Продемонстрировано, что молекулярное наслаивание тонких слоев AlN может быть использовано для пассивации поверхностных состояний GaAs нитевидных нанокристаллов, синтезированных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследование оптических свойств образцов методом низкотемпературной фотолюминесценции показало, что интенсивность сигнала фотолюминесценции может быть увеличена вплоть до 5 раз при пассивации нитевидных нанокристаллов слоем AlN с толщиной 25 Angstrem.
В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 1281 (1998)
Б.И. Бедный. СОЖ, 7, 114 (1998)
V. Dhaka, A. Perros, S. Naureen, N. Shahid, H. Jiang, J.-P. Kakko, T. Haggren, E. Kauppinen, A. Srinivasan, H. Lipsanen. AIP Advances, 6, 015 016 (2016)
P.A. Alekseev, M.S. Dunaevskiy, V.P. Ulin, T.V. Lvova, D.O. Filatov, A.V. Nezhdanov, A.I. Mashin, V.L. Berkovits. Nano Lett., 15, 63 (2015)
N. Tajik, C.M. Haapamaki, R.R. LaPierre. Nanotechnology, 23, 315 703 (2012)
M. Mattila, T. Hakkarainen, H. Lipsanen, H. Jiang, E.I. Kauppinen. Appl. Phys. Lett., 90, 033 101 (2007)
A.V. Senichev, V.G. Talalaev, I.V. Shtrom, H. Blumtritt, G.E. Cirlin, J. Schilling, Ch.P. Werner. ACS Photonics, 1 (11), 1099 (2014)
L.V. Titova, Th.B. Hoang, H.E. Jackson, L.M. Smith, J.M. Yarrison-Rice, H.J. Joyce, H.H. Tan, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett., 89, 173 126 (2006)
V. Dhaka, J. Oksanen, H. Jiang, T. Haggren, A. Nykanen, R. Sanatinia, J.-P. Kakko, T. Huhtio, M. Mattila, J. Ruokolainen, S. Anand, E. Kauppinen, H. Lipsanen. Nano Lett., 13, 3581 (2013)
G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Status Solidi RRL, 3, 112 (2009)
V. Novikov, S.Yu. Serov, N.G. Filosofov, I.V. Shtrom, V.G. Talalaev, O.F. Vyvenko, E.V. Ubyivovk, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii. Phys. Status Solidi RRL, 4, 175 (2010).