"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Диффузия межузельного магния в бездислокационном кремнии
Шуман В.Б.1, Лаврентьев А.А.1, Астров Ю.А.1, Лодыгин А.Н.1, Порцель Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Shuman@mail.ioffe.ru, Yuri.Astrov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

Исследовалась диффузия примеси магния в пластины монокристаллического бездислокационного дырочного кремния в диапазоне температур T = 600-800 oC. Источником диффузии служил слой, имплантированный магнием с энергией ионов 150 кэВ при дозах 5·1014 и 2· 1015 см-2. Коэффициент диффузии межузельных донорных центров магния Di при некоторой заданной T пределялся путем измерения глубины p-n-перехода, который формировался в образцах, прошедших термообработку в течение времени t. В результате исследований впервые определена зависимость Di(T). Данные свидетельствуют, что диффузия осуществляется преимущественно по межузельному механизму. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8313
  • N. Sclar. Prog. Quant. Electron., 8, 149 (1984)
  • H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin. Int. J. Terahertz Sci. Technol., 7, 172 (2014)
  • V.N. Shastin, V.V. Tsyplenkov, R.Kh. Zhukavin, K.А. Kovalevskii, Yu.А. Аstrov, H.-W. Hubers, S.G. Pavlov. Proc. XVIII Symp. "Nanophysics \& Nanoelectronics" (Nizhny Novgorod, 2014) p. 678
  • N.V. Abrosimov, N. Notzel, H. Riemann, K. Irmscher, S.G. Pavlov, H.-W. Hulbers, U. Bottger, P.M. Haas, N. Drichko, M. Dressel. Sol. St. Phenomena, 131-133, 589 (2008)
  • E. Ohta, M. Sakata. Solid-State Electron., 22, 677 (1979)
  • H. Sigmund. J. Electrochem. Soc., 129, 2809 (1982)
  • R.K. Franks, J.B. Robertson. Sol. St. Commun., 5, 479 (1967)
  • L.T. Ho, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 5, 462 (1972)
  • A. Thilderkvist, M. Kleverman, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 49, 16338 (1994)
  • H. Sigmund, D. Weib. In: Ion Implantation: Equipment and Techniques [Springer Series in Electrophysics, 11), (1983)] p. 473
  • В.М. Арутюнян, А.П. Акоян, З.Н. Адамян, Р.С. Барсегян. ЖТФ, 71, 67 (2001)
  • Технология СБИС, под ред. С. Зи (М., Мир, 1986) т. 1
  • K.S. Jones, S. Prussin, E.R. Weber. Appl. Phys. A, 45, 1 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.