Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе InxGa1-xAs (x>0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия 
2МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
2МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
Email: ponomarev_dmitr@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.
Приведены результаты исследований электрических и тепловых свойств фотопроводящих антенн для генерации терагерцового излучения на основе выращенного в низкотемпературном режиме GaAs (low-temperature grown GaAs, LT-GaAs) и InxGa1-xAs c повышенным содержанием индия (x>0.3). Показано, что мощность джоулева разогрева PH за счет влияния темнового тока в InxGa1-xAs в 3-5 раз превосходит аналогичную величину для LT-GaAs. Это обусловлено большой собственной проводимостью InxGa1-xAs при x>0.38. Была разработана и изготовлена теплоотводящая оснастка для фотопроводящей антенны. Результаты численного моделирования показали, что использование теплоотвода позволяет уменьшить рабочую температуру антенны на 16% для антенны на основе LT-GaAs на 40% для антенны на основе In0.38Ga0.62As и на 64% для антенны на основе In0.53Ga0.47As. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44893.8508
- A. Rogalski, F. Sizov. Opt. Electron. Rev., 19 (3), 346 (2011)
- Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (7), 932 (2015)
- Р.Р. Галиев, А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Г.Б. Галиев, Ю.В. Федоров, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. Изв. РАН. Сер. физ., 80 (4), 523 (2016)
- A. Krotkus. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 273001 (2010)
- D. Vignaud, J.F. Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot. Appl. Phys. Lett., 80 (22), 4151 (2002)
- J.C. Delagnes, P. Mounaix, H. Nv emec, L. Fekete, F. Kadlec, P. Kuv zel, M. Martin, J. Mangeney. J. Phys. D: Appl. Phys., 42 (19), 195103 (2009)
- R.J.B. Dietz, M. Gerhard, D. Stanze, M. Koch, B. Sartorius, M. Schell. Opt. Express, 19 (27), 122 (2011)
- S. Preu, M. Mittendorff, H. Lu, H.B. Weber, S. Winnerl, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 101, 101105 (2012)
- N. Chimot, J. Mangeney, P. Mounaix, M. Tondusson, K. Blary, J.F. Lampin. Appl. Phys. Lett., 89, 083519 (2006)
- M. Suzuki, M. Tonouchi. Appl. Phys. Lett., 86, 163504 (2005)
- F. Ospald, D. Maryenko, K. von Klitzing, D.C. Driscoll, M.P. Hanson, H. Lu, A.C. Gossard, J.H. Smet. Appl. Phys. Lett., 92, 131117 (2008)
- B. Sartorius, H. Roehle, H. Kunzel, J. Bottcher, M. Schlak, D. Stanze, H. Venghaus, M. Schell. Opt. Express, 16, 9565 (2008)
- M. Tani, S. Matsuura, K. Sakai, S. Nakashima. Appl. Optics, 36 (30), 7853 (1997)
- I.S. Gregory, C.M. Tey, A.G. Cullis, M.J. Evans, H.E. Beere, I. Farrer. Phys. Rev. B, 73 (19), 195201 (2006)
- M. Suzuki, M. Tonouchi. Appl. Phys. Lett., 86 (5), 051104 (2005)
- M. Beck, H. Schafer, G. Klatt, J. Demsar, S. Winnerl, M. Helm, T. Dekorsy. Opt. Express, 18, 9251 (2010)
- S.-H. Yang, M.R. Hashemi, C.W. Berry, M. Jarrahi. IEEE Trans. Tera. Sci. Technol., 4, 575 (2014)
- C.W. Berry, M.R. Hashemi, M. Jarrahi. Appl. Phys. Lett., 104, 081122 (2014)
- D.H. Wu, B. Graber, C. Kim, S.B. Qadri, A. Garzarella. Appl. Phys. Lett., 104, 051126 (2014)
- W. Shi, L. Hou, Z. Liu, T. Tongue. J. Opt. Soc. Am. B, 26 (9), A107 (2009)
- C.M. Collier, T.J. Stirling, I.R. Hristovski, J.D.A. Krupa, J.F. Holzman. Sci. Rep., 6, 23185 (2016)
- S.-P. Han, N. Kim, H. Ko, H.-C. Ryu, J.-W. Park, Y.-J. Yoon, J.-H. Shin, D.H. Lee, S.-H. Park, S.-H. Moon, S.-W. Choi, H.S. Chun, K.H. Park. Opt. Express, 20 (16), 18432 (2012)
- Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, А.Э. Ячменев, П.П. Мальцев, М.М. Грехов, И.Е. Иляков, Б.В. Шишкин, Р.А. Ахмеджанов. ФТП, 51 (4), 535 (2017)
- G.B. Galiev, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, A.E. Yachmenev, A.S. Bugaev, P.P. Maltsev. Nanotechnol. Rus., 10 (7), 593 (2015)
- Д.В. Лаврухин, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (9), 1254 (2015)
- D.S. Ponomarev, R.A. Khabibullin, A.E. Yachmenev, P.P. Maltsev, I.E. Ilyakov, B.V. Shiskin, R.A. Akhmedzhanov. IJHSES, 25, 1640023 (2016)
- V. Apostolopoulos, M.E. Barnes. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 374002 (2014)
- D. McBryde, M.E. Barnes, S.A. Berry, P. Gow, H.E. Beere, D.A. Ritchie, V. Apostolopoulos. Opt. Express, 22 (3), 3235 (2014)
- P.P. Maltsev, S.V. Redkin, I.A. Glinskiy, N.V. Poboikina, M.P. Duknovskiy, Yu.Yu. Fedorov, A.K. Smirnova, E.N. Kulikov, S.V. Shcherbakov, I.A. Leontiev, O.Yu. Kudryashov, A.S. Skripnichenko, Nanotechnol. Rus., 11 (7--8), 480 (2016)
- J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
- S. Mei, I. Knezevic. J. Appl. Phys., 118, 175101 (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
