"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Новый механизм поляризации полупроводника на интерфейсе с органическим диэлектриком
Яфясов A.M. 1, Божевольнов B.Б. 1, Рюмцев Е.И.1, Ковшик А.П.1, Михайловский В.Ю.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Междисциплинарный ресурсный центр "Нанотехнологии" СПбГУ, Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
Email: yafyasov@gmail.com, vladislav.bogevolnov@gmail.com
Поступила в редакцию: 19 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Создана система полупроводник-органический диэлектрик с пространственно распределенным зарядом, обладающая уникально низкой плотностью быстрых поверхностных состояний (Nss) на интерфейсе. На примере n-Ge реализована система с Nss~5·1010 см-2 и проведено исследование физических характеристик такой системы с жидкостным и металлическим полевыми электродами. В системе с органическим диэлектриком впервые реализован диапазон изменения поверхностного потенциала от обогащения области пространственного заряда полупроводника основными носителями заряда до состояния инверсии без изменения механизма взаимодействия адсорбированного слоя с поверхностью полупроводника. Обнаружен эффект усиления поляризации области пространственного заряда полупроводника вследствие изменения пространственной структуры подвижного заряда в органическом диэлектрическом слое. На основе разработанной системы открываются технологические возможности для формирования новой генерации электронных приборов на органических плeночных структурах и экспериментального моделирования электронных свойств биологических мембран. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44105.8331
  • И.Р. Пригожин, Г. Николис. Самоорганизация в неравновесных системах. От диссипативных структур к упорядоченности через флуктуации (М., Мир, 1979) c. 512
  • Ф.Ф. Волькенштейн. УФН, 9, 275 (1966)
  • Handbook of Organic Electronics and Photonics (3-Volume Set), ed. by Nalwa H.S. (American Scientific Publishers, 2008)
  • Я. Бартонь, A.A. Кальнин. ЖТФ, 68, 125 (1998)
  • P.P. Konorov, A.M. Yafyasov, V.B. Bogevolnov. Field Effect in Semiconductor-Electrolyte Interfaces (Princeton University Press, 2006)
  • П.П. Коноров, А.М. Яфясов. Физика поверхности полупроводниковых электродов (СПбГУ, Изд-во СПбГУ, 2003) с. 530
  • W.H. Brattain, P.J. Boddy. J. Electrochem. Soc., 109, 572 (1962)
  • А.М. Яфясов, В.М. Бакулев, П.П. Коноров, В.Б. Божевольнов. ФТП, 45, 1617 (2010)
  • В.Б. Божевольнов, А.М. Яфясов. Вестн. СПбГУ. Сер. 4, вып. 2, 116 (2004)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.