Вышедшие номера
Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSix
Министерство образования и науки Российской Федерации, проектная часть государственного задания, 8.1054.2014/K
Министерство образования и науки Российской Федерации, базовая часть государственного задания, 3423
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), научные исследования под руководством молодых учёных, 15-38-20642мол_а_вед
Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, грант Президента РФ для молодых кандидатов наук, МК-8221.2016.2
Ерофеева И.В.1, Дорохин М.В.1, Лесников В.П.1, Здоровейщев А.В.1, Кудрин А.В.1, Павлов Д.А.1, Усов Ю.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: irfeya@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Методом импульсного лазерного осаждения получены тонкие (25 нм) пленки Si1-xMnx на Si(100). По данным высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии, пленки представляют собой нанотекстурированный кристалл химически однородного состава. Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и термоэдс в интервале 300-500 K, рассчитана температурная зависимость коэффициента Зеебека и фактора мощности.
  1. Е.С. Демидов, Ю.А. Данилов, В.В. Подольский, В.П. Лесников, М.В. Сапожников, А.И. Сучков. Письма ЖЭТФ, 83 (12), 664 (2006)
  2. Е.С. Демидов, В.В. Подольский, В.П. Лесников, Е.Д. Павлова, А.И. Бобров, В.В. Карзанов, Н.В. Малехонова, А.А. Тронова. Письма ЖЭТФ, 100 (11), 818 (2014)
  3. С.В. Новиков. Автореф. канд. дис. (СПб., 2014)
  4. А.В. Шевельков. (Курс лекций. Химический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, 2010)
  5. М.В. Дорохин, Д.А. Павлов, А.И. Бобров, Ю.А. Данилов, П.Б. Демина, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, А.В. Кудрин, Н.В. Малехонова, Е.И. Малышева. ФТТ, 56 (10), 2062 (2014)
  6. A.F. Ioffe. Semiconductor thermoelements and thermoelectric cooling (Infosearch Ltd., London, 1957)
  7. Е.С. Демидов, Е.Д. Павлова, А.И. Бобров. Письма ЖЭТФ, 96 (11), 790 (2012)
  8. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (пер. с англ., 2-е перераб. и доп. изд. М., Мир, 1984) т. 1, с. 52
  9. А.Ф. Орлов, Л.А. Балагуров, И.В. Кулеманов, Ю.Н. Пархоменко, А.В. Картавых, В.В. Сарайкин, Ю.А. Агафонов, В.И. Зиненко. ФТП, 44 (1), 30 (2010)
  10. Y.H. Kwon, T.W. Kang, C.J. Park. Sol. St. Commun., 140, 14 (2006)
  11. В.К. Зайцев, С.В. Ордин, К.А. Рахимов, А.Э. Енгалычев. ФТТ, 23 (2), 621 (1981)
  12. А.А. Детлаф, Б.М. Яворский, Л.Б. Милковская. Курс физики. Т. 2. Электричество и магнетизм (М., Высш. шк., 1977) с. 376
  13. Ф.Ю. Соломкин, В.К. Зайцев, С.В. Новиков, А.Ю. Самунин, Д.А. Пшенай-Северин, Г.Н. Исаченко. ЖТФ, 84 (8), 106 (2014)
  14. Z.-G. Chen, G. Han, L. Yang. Progr. Nat. Sci.: Mater. Internat., 22 (6), 535 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.