"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование процесса спада напряжения при ударно-ионизационном переключении силовых тиристоров
Гусев А.И.1,2, Любутин С.К.1, Рукин С.Н.1, Цыранов С.Н.1,2
1Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет, Екатеринбург, Россия
Email: gusev@iep.uran.ru, lyubutin@iep.uran.ru, rukin@iep.uran.ru, serg@iep.uran.ru
Поступила в редакцию: 6 октября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

Исследован процесс спада напряжения на силовых тиристорах, переключаемых в проводящее состояние волной ударной ионизации, возбуждаемой подачей на основные электроды тиристора импульса перенапряжения с наносекундным фронтом. В экспериментах на тиристор с рабочим напряжением 2 кВ подавалось напряжение со скоростью нарастания dU/dt в диапазоне 0.5-6 кВ/нс. Численное моделирование показало, что расчетные и экспериментально наблюдаемые времена спада напряжения имеют количественное согласие только в том случае, когда величина активной площади структуры, через которую проходит ток переключения, зависит от dU/dt. Активная площадь увеличивается с возрастанием dU/dt, а также с увеличением удельного сопротивления исходного кремния. При этом активная площадь монотонно приближается к полной площади структуры при dU/dt>12 кВ/нс. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44429.8367
  • V.M. Efanov, A.F. Kardo-Sysoev, I.G. Tchashnikov, P.M. Yarin. Proc. XXII Int. Power Modulator Symp. (Boca Raton, USA, 1996) p. 22
  • I.V. Grekhov, S.V. Korotkov, P.V. Rodin. IEEE Trans. Plasma Sci., 36 (2), 378 (2008)
  • С.В. Коротков, Ю.В. Аристов, В.Б. Воронков, А.Л. Жмодиков, Д.А. Коротков, А.Г. Люблинский. ПТЭ, N 5, 90 (2009)
  • I.V. Grekhov. IEEE Trans. Plasma Sci., 38 (5), 1118 (2010)
  • С.В. Коротков, Ю.В. Аристов, В.Б. Воронков, Д.А. Коротков. ПТЭ, N 4, 67 (2014)
  • А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. Изв. вузов. Физика, N 12/2, 152 (2014)
  • А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. ПТЭ, 3, 65 (2015)
  • А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. ФТП, 50 (3), 398 (2016)
  • http://www.proton-electrotex.com
  • С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов. ФТП, 46 (4), 535 (2012)
  • А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов. ФТП, 48 (8), 1095 (2014)
  • P. Rodin, A. Rodina, I. Grekhov. J. Appl. Phys., 98, 094 506 (2005)
  • А.Ф. Кардо-Сысоев, М.В. Попова. ФТП, 30 (5), 803 (1996)
  • П.Б. Родин, А.М. Минарский, И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 38 (11), 78 (2012)
  • M. Levinshtein, J. Kostamovaara, S. Vainshtein. Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices, ed. by T.K. Wei (World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., Singapore, 2005)
  • М.И. Дьяконов, В.Ю. Качоровский. ЖЭТФ, 94 (5), 321 (1988)
  • М.И. Дьяконов, В.Ю. Качоровский. ЖЭТФ, 95 (5), 1850 (1989)
  • А.М. Минарский, П.Б. Родин. Письма ЖТФ, 20 (12), 38 (1994)
  • А.М. Минарский, П.Б. Родин. ФТП, 31 (4), 432 (1997)
  • А.М. Минарский, П.Б. Родин. ФТП, 34 (6), 692 (2000)
  • С.Н. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. Письма ЖТФ, 14 (16), 1526 (1988)
  • И.В. Грехов, В.М. Ефанов. Письма ЖТФ, 16 (17), 9 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.