"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах GaxIn1-xP на их структурные и морфологические свойства
Середин П.В.1, Леньшин А.С.1, Худяков Ю.Ю.1, Арсентьев И.Н.2, Калюжный Н.А.2, Минтаиров С.А.2, Николаев Д.Н.2, Prutskij Тatiana3
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, Privada 17 Norte, N, Col San Miguel Hueyotlipan, Puebla, Pue., Mexico,
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 12 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Комплексом структурных и микроскопических методов изучены свойства эпитаксиальных твердых растворов GaxIn1-xP с упорядоченным расположением атомов в кристаллической решетке, выращенных методом MOCVD на монокристаллических подложках GaAs(100). Показано, что в условиях когерентного роста упорядоченного твердого раствора GaxIn1-xP на GaAs(100) появление атомного упорядочения приводит к кардинальному изменению структурных свойств полупроводника по сравнению со свойствами неупорядоченных твердых растворов, среди которых изменение параметра кристаллической решетки и, как следствие, понижение симметрии кристалла, а также образование двух различных типов нанорельефа поверхности. Впервые с учетом упругих напряжений рассчитаны параметры твердых растворов GaxIn1-xP с упорядочением в зависимости от параметра порядка. Показано, что все экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с развитыми теоретическими представлениями. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44802.8480
  • K. Uchida, K. Satoh, K. Asano, A. Koizumi, S. Nozaki. J. Cryst. Growth, 370, 136 (2013)
  • A. Zunger. MRS Bull., 22, 20 (1997)
  • S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 49, 14337 (1994)
  • H.S. Lee, J.Y. Lee. Appl. Phys. Lett., 82, 2999 (2003)
  • S.P. Ahrenkiel, K.M. Jones, R.J. Matson, M.M. Al-Jassim, Y. Zhang, A. Mascarenhas, D.J. Friedman, D.J. Arent, J.M. Olson, M.C. Hanna. MRS Proc., 583, 243 (1999)
  • P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, T. Prutskij, Semiconductors, 47, 1 (2013)
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45, 1433 (2011)
  • E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, L.A. Bityutskaya, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I. S. Tarasov. J. Surf. Investig. X-Ray Synchrotron Neutron Tech., 2, 133 (2008)
  • E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Semiconductors, 40, 406 (2006)
  • H. Dumont, L. Auvray, J. Dazord, Y. Monteil, O. Marty, M. Pitaval. Thin Solid Films, 458, 154 (2004)
  • P. Ernst, C. Geng, F. Scholz, H. Schweizer, Y. Zhang, A. Mascarenhas. Appl. Phys. Lett., 67, 2347 (1995)
  • S.H. Wei, L.G. Ferreira, A. Zunger. Phys. Rev. B Condens. Matter, 41, 8240 (1990)
  • D. Zhou, B.F. Usher. J. Phys. Appl. Phys., 34, 1461-5 (2001)
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B Condens. Matter, 405, 4607 (2010)
  • P.V. Seredin, V.E. Ternovaya, A.V. Glotov, A.S. Len'shin, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov. Phys. Solid. State, 55, 2161 (2013)
  • S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III--V and II--VI Semiconductors (Wiley, Chichester, U.K, 2009)
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 44, 1106 (2010)
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 44, 1106 (2010)
  • A. Gomyo, T. Suzuki, S. Iijima. Phys. Rev. Lett., 60, 2645 (1988)
  • P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, V.E. Rudneva, V.E. Rudneva, N.N. Gordienko, A.V. Glotov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 43, 1221 (2009)
  • G.P. Srivastava, J.L. Martins, A. Zunger. Phys. Rev. B, 31, 2561-4 (1985)
  • M.A. Steiner, L. Bhusal, J.F. Geisz, A.G. Norman, M.J. Romero, W.J. Olavarria, Y. Zhang, A. Mascarenhas. J. Appl. Phys., 106, 63525 (2009)
  • E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Surf. Interface Anal., 38, 828 (2006)
  • E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, E.A. Dolgopolova, I.E. Zanin, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 39, 336 (2005).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.