Проведены исследования межзонной фотопроводимости и фотолюминесценции в узкозонных волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe, дизайн которых предназначен для получения длинноволнового стимулированного излучения в условиях оптической накачки. В структурах n-типа времена релаксации фотопроводимости достигают нескольких микросекунд, что позволяет наблюдать стимулированное излучение на длине волны 10.2 мкм с низкой пороговой интенсивностью накачки ~100 Вт/см2 при 20 K. В структурах p-типа, полученных отжигом для увеличения концентрации вакансий ртути, из-за резкого уменьшения времени жизни относительно безызлучательной рекомбинации Шокли-Рида-Холла не удается наблюдать даже спонтанное излучение из квантовых ям.
M.S. Vitiello, G. Scalari, B. Williams, P. De Natale. Opt. Express, 23 (4), 5167 (2015)
M. Bahriz, G. Lollia, A.N. Baranov, R. Teissier. Opt. Express, 23 (2), 1523 (2015)
Q.Y. Lu, S. Slivken, N. Bandyopadhyay, Y. Bai, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 105 (20), 201 102 (2014)
B.S. Williams. Nat. Photon., 1 (9), 517 (2007)
R. Colombelli, F. Capasso, C. Gmachl, A.L. Hutchinson, D.L. Sivco, A. Tredicucci, M.C. Wanke, A.M. Sergent, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 78 (18), 2620 (2001)
K. Ohtani, M. Beck. J. Faist. Appl. Phys. Lett. 105 (12), 121 115 (2014)
J. Ulrich, J. Kreuter, W. Schrenk, G. Strasser, K. Unterrainer. Appl. Phys. Lett., 80 (20), 3691 (2002)
K.V. Maremyanin, A.V. Ikonnikov, A.V. Antonov, V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov, L.S. Bovkun, K.R. Umbetalieva, E.G. Chizhevskiy, I.I. Zasavitskiy, V.I. Gavrilenko. Semiconductors, 49 (12), 1623 (2015)
L.N. Kurbatov, A.D. Britov, S.M. Karavaev, S.D. Sivachenko, S.N. Maksimovskii, I.I. Ovchinnikov, M.M. Rzaev, P.M. Starik. JETP Lett., 37 (9), 499 (1983)
V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, V.N. Ovsyuk, Y.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, M.V. Yakushev, A.L. Aseev. Proc. SPIE, 5136, 381 (2003)
S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Y. Sidorov, V. Shvets, S. Danilov, B. Wittman, S. Ganichev. J. Electron. Mater., 39 (7), 918 (2010)
S.V. Morozov, M.S. Joludev, A.V. Antonov, V.V. Rumyantsev, V.I. Gavrilenko, V.Y. Aleshkin, A.A. Dubinov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskiy, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm. Semiconductors, 46 (11), 1362 (2012)
S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 105 (2), 022 102 (2014)
S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, L.V. Krasilnikova, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 104 (7), 072 102 (2014)
S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.A. Dubinov, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, K.E. Kudryavtsev, D.I. Kuritsin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 107 (4), 042 105 (2015)
S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, A.V. Antonov, K.E. Kudryavtsev, D.I. Kuritsin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, F. Teppe, V.I. Gavrilenko. J. Phys.: Conf. Ser., 647, 012 008 (2015)
V.V. Rumyantsev, A.V. Ikonnikov, A.V. Antonov, S.V. Morozov, M.S. Zholudev, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov. Semiconductors, 47 (11), 1438 (2013)
V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov, A.V. Antonov, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, V.I. Gavrilenko, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov. Semicond. Sci. Technol., 28 (12), 125 007 (2013)
D.N. Talwar, M. Vandevyver. J. Appl. Phys., 56 (6), 1601 (1984)
A.A. Andronov, Y.N. Nozdrin, A.V. Okomel'kov, A.A. Babenko, V.S. Varavin, D.G. Ikusov, R.N. Smirnov. Semiconductors, 42 (2), 179 (2008)
A.A. Andronov, Y.N. Nozdrin, A.V. Okomel'kov, V.S. Varavin, R.N. Smirnov, D.G. Ikusov. Semiconductors, 40 (11), 1266 (2006)
J. Bleuse, J. Bonnet-Gamard, G. Mula, N. Magnea P. Jean-Louis. J. Cryst. Growth, 197 (3), 529 (1999)
J. Bonnet-Gamard, J. Bleuse, N. Magnea, J.L. Pautrat. J. Appl. Phys., 78 (12), 6908 (1995)
C. Roux, E. Hadji J.L. Pautrat. Appl. Phys. Lett., 75 (12), 1661 (1999)
J.M. Arias, M. Zandian, R. Zucca. J. Singh. Semicond. Sci. Technol., 8 (1S), S255 (1993)
J. Dimmock, I. Melngailis, A. Strauss. Phys. Rev. Lett., 16 (26), 1193 (1966)
И.И. Засавицкий. Тр. ФИАН. Оптические и электрические свойства полупроводников, 224, 3 (1993)
B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.C. Zhang. Science, 314 (5806), 1757 (2006)
Y. Jiang, M.C. Teich, W.I. Wang. J. Appl. Phys., 69 (10), 6869 (1991)
S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 108 (9), 092 104 (2016)
I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, K.D. Mynbaev, O.I. Fitsych, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, M. Pociask-Bialy, A.V. Voitsekhovskii, E. Sheregii. J. Appl. Phys., 115 (16), 163 501 (2014)
В.С. Варавин, Г.Ю. Сидоров Ю.Г. Сидоров. ЖФХ, 84 (9), 1605 (2010)
Д.В. Козлов, В.В. Румянцев, С.В. Морозов, А.М. Кадыков, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, F. Teppe. ФТП, 49 (12), 1654 (2015)
I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, H.V. Savytskyy, O.I. Fitsych, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, Y.G. Sidorov, K.D. Mynbaev. Opto-Electron. Rev., 20 (4), 375 (2012)
V. Ryzhii, M. Ryzhii, T. Otsuji. J. Appl. Phys., 101 (8), 083 114 (2007).