Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

XX Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г. Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах

DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43880.52

Трухин В.Н.^1,2, Буравлев А.Д.³, Мустафин И.А.^1,2, Цырлин Г.Э.³, Курицын Д.И.⁴, Румянцев В.В.⁴, Морозов С.В.^3,5, Kakko J.P.⁶, Huhtio T.⁶, Lipsanen H.⁶

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

⁴Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

⁵Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

⁶Department of Micro- and Nanosciences, Micronova, Aalto University, Aalto, Finland Micronova/Department of Micro- and Nanosciences. Aalto University, Aalto, Finland

Micronova/Department of Micro- and Nanosciences. Aalto University, Aalto, Finland

Email: valera.truchin@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены экспериментальные результаты исследования генерации терагерцового излучения периодическими массивами полупроводниковых нитевидных нанокристаллов на основе GaAs при возбуждении сверхкороткими оптическими импульсами. Было обнаружено, что генерация ТГц излучения имеет резонансный характер вследствие резонансного возбуждения цилиндрических мод в нанокристалле и при оптимальных геометрических параметрах массива полупроводниковых нитевидных нанокристаллов эффективность ТГц генерации превышает аналогичную величину для объемного полупроводника p-InAs, который на данный момент является одним из наиболее эффективных когерентных терагерцовых эмиттеров.

V.N. Trukhin, A.D. Bouravleuv, I.A. Mustafin, J.P. Kakko, T. Huhtio, G.R. Cirlin, H. Lipsanen. Appl. Phys. Lett., 106, 252 104 (2015)
S. Hu, C.-Y. Chi, K.T. Fountaine, M. Yao, H.A. Atwater, P.D. Darkus, N.S. Lewis, C. Zhou. Energy Environ. Sci., 6, 1879 (2013)
V.N. Trukhin, A.V. Andrianov, A.V. Zinov`ev. Phys. Rev. B, 78, 155 325 (2008)
A. Arlauskas, A. Krotkus. Semicond. Sci. Technol., 27, 115 015 (2012)
R. Adomavicius, A. Urbanowicz, G. Molis, A. Krotkus, E. Satkovskis. Appl. Phys. Lett., 85, 2463 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель