Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 12 » Статья стр. 1594
<<<>>>
Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45169.31
Бушуйкин П.А.1, Новиков А.В.1,2, Андреев Б.А.1,2, Лобанов Д.Н.1,2, Юнин П.А.1, Скороходов Е.В.1, Красильникова Л.В.1,2, Демидов Е.В.1, Савченко Г.М.3, Давыдов В.Ю.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bushuikinp@ipm.sci-nnov.ru, dima@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 23 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN с концентрацией свободных носителей 1018-1019 см-3, сформированных в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Спектры фотопроводимости, фотолюминесценции и поглощения демонстрируют сдвиг красной границы межзонных переходов в соответствии с эффектом Бурштейна-Мосса для n-InN с различной концентрацией равновесных электронов. Для исследованных образцов наблюдалась абсолютная отрицательная фотопроводимость с наносекундным временем релаксации. Результаты фотоэлектрических, абсорбционных и люминесцентных спектроскопических экспериментов сопоставлены с технологическими параметрами и данными электронной микроскопии. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45169.31
  1. V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, V.V. Emtsev, A.V. Sakharov, S.V. Ivanov, V.A. Vekshin, F. Bechstedt, J. Furthmueller, J. Aderhold, J. Graul, A.V. Mudryi, H. Harima, A. Hashimoto, A. Yamamoto, J. Wu, H. Feick, E.E. Haller. Phys. Status Solidi B, 234 (3), 787 (2002)
  2. Z. Mi, S. Zhao. Phys. Status Solidi B, 252 (5), 1050 (2015)
  3. G.G. Wu, W.C. Li, C.S. Shen, F.B. Gao, H.W. Liang, H. Wang, L.J. Song, G.T. Du. Appl. Phys. Lett., 100, 103504 (2012)
  4. L.H. Hsu, C.T. Kuo, J.K. Huang, S.C. Hsu, H.Y. Lee, H.C. Kuo, P.T. Lee, Y.L. Tsai, Y.C. Hwang, C.F. Su, J.H. He, S.Y. Lin, Y.J. Cheng, C.C. Lin. Opt. Express, 23 (24) 31150 (2015)
  5. A. Shetty, M. Kumar, B. Roul, K.J. Vinoy, S.B. Krupanidhi. J. Nanosci. Nanotechn., 16 (1), 709 (2016)
  6. M. Oseki, K. Okubo, A. Kobayashi, J. Ohta, H. Fujioka. Scientific Reports, 4, 3951 (2014)
  7. A.A. Klochikhin, V.Y. Davydov, V.V. Emtsev, A.V. Sakharov, V.A. Kapitonov, B.A. Andreev, H. Lu, W.J. Schaff. Phys. Status Solidi B, 242 (4), R33 (2005)
  8. M.S. Hu, G.M. Hsu, K.H. Chen, C.J. Yu, H.C. Hsu, L.C. Chen, J.S. Hwang, L.S. Hong, Y.F. Chen. Appl. Phys. Lett., 90, 123109 (2007)
  9. P.C. Wei, S. Chattopadhyay, M.D. Yang, S.C. Tong, J.L. Shen, C.Y. Lu, H.C. Shih, L.C. Chen, K.H. Chen. Phys. Rev. B, 81 (4), 045306 (2010)
  10. L. Guo, X. Wang, L. Feng, X. Zheng, G. Chen, X. Yang, F. Xu, N. Tang, L. Lu, W. Ge, B. Shen. Appl. Phys. Lett., 102, 072103 (2013)
  11. L. Guo, X.Q. Wang, X.T. Zheng, X.L. Yang, F.J. Xu, N. Tang, L.W. Lu, W.K. Ge, B. Shen, L.H. Dmowski, T. Suski. Scientific Reports, 4, 4371 (2014)
  12. T.T. Kang, Y. Zhang, P.P. Chen, Z.H. Wang, A. Yamamoto. Appl. Phys. Lett., 110 (4), 042104 (2017)
  13. S.V. Ivanov, T.V. Shubina, V.N. Jmerik, V.A. Vekshin, P.S. Kop'ev, B. Monemar. J. Cryst. Growth, 269, 1 (2004)
  14. H. Xiao, X. Wang, J. Wang, N. Zhang, H. Liu, Y. Zeng, J. Li, Z. Wang. J. Cryst. Growth, 276, 401 (2005)
  15. J. Wu, W. Walukiewicz, S.X. Li, R. Armitage, J.C. Ho, E.R. Weber, E.E. Haller, H. Lu, W.J. Schaff, A. Barcz, R. Jakiela. Appl. Phys. Lett., 84, 2805 (2004)
  16. N. Miller, E.E. Haller, G. Koblmuller, C. Gallinat, J.S. Speck, W.J. Schaff, M.E. Hawkridge, K.M. Yu, J.W. Ager. Phys. Rev. B, 84, 075315 (2011)
  17. M. Moseley, D. Billingsley, W. Henderson, E. Trybus, W.A. Doolittlea. J. Appl. Phys., 106, 014905 (2009)
  18. S.V. Ivanov, T.V. Shubina, T.A. Komissarova, V.N. Jmerik. J. Cryst. Growth, 403, 83 (2014)
  19. T.P. Bartel, C. Kisielowski, P. Specht, T.V. Shubina, V.N. Jmerik, S.V. Ivanov. Appl. Phys. Lett., 91, 101908 (2007)
  20. В.Ю. Давыдов, А.А. Клочихин. ФТП, 38, 897 (2004)
  21. M.A. Moram, M.E. Vickers. Rep. Prog. Phys., 72, 036502 (2009)
  22. Y. Zhang, T. Kimura, K. Prasertusk, T. Iwabuchi, S. Kumar, Y. Liu, R. Katayama, T. Matsuoka. Thin Sol. Films, 536, 152 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme