"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
Штром И.В.1,2,3, Буравлев А.Д.1,2,3, Самсоненко Ю.Б.2,3,4, Хребтов А.И.2,4, Сошников И.П.1,2,3, Резник Р.Р.2,4,5, Цырлин Г.Э.2,3,4, Dhaka V.6, Perros A.6, Lipsanen H.6
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологии, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
6Aalto University, F Espoo, Finland
Email: igorstrohm@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Продемонстрировано, что молекулярное наслаивание тонких слоев AlN может быть использовано для пассивации поверхностных состояний GaAs нитевидных нанокристаллов, синтезированных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследование оптических свойств образцов методом низкотемпературной фотолюминесценции показало, что интенсивность сигнала фотолюминесценции может быть увеличена вплоть до 5 раз при пассивации нитевидных нанокристаллов слоем AlN с толщиной 25 Angstrem.
  • В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 1281 (1998)
  • Б.И. Бедный. СОЖ, 7, 114 (1998)
  • V. Dhaka, A. Perros, S. Naureen, N. Shahid, H. Jiang, J.-P. Kakko, T. Haggren, E. Kauppinen, A. Srinivasan, H. Lipsanen. AIP Advances, 6, 015 016 (2016)
  • P.A. Alekseev, M.S. Dunaevskiy, V.P. Ulin, T.V. Lvova, D.O. Filatov, A.V. Nezhdanov, A.I. Mashin, V.L. Berkovits. Nano Lett., 15, 63 (2015)
  • N. Tajik, C.M. Haapamaki, R.R. LaPierre. Nanotechnology, 23, 315 703 (2012)
  • M. Mattila, T. Hakkarainen, H. Lipsanen, H. Jiang, E.I. Kauppinen. Appl. Phys. Lett., 90, 033 101 (2007)
  • A.V. Senichev, V.G. Talalaev, I.V. Shtrom, H. Blumtritt, G.E. Cirlin, J. Schilling, Ch.P. Werner. ACS Photonics, 1 (11), 1099 (2014)
  • L.V. Titova, Th.B. Hoang, H.E. Jackson, L.M. Smith, J.M. Yarrison-Rice, H.J. Joyce, H.H. Tan, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett., 89, 173 126 (2006)
  • V. Dhaka, J. Oksanen, H. Jiang, T. Haggren, A. Nykanen, R. Sanatinia, J.-P. Kakko, T. Huhtio, M. Mattila, J. Ruokolainen, S. Anand, E. Kauppinen, H. Lipsanen. Nano Lett., 13, 3581 (2013)
  • G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Status Solidi RRL, 3, 112 (2009)
  • V. Novikov, S.Yu. Serov, N.G. Filosofov, I.V. Shtrom, V.G. Talalaev, O.F. Vyvenko, E.V. Ubyivovk, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii. Phys. Status Solidi RRL, 4, 175 (2010).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.