"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
XX Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г. Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
Цырлин Г.Э.1,2, Штром И.В.1,2,3, Резник Р.Р.1,4, Самсоненко Ю.Б.1,2, Хребтов А.И.1, Буравлев А.Д.1,2,3, Сошников И.П.
1Санкт-Петербургский академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской акедемии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: cirlin@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Приведены данные по росту и исследованию свойств наноструктур типа "вставка GaAs, внедренная в AlGaAs нитевидный нанокристалл", выращенных на поверхности Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Показано, что, варьируя условия эпитаксиального роста, можно получать квантово-размерные структуры типа квантовой точки, излучающие в широком интервале длин волн как для активной, так и барьерной областей. Предлагаемая технология открывает новые возможности по интеграции прямозонных соединений АIIIВV и кремния.
  • В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 43 (12), 1585 (2009)
  • M. Tchernycheva, G.E. Cirlin, G. Patriarche, L. Travers, V. Zwiller, U. Perinetti, J.-C. Harmand. Nano Lett., 7, 1500 (2007)
  • Г.Э. Цырлин, M. Tchernycheva, G. Patriarche, J.-C. Harmand. ФТП, 46 (2), 184 (2012)
  • V.N. Kats, V.P. Kochereshko, A.V. Platonov, T.V. Chizhova, G.E. Cirlin, A.D. Bouravleuv, Yu.B. Samsonenko, I.P. Soshnikov, E.V. Ubyivovk, J. Bleuse, H. Mariette. Semicond. Sci. Technol., 27, 015009 (2012)
  • D. Barettin, A.V. Platonov, A. Pecchia, V.N. Kats, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.D. Bouravleuv, L. Besombes, H. Mariette, M.A. der Maur, A.D. Carlo. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 19 (5), 1901209 (2013)
  • V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, M. Tchernycheva, J.C. Harmand, V.M. Ustinov. Rhys. Rev. E, 77, 031606 (2008)
  • T.F. Kuech, D.J. Wolford, R. Potemski, J.A. Bradley, K.H. Kelleher, D. Yan, J.P. Farrell, P.M.S. Lesser, F.H. Pollak. Appl. Phys. Lett., 51, 505 (1987)
  • C. Chen, S. Shehata, C. Fradin, R. LaPierre, C. Couteau, G. Weihs. Nano Lett., 7, 2584 (2007)
  • S.K. Lim, M.J. Tambe, M.M. Brewster, S. Gradecak. Nano Lett. 8, 1386 (2008)
  • V.G. Dubrovskii, I.V. Shtrom, R.R. Reznik, Yu.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, S. Rouvimov, G.E. Cirlin. Направлено в Nanotechnology
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.