"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb2Te3
Министерство образования и науки Российской Федерации, Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы, 14.578.21.0085 (RFMEFI57814X0085)
Шерченков А.А. 1, Козюхин С.А. 2, Лазаренко П.И. 1, Бабич А.В. 1, Богословский Н.А. 3, Сагунова И.В. 1, Редичев Е.Н. 1
1Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: aa_sherchenkov@rambler.ru, sergkoz@igic.ras.ru, aka.jum@gmail.com, drent@yandex.ru, nikitabogoslovskiy@gmail.com, sagunova@list.ru , jack_71@front.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик тонких пленок материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb2Te3: Ge2Sb2Te5, GeSb2Te4 и GeSb4Te7. Изучено влияние изменения состава по линии квазибинарного разреза на электрофизические характеристики и механизмы переноса тонких пленок. Установлено наличие трех диапазонов с различной зависимостью между током и напряжением. Оценено положение и концентрация энергетических уровней, контролирующих перенос носителей. Полученные результаты показывают, что электрофизические свойства тонких пленок могут существенно изменяться при движении вдоль линии квазибинарного разреза GeTe-Sb2Te3, что важно для целенаправленной оптимизации технологии фазовой памяти. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44096.8270
  • G.W. Burr, M.J. Breitwisch, M. Franceschini, D. Garetto, K. Gopalakrishnan, B. Jackson, B. Kurdi, C. Lam, L.A. Lastras, A. Padilla, B. Rajendran, S. Raoux, R.S. Shenoy. J. Vac. Sci. Technol. B, 28 (2), 223 (2010)
  • S. Raoux, W. We nic, D. Ielmini. Chem. Rev., 110, 240 (2010)
  • N.F. Mott, E.A. Davis. Electron Processes in Non-Crystalline Materials. (Oxford. Clarendon Press, 1979)
  • N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi, N. Akahira, M. Takao. J. Appl. Phys., 69, 2849 (1991)
  • С.А. Козюхин, А.А. Шерченков, Е.В. Горшкова и др. Неорг. матер., 45 (4), 408 (2009)
  • M. Nardone, M. Simon, I.V. Karpov, V.G. Karpov. J. Appl. Phys., 112, 071101 (2012)
  • P. Lazarenko, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, Y. Shtern, S.P. Timoshenkov, D.G. Gromov, E.N. Redichev. SPIE Proc., 9440, 944006 (2014)
  • Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 43 (10), 1378 (2009)
  • Э.А. Лебедев, С.А. Козюхин, Н.Н. Константинова, Л.П. Казакова. ФТП, 43 (10), 1383 (2009)
  • H.-S.P. Wong, S. Raoux, S.-B. Kim, J. Liang, J.P. Reifenberg, B. Rajendran, M. Asheghi, K.E. Goodson. Proc. IEEE, 98 (12), 2201 (2010)
  • J.A. Dean. Lange's handbook of chemistry (15th edn) (McGraw-Hill Inc., 1999) p. 4.1--4.84
  • С.А. Козюхин, К.Д. Цэндин, Х.Ф. Нгуен, В.В. Козик. Изв. вузов. Физика, 57 (7/2), 67 (2014)
  • Y. Zhang, D. Ielminia. Appl. Phys. Lett., 90, 192102, (2007)
  • Н. Мотт. Электроны в неупорядоченных структурах под ред. А.А. Бонч-Бруевича (М., Мир, 1967) с. 172
  • S. Kozyukhin, A. Sherchenkov, A. Babich, P. Lazarenko, H.P. Nguyen, O. Prikhodko. Canadian J. Phys., 92 (7/8), 684 (2014)
  • M.H. Brodskiy. Topics Appl. Phys., 36 (1979)
  • A. Van der Plass, R.H. Bube. J. Non-Cryst. Sol., 24, 377 (1976)
  • P. Nagels, R. Callaerts, M. Denayer. Proc. 5th Int. Conf. Amorphous and Liquid Semiconductors, eds J. Stuke, W. Brenig (Taylor and Francis, London, 1973)
  • G. Nicolescu, I. O'Connor, C. Piguet. Springer, 339 (2012)
  • С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973) c. 656 [пер. с англ. под ред. А.Ф. Трутко]
  • М. Ламперт. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) с. 416 [пер. с англ. под ред. С.М. Рывкина]
  • A. Rose. Phys. Rev. 97 (6), 1538 (1955)
  • L.F. Marsal, J. Pallare`s, X. Correig. Appl. Phys., 79 (11), 8493 (1996)
  • А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова. ФТП, 45 (12), 1599 (2011)
  • J. Weisfield. J. Appl. Phys., 54, 6401 (1983)
  • Н.З. Джалилов, Г.М. Дамиров. ФТП, 43 (11), 1521 (2009)
  • E. Prokhorov, J.J. Gervacio-Arciniega, G. Luna-Barcenas, Y. Kovalenko, F.J. Espinoza-Beltran, G. Trapaga. J. Appl. Phys., 113, 113705, (2013)
  • J.M. Yahez-Limon, J. Gonzalez-Hernandez, J.J. Alvarado-Gil, I. Delgadillo, H. Vargas. Phys. Rev. B, 52 (23), 16321 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.