"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние плотности энергии на мишени на свойства пленок SnO2 : Sb при использовании скоростного сепаратора частиц
Паршина Л.С.1, Храмова О.Д.1, Новодворский О.А.1, Лотин А.А.1, Петухов И.А.2, Путилин Ф.Н.2, Щербачев К.Д.3
1ИПЛИТ РАН --- филиал Федерального научно-исследовательского центра Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Шатура, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет МИСиС", Москва, Россия
Email: ParshinaLiubov@mail.ru, OKhram48@mail.ru, onov@mail.ru, lotin_82@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 августа 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Методом импульсного лазерного осаждения со скоростной сепарацией частиц на подложках кварцевого стекла без последующего отжига получены тонкие пленки SnO2 : Sb при различных условиях осаждения в диапазоне плотности энергии на мишени от 3.4 до 6.8 Дж/см2. Исследованы их оптические, структурные и электрические свойства. Установлено, что плотность энергии на мишени влияет на проводимость и пропускание пленок SnO2 : Sb. Определены оптимальные условия получения пленок бескапельным методом импульсного лазерного осаждения. Минимум удельного сопротивления 1.2·10-3 Ом·см наблюдался при плотности энергии на мишени 4.6 Дж/см2, температуре подложки 300oC и давлении кислорода в вакуумной камере в процессе осаждения 20 мТорр. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44220.8387
  • A. Goetzberger, C. Hebling. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 62, 1 (2000)
  • P. Nelli, G. Faglia, G. Sverbeglieri, E. Cereda, G. Garbetta, A. Dieguez, A.R. Rodriguez, J.R. Morante. Thin Sol. Films, 371, 249 (2000)
  • G. Frank, E. Kaur, H. Kostlin. Sol. Energy Mater, 8, 387 (1983)
  • Д.А. Зуев, А.А. Лотин, О.А. Новодворский, Ф.В. Лебедев, О.Д. Храмова, И.А. Петухов, Ф.Н. Путилин, А.Н. Шатохин, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов. ФТП, 46 (3), 425 (2012)
  • H. Kim, A. Pique. Appl. Phys. Lett., 84 (2), 218 (2004)
  • B. Thangaraju. Thin Sol. Films, 402, 71 (2002)
  • E. Elangovan, S.A. Shivashankar, K. Ramamurthi. J. Cryst. Growth, 276, 215 (2005)
  • D. Liu, Q. Wang, H.L.M. Chang, H. Chen. J. Mater. Res., 10, 1516 (1995)
  • A.C. Arias, L.S. Roman, T. Kugler, R. Toniolo, M.S. Meruvia, I.A. Hiummelgen. Thin Sol. Films, 371, 29 (2000)
  • O.K. Varghese, L.K. Malhotra. J. Appl. Phys., 87, 7457 (2000)
  • B. Stjerna, E. Olsson, C.G. Granqvist. J. Appl. Phys., 76, 3797 (1994)
  • А.А. Лотин, О.А. Новодворский, Е.В. Хайдуков, В.В. Рочева, О.Д. Храмова, В.Я. Панченко, К. Венцель, Н. Трумпайска, К.Д. Щербачев. ФТП, 44 (2), 260 (2010)
  • D.B. Chrisey, G.K. Hubler. Pulsed laser deposition of thin films (N. Y., John Wiley and Sons, 1994)
  • H. Kim, C.M. Gilmore, A. Pique, J.S. Horwitz, H. Mattoussi, H. Murata, Z.H. Kafafi, D.B. Chrisey. J. Appl. Phys., 86, 6451 (1999)
  • С.Н. Николаев, В.В. Рыльков, Б.А. Аронзон, К.И. Маслаков, И.А. Лихачев, Э.М. Пашаев, К.Ю. Черноглазов, Н.С. Перов, В.А. Кульбачинский, О.А. Новодворский, А.В. Шорохова, Е.В. Хайдуков, О.Д. Храмова, В.Я. Панченко. ФТП, 46 (12), 1546 (2012)
  • Л.С. Паршина, А.А. Лотин, Д.А. Зуев, Е.В. Хайдуков, О.Д. Храмова, А.В. Шорохова, О.А. Новодворский, В.Я. Панченко. Перспективные матер., 14, 255 (2013)
  • Л.С. Паршина, О.Д. Храмова, О.А. Новодворский, И.А. Петухов, Ф.Н. Путилин, М.Н. Румянцева, А.А. Лотин, К.Д. Щербачев, В.Я. Панченко. Вычислительные нанотехнологии, 1, 62 (2014)
  • О.А. Новодворский, А.А. Лотин, Е.В. Хайдуков. Патент РФ на полезную модель N 89906, бюллетень N35 (20.12.2009)
  • И.А. Петухов, Л.С. Паршина, Д.А. Зуев, А.А. Лотин, О.А. Новодворский, О.Д. Храмова, А.Н. Шатохин, Ф.Н. Путилин, М.Н. Румянцева, В.Ф. Козловский, К.И. Маслаков, В.К. Иванов, А.М. Гаськов. Неорг. матер., 49 (11), 1211 (2013)
  • J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu. Phys. Status Solidi, 15, 627 (1966)
  • S. Assia, O. Ratiba, M.E. Mahdi, K. Mohamed. Intern. J. Chem. Biol. Eng., 2 (1), 48 (2009).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.