Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In_0.25Ga_0.75As методом МОС-гидридной эпитаксии

DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44415.8459

Минтаиров С.А.^1,2,3, Калюжный Н.А.¹, Максимов М.В.^1,2, Надточий А.М.^1,2,3, Неведомский В.Н.¹, Жуков А.Е.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия Solar Dots Ltd., St. Petersburg, Russia

Email: mintairov@scell.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 23 ноября 2016 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs выращены квантовые точки InAs в метаморфной матрице InGaAs, излучающие в диапазоне длин волн 1380-1400 нм при комнатной температуре. Структуры выращивались на многослойном метаморфном буфере, состоящем из девяти подслоев In_xGa_1-xAs, каждый из которых имел толщину 200 нм. В первых семи слоях концентрация индия x последовательно увеличивалась на величину ~3.5%, достигая 24.5%. Затем выращивался компенсирующий слой с концентрацией x=28% и финальный бездислокационный слой с x=24.5%. Показано, что релаксация упругих напряжений с загибом дислокаций на интерфейсах происходит в третьем от поверхности слое, а верхний слой свободен от дислокаций на обоих интерфейсах. Квантовые точки формировались в метаморфной матрице посредством осаждения 2-2.5 монослоев InAs при 520^oC с последующим заращиванием тонким слоем InGaAs при той же температуре роста. Установлено, что для улучшения структурного и оптического качества образцов необходимо увеличивать скорость роста и уменьшать концентрацию индия в покрывающем квантовые точки слое InGaAs, по отношению к соответствующим параметрам роста последнего подслоя метаморфного буфера. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44415.8459

N. Ozaki, K. Takeuchi, S. Ohkouchi, N. Ikeda, Y. Sugimoto, H. Oda, K. Asakawa, R.A. Hogg. Appl. Phys. Lett., 103, 051121 (2013)
M. Rossetti, L. Li, A. Markus, A. Fiore, L. Occhi, C. Velez, S. Mikhrin, I. Krestnikov, A.R. Kovsh. IEEE J. Quantum Electron., 43, 676 (2007)
А.Е. Жуков, М.В. Максимов, А.Р. Ковш. ФТП, 46 (10), 1249 (2012)
L.F. Lester, A. Stinz, H. Li, T.C. Newell, E.A. Pease, B.A. Fuchs, K.J. Malloy. IEEE Photon. Technol. Lett., 11, 931 (1999)
A.E. Zhukov. Landolt-Bornstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology --- New Series (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York), vol. VIII/1B3, chap. 11.1, p. 95--131 (2011)
G. Balakrishnan, S. Huang, T.J. Rotter, A. Stintz, L.R. Dawson, K. J. Malloy, H. Xu, D.L. Huffaker. Appl. Phys. Lett., 84, 2058 (2004)
N.V. Kryzhanovskaya, A.Y. Gladyschev, S. Blokhin, Y.G. Musikhin, A.E. Zhukov, M.V. Maksimov, N. Zakharov, A. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, P. Werner, F. Guffarth, D. Bimberg. Semiconductors, 38, 833 (2004)
L. Seravalli, M. Minelli, P. Frigeri, S. Franchi, G. Guizzetti, M. Patrini, T. Ciabattoni, M. Geddo. J. Appl. Phys., 101, 024313 (2007)
S. Semenova, R. Hostein, G. Patriarche, O. Mauguin, L. Largeau, I. Robert-Philip, A. Beveratos, A. Lemaitre. J. Appl. Phys., 103, 103533 (2008)
G. Munoz-Matutano, D. Rivas, A.L. Ricchiuti, D. Barrera, C. R. Fernandez-Pousa, J. Martinez-Pastor, L. Seravalli, G. Trevisi, P. Frigeri, S. Sales. Nanotechnology, 25, 035204 (2014).
J.F. Wheeldon, C.E. Valdivia, D. Masson, F. Proulx, B. Riel, N. Puetz, E. Desfonds, S. Fafard, B. Rioux, A.J. SpringThorpe, R. Ar\`es, V. Aimez, M. Armstrong, M. Swinton, J. Cook, F. Shepherd, T.J. Hall, K. Hinzer. Proc. SPIE, 7750, 77502Q (2010)
N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, R.A. Salii, A.M. Nadtochiy, A.S. Payusov, P.N. Brunkov, V.N. Nevedomsky, M.Z. Shvarts, A. Marti, V.M. Andreev, A. Luque. Prog. Photovolt: Res. Appl., 24 (9) 1261 (2016)
R.A. Salii, S.A. Mintairov, P.N. Brunkov, A.M. Nadtochiy, A.S. Payusov, N.A. Kalyuzhnyy. Semiconductors, 49 (8), 1111 (2015)
J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
N.A. Kalyuzhnyy, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, A.S. Gudovskikh, A. Luque, V.M. Andreev. International Journal of Photoenergy, 2014, Article ID 836284 (2014)
I. Vurgaftmana, J.R. Meyer. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
Z.M. Wang (New York, Springer, ISBN 978-0-387-74190-1, 2008)
Gerald B. Stringfellow (Academic Press, ISBN: 978-0-12-673840-7, 1999).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель