marcelli, M.C. Guidi, M. Piccinini, A. Popov, A. Soldatov, P. Onorato. J. Phys. Condens. Matter, 18, S2095 (2006)
  7. J.X. Zhang, H. Cheng, Y.Z. Chen, A. Uddin, S. Yuan, S.J. Geng, S. Zhang. Surf. Coat. Technol., 198, 68 (2005)
  8. N. Kumari, A.K. Singh, P.K. Barhai. Int. J. Thin Films Sci. Technol., 3, 43 (2014)
  9. M. Garcia-Mendez, S. Morales-Rodriguez, D.H. Galvan, R. Machorro. Int. J. Mod. Phys. B, 23, 2233 (2009)
  10. S. Shanmugan, D. Mutharasu, P. Anithambigai, N. Teeba, I.A. Razak. J. Ceram. Process. Res., 14, 385 (2013)
  11. N. Matsunami, H. Kakiuchida, M. Sataka, S. Okayasu. Adv. Mater. Phys. Chem., 3, 101 (2013)
  12. H.-Y. Joo, H.J. Kim, S.J. Kim, S.Y. Kim. J. Vac. Sci. Technol. A., 17, 862 (1999)
  13. I.A. Mahdy, E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, O.B. Yatsenko. Opt. Laser Technol., 43, 20 (2011)
  14. P.V. Seredin, V.E. Ternovaya, A.V. Glotov, A.S. Len'shin, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, H. Leiste, T. Prutskij. Phys. Solid State, 55, 2161 (2013)
  15. J. Ross, M. Rubin, T.K. Gustafson. J. Mater. Res., 8, 2613 (1993)
  16. J. Prakash, G. Bose. In: Acoustic Waves --- From Microdevices to Helioseismology, ed. by M.G. Beghi (In Tech., 2011)
  17. C. Xiong, W.H.P. Pernice, X. Sun, C. Schuck, K.Y. Fong, H.X. Tang. New J. Phys., 14, 1 (2012)
  18. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013)
  19. P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45, 481 (2011)
  20. P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45, 1433 (2011)
  21. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, A.S. Lenshin, M.S. Smirnov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 46, 719 (2012)
  22. A.V. Ankudinov, V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, V.P. Ulin, A.N. Titkov. Semiconductors, 33, 555 (1999)
  23. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 405, 4607 (2010)
  24. P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 21 (2014)
  25. A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, P.V. Seredin, Y.M. Spivak, V.A. Moshnikov. Semiconductors, 45, 1183 (2011)
  26. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 405, 2694 (2010)
  27. A.S. Len'shin, V.M. Kashkarov, P.V. Seredin, B.L. Agapov, D.A. Minakov, V.N. Tsipenyuk, E.P. Domashevskaya. Tech. Phys., 59, 224 (2014)
  28. A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, P.V. Seredin, D.A. Minakov, B.L. Agapov, M.A. Kuznetsova, V.A. Moshnikov, E.P. Domashevskaya. Semiconductors, 46, 1079 (2012)
  29. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, I.A. Zhurbina. Semiconductors, 44, 184 (2010)
  30. P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, V.E. Ternovaya, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, T. Prutskij. Phys. Solid State, 55, 2169 (2013)
  31. J. Ibanez, S. Hernandez, E. Alarcon-Llado, R. Cusco, L. Artus, S.V. Novikov, C.T. Foxon, E. Calleja. J. Appl. Phys., 104, 033 544 (2008)
  32. A. Sanz-Hervas, E. Iborra, M. Clement, J. Sangrador, M. Aguilar. Diamond. Relat. Mater., 12, 1186 (2003)
  33. T. Prokofyeva, M. Seon, J. Vanbuskirk, M. Holtz, S.A. Nikishin, N.N. Faleev, H. Temkin, S. Zollner. Phys. Rev. B, 63, 125 313 (2001)
  34. Y.F. Lu, Z.M. Ren, T.C. Chong, B.A. Cheong, S.K. Chow, J.P. Wang. J. Appl. Phys., 87, 1540 (2000)
  35. K. Jagannadham, A.K. Sharma, Q. Wei, R. Kalyanraman, J. Narayan. J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 2804 (1998)
  36. A. Randolph. Thesis (Rochester Institute of Technology, 1996)
  37. J.M. Wagner. Structure and Lattice Dynamics of GaN and AlN: Ab-initio Investigations of Strained Polytypes and Superlattices (Berlin, 2004)
  38. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, A.N. Lukin, I.N. Arsentiev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 551 (2015)
  39. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.L. Goloshchapov, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Semiconductors, 49, 915 (2015)
  40. J. Tauc. Prog. Semicond (Heywood, London), 9, 87 (1965)
  41. A.B. Kuzmenko. Rev. Sci. Instrum., 76, 83 (2005)
  42. V. Lucarini, J.J. Saarinen, K.-E. Peiponen, E.M. Vartiainen. Kramers-Kronig relations in optical materials research (Springer, 2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme