Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Использование атомной структуры кристаллов кремния для получения многоострийных полевых источников электронов
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020239 
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия 
Email: pirpc@yandex.ru
Поступила в редакцию: 3 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.
Исследованы автоэмиссионные характеристики полевых источников электронов, полученных с использованием атомной структуры кристаллов кремния, процессов гетерофазной вакуумно-плазменной самоорганизации островковых углеродных покрытий и высокоанизотропного плазмохимического травления в условиях слабой адсорбции. Установлена взаимосвязь морфологических и автоэмиссионных характеристик автокатодных микроструктур на кристаллах кремния различных типов проводимости. Результаты экспериментальных исследований интерпретированы с использованием представлений Фаулера-Нордгейма во взаимосвязи с изменениями составов поверхностных фаз в процессах получения эмиттируюших кремниевых выступов. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45435.8571
- Ю.B. Гуляев, Н.П. Абаньшин, Б.И. Горфинкель, С.П. Морев, А.Ф. Резчиков, Н.И. Синицын, А.Н. Якунин. Письма ЖТФ, 39 (11), 63 (2013)
- Jin-Woo Han, Jae Sub Oh, M. Meyyappan. Appl. Phys. Lett., 100, 213505 (2012)
- Н.Н. Герасименко, Ю.Н. Пархоменко. Кремний --- материал наноэлектроники (М., Техносфера, 2007)
- L.F. Velasquez-Garci a, S. Guerrera, Y. Niu, A.I. Akinwande. IEEE Trans. Electron Dev., 58, 1783 (2011)
- Fei Zhao, Jian-hua Deng, Dan-dan Zhao, Ke-fan Chen, Guo-an Cheng, Rui-ting Zheng. J. Nanosci. and Nanotechn., 10, 7634 (2010)
- K. Betsui. In: Technical Digest of International Vacuum Microelectronics Conf. (Nagahama, Japan, 1991) p. 26--29
- Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
- Р.К. Яфаров. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий (М., Физматлит, 2009)
- Р.К. Яфаров, В.Я. Шаныгин. ФТП, 51 (4), 558 (2017)
- Е.И. Гиваргизов, В.В. Жирнов, А.Н. Степанова, Л.Н. Обеленская. Патент RU N 2074444
- Р.К. Яфаров. ФТП, 49 (3), 329 (2015)
- К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности (М., Наука, 2006)
- Технология СБИС. В 2-х кн. Пер. с англ. под ред. С. Зи (М., Мир, 1985)
- Г.Ф. Ивановский, В.И. Петров. Ионно-плазменная обработка материалов (М., Радио и связь, 1986)
- Д.В. Нефедов, В.Я. Шаныгин, С.Ю. Суздальцев, Р.К. Яфаров. Матер. Международ. науч.-техн. конф. Актуальные проблемы электронного приборостроения" (Саратов, Россия, 2016) т. 2, с. 469
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
