Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be⁺

DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44100.8310

Авакянц Л.П.¹, Боков П.Ю.¹, Червяков А.В.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Email: pavel_bokov@rambler.ru

Поступила в редакцию: 28 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Кристаллы InP с ориентацией (100), имплантированные ионами Be⁺ с энергией 100 кэВ и дозами 10¹³-10¹⁵ см^-2, исследованы методом спектроскопии комбинационного рассеяния света до и после термического отжига при температурах 300-850^oC. Обнаружено, что с ростом дозы имплантированных ионов приповерхностная область InP частично аморфизуется, при этом спектральные линии, связанные с продольными колебаниями решетки претерпевают низкочастотный сдвиг и неоднородное уширение, что свидетельствует о формировании нанокристаллической фазы. Термический отжиг приводит к восстановлению кристаллической структуры InP. При температурах отжига >700^oC в спектрах комбинационного рассеяния обнаружено рассеяние на связанных фонон-плазмонных модах, что объясняется электрической активацией примеси. По частоте связанной фонон-плазмонной моды в модели двухосцилляторной диэлектрической функции оценена концентрация тяжелых дырок. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44100.8310

Дж. Мейер, Л. Эриксон, Дж. Дэвис. Ионное легирование полупроводников (М., Мир, 1973)
Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, Н.А. Волчков, И.П. Казаков, А.В. Червяков. Оптика и спектроскопия, 102, 789 (2007)
Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, А.В. Червяков. ФТП, 39, 189 (2005)
Г. Абстрейтер, М. Кардона, А. Пинчук. Рассеяние света в твердых телах. Вып. 4 (М., Мир, 1986)
Л.П. Авакянц, И.А. Китов, А.В. Червяков. Приборы и техника эксперимента, 2, 145 (1988)
I.H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun, 58, 739 (1986)
A. Dargys, J. Kundorats. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP (Science and Encyclopedia Publishers, Vilnus, 1994)
M. Gargouri, B. Prevot, C. Schwab. J. Appl. Phys., 62, 3902 (1987)
G. Irmer, M. Wenzel, J. Monecke. Phys. Rev. B, 56, 9524 (1997)
R. Fukasawa, S. Perkowitz. Jpn. J. Appl. Phys., 35, 132 (1996)
R. Fukasawa, K. Sakai, S. Perkowitz. Jpn. J. Appl. Phys., 36, 5543 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель