Работа посвящена исследованию пространственного распределения концентрации легирующей примеси в нитевидных нанокристаллах полупроводниковых соединений AIIIBV, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Найдена эволюция функции распределения легирующей примеси в результате решения краевой задачи диффузии. Показано, как в рамках построенной модели возникает неоднородность концентрации примеси, наблюдаемая экспериментально при легировании GaAs нитевидных нанокристаллов бериллием и в некоторых других системах материалов. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45094.08
S. Gradecak, F. Qian, Y. Li, H.G. Park, C.M. Lieber. Appl. Phys. Lett., 87, 173111 (2005)
В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 43, 1585 (2009)
В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин. Письма ЖТФ, 30 (16), 41 (2004)
S. Hirano, N. Takeuchi, S. Shimada, K. Masuya, K. Ibe, H. Tsunakawa, M. Kuwabara. J. Appl. Phys., 98, 094305 (2005)
E. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, X. Zhuang, C.M. Lieber. Proc. Nat. Acad. Sci. USA, 101, 14017 (2004)
G. Zheng, W. Lu, S. Jin, C.M. Lieber. Adv. Mater., 16, 1890 (2004)
M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, C. Thelander, A.I. Persson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 81 (23), 4458 (2002)
F. Matteini, V.G. Dubrovskii, D. Ruffer, G. Tutuncuovglu, Y. Fontana, A. Fontcuberta i Morral. Nanotechnology, 26, 105603 (2015).
J. Vukajlovic-Plestina, V.G. Dubrovskii, G. Tutuncuovglu, H. Potts, R. Ricca, F. Meyer, F. Matteini, J.-B. Leran, A. Fontcuberta i Morral. Nanotechnology, 27, 455601 (2016)
M. Law, L.E. Greene, A. Radenovic, T. Kuykendall, J. Liphardt, P. Yang. J. Phys. Chem. B, 110, 22652 (2006)
G.M. Cohen, M.J. Rooks, J.O. Chu, S.E. Laux, P.M. Solomon, J.A. Ott, R.J. Miller, W. Haensch. Appl. Phys. Lett., 90, 233110 (2007)
S. Arab, M. Yao, C. Zhou, P.D. Dapkus, S.B. Cronin. Appl. Phys. Lett., 108, 182106 (2016)
C. Blomers, T. Grap, M.I. Lepsa, J. Moers, St. Trellenkamp, D. Grutzmacher, H. Luth, Th. Schapers. Appl. Phys. Lett., 101, 152106 (2012)
E. Dimakis, M. Ramsteiner, A. Tahraoui, H. Riechert, L. Geelhaar. Nano Res., 5, 796 (2012)
A. Darbandi, J.C. Mc Neil, A. Akhtari-Zavareh, S.P. Watkins, K.L. Kavanagh. Nano Lett., 16, 3982 (2016)
A.C.E. Chia, N. Dhindsa, J.P. Boulanger, B.A. Wood, S.S. Saini, R.R. La Pierre. J. Appl. Phys., 118, 114306 (2015)
С. Colombo, D. Spirkoska, M. Frimmer, G. Abstreiter, A. Fontcuberta i Morral. Phys. Rev. B, 77, 155326 (2008)
V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, N.V. Sibirev, F. Jabeen, J.C. Harmand, P. Werner. Nano Lett., 11, 1247 (2011)
S. Plissard, K.A. Dick, G. Larrieu, S. Godey, A. Addad, X. Wallart, P. Caroff. Nanotechnology, 21, 385602 (2010)
J.G. Connell, K. Yoon, D.E. Perea, E.J. Schwalbach, P.W. Voorhees, L.J. Lauhon. Nano Lett., 13, 199 (2013)
E. Koren, N. Berkovitch, Y. Rosenwaks. Nano Lett., 10, 1163 (2010)
W. Chen, V.G. Dubrovskii, X. Liu, T. Xu, R. Larde, J.P. Nys, B. Grandidier, D. Stievenard, G. Patriarche, P. Pareige. J. Appl. Phys., 111, 094909 (2012)
V.G. Dubrovskii. Cryst. Growth Des., 15, 5738 (2015)
V.G. Dubrovskii, I.V. Shtrom, R.R. Reznik, Yu.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, S. Rouvimov, N. Akopian, T. Kasama, G.E. Cirlin. Cryst. Growth Des., 16, 7251 (2016)
Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39, 587 (2005).