Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции
1Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия 
2Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
3Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
3Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: seredinboris@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.
Приводятся результаты исследований кристаллической структуры областей кремния, перекристаллизованных в процессе термомиграции жидкой кремний-алюминиевой зоной. Подобные области, легированные акцепторной примесью, необходимы для получения высоковольтных фотопреобразователей. С помощью рентгеновских дифракционных методов двухкристальных кривых отражения и топографии, а также просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения установлено, что при проведении термомиграции жидких зон в виде серии тонких полос или прямоугольных сеток формируются монокристаллические области. Выявлены дислокационные полупетли, которые лежат в поверхностных слоях лицевой и тыльной сторон подложки. В перекристаллизованных областях обнаружены 311-дефекты. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44196.8264
- В.М. Андреев, В.А. Грилихес, В.Д. Румянцев. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения (Л., Наука, 1989)
- А.П. Ландсман, Д.С. Скребков, В.А. Унишков. ФТТ, 5 (11), 2136 (1971)
- В.Г. Дорошенко, М.Б. Закс, В.А. Калашьян, В.Н. Лозовский, Ю.В. Скоков, О.И. Солодуха. Гелиотехника, 4, 14 (1979)
- Patent US US3936319. Solar Cell. (1976)
- В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, В.П. Попов. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов (М., Металлургия, 1987)
- В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Б.М. Середин. Электрон. техн., сер. 2, Полупр. приборы, 2--3 (236), 103 (2015)
- В.Н. Лозовский, Б.М. Середин, А.С. Полухин, А.И. Солодовник. Электрон. техн., сер. 2, Полупр. приборы, 5 (239), 65 (2015)
- S. Takeda, M. Kohyama, K. Ibe. Philosophical Magazine A. 70 (2), 287 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
