"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs
Министерство образования и науки России, государственное задание, 4.8337.2017/БЧ
Горшков А.П. 1, Волкова Н.С. 2,3, Воронин П.Г.1, Здоровейщев А.В. 2, Истомин Л.А. 3, Павлов Д.А. 1, Усов Ю.В.1, Левичев С.Б. 2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: gorshkovap@mail.ru, volkovans88@mail.ru, zdorovei@gmail.com, laistmn@gmail.com, pavlov@unn.ru, slevichev@hotmail.com
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Заращивание массива самоорганизованных квантовых точек InAs/GaAs слоем квантовой ямы InGaAs приводит к увеличению их размера за счет обогащения области вблизи вершины квантовых точек индием, что уменьшает энергию основного оптического перехода в квантовых точках на 50 мэВ и смещает волновую функцию дырки по направлению к вершине квантовой точки. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45088.02
  • V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, B.V. Volovik, Yu.G. Musikhin, Yu.M. Shernyakov, E.Yu. Kondat'eva, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, J.A. Lott, D. Bimberg. Nanotechnology, 11 (4), 397 (2000)
  • S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, D.A. Livshits, N.N. Ledentsov, Yu.M. Shernyakov, I.I. Novikov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 20 (5), 340 (2005)
  • B. Shi, S. Zhu, Q. Li, Y. Wan, E.L. Hu, K.M. Lau. ACS Photonics, 4 (2), 204 (2017)
  • Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг, П. Вернер. ФТП, 33 (8), 990 (1999)
  • K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, J.-S. Lee. Appl. Phys. Lett., 74, 1111 (1999)
  • W. Sheng, J.P. Leburton. Phys. Rev. B, 63, 161301 (2001)
  • Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов. ФТП, 35 (1), 92 (2001)
  • Gatan, Inc. Precision Ion Polishing System User's Guide Revision, Coronade Lane, Pleasanton, Ca, Nov. 3, 1998
  • И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь, С.В. Тихов, Д.О. Филатов, А.П. Горшков, С.Ю. Ермаков. ФТП, 38 (4), 448 (2004)
  • P.W. Fry, I.E. Itskevich, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, J.J. Finley, J.A. Barker, E.P. O'Reilly, L.R. Wilson, I.A. Larkin, P.A. Maksym, M. Hopkinson, M. Al-Khafaji, J.P.R. David, A.G. Cullis, G. Hill, J.C. Clark. Phys. Rev. Lett., 84, 733 (2000)
  • А.П. Горшков, И.А. Карпович, А.В. Кудрин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 5, 25 (2006)
  • T.M. Hsu, W.-H. Chang, C.C. Huang, N.T. Yeh, J.-I. Chyi. Appl. Phys. Lett., 78, 1760 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.