Исследовалась диффузия примеси магния в пластины монокристаллического бездислокационного дырочного кремния в диапазоне температур T = 600-800 oC. Источником диффузии служил слой, имплантированный магнием с энергией ионов 150 кэВ при дозах 5·1014 и 2· 1015 см-2. Коэффициент диффузии межузельных донорных центров магния Di при некоторой заданной T пределялся путем измерения глубины p-n-перехода, который формировался в образцах, прошедших термообработку в течение времени t. В результате исследований впервые определена зависимость Di(T). Данные свидетельствуют, что диффузия осуществляется преимущественно по межузельному механизму. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8313
N. Sclar. Prog. Quant. Electron., 8, 149 (1984)
H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin. Int. J. Terahertz Sci. Technol., 7, 172 (2014)
V.N. Shastin, V.V. Tsyplenkov, R.Kh. Zhukavin, K.А. Kovalevskii, Yu.А. Аstrov, H.-W. Hubers, S.G. Pavlov. Proc. XVIII Symp. "Nanophysics \& Nanoelectronics" (Nizhny Novgorod, 2014) p. 678
N.V. Abrosimov, N. Notzel, H. Riemann, K. Irmscher, S.G. Pavlov, H.-W. Hulbers, U. Bottger, P.M. Haas, N. Drichko, M. Dressel. Sol. St. Phenomena, 131-133, 589 (2008)
E. Ohta, M. Sakata. Solid-State Electron., 22, 677 (1979)
H. Sigmund. J. Electrochem. Soc., 129, 2809 (1982)
R.K. Franks, J.B. Robertson. Sol. St. Commun., 5, 479 (1967)
L.T. Ho, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 5, 462 (1972)
A. Thilderkvist, M. Kleverman, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 49, 16338 (1994)
H. Sigmund, D. Weib. In: Ion Implantation: Equipment and Techniques [Springer Series in Electrophysics, 11), (1983)] p. 473
В.М. Арутюнян, А.П. Акоян, З.Н. Адамян, Р.С. Барсегян. ЖТФ, 71, 67 (2001)
Технология СБИС, под ред. С. Зи (М., Мир, 1986) т. 1
K.S. Jones, S. Prussin, E.R. Weber. Appl. Phys. A, 45, 1 (1988)