Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 2 » Статья стр. 233
<<<>>>
Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании x от 0 до 0.7 в слоях AlxGa1-xN:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45448.8699
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020136
Ратников В.В.1, Щеглов М.П.1, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.1, Осинных И.В.2,3, Малин Т.В.2, Журавлев К.С.2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: ratnikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.
PDF версия
Методами рентгеновской дифрактометрии исследованы деформационное состояние и дефектная структура эпитаксиальных слоев AlxGa1-xN:Si (x=0-0.7), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных кремнием при постоянном потоке силана. Концентрация атомов Si в слоях, измеренная методом вторично-ионной масс-спектрометрии, составила (4.0-8.0)·1019 см-3. Найдено, что для x<0.4 латеральные остаточные напряжения имеют компрессионный характер, в то время как для x>0.4 они становятся растягивающими. Проведена оценка напряжений после окончания роста и обсуждается вклад в деформационное состояние слоев как коалесценции зародышей растущего слоя, так и напряжений несоответствия в системе слой-буфер. Найдено, что для x=0.7 плотности вертикальных винтовых и краевых дислокаций максимальны и равны 1.5·1010 и 8.2·1010 см-2 соответственно. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45448.8699
  1. P.A. Bokhan, P.P. Gugin, D.E. Zakrevsky, K.S. Zhuravlev, T.V. Malin, I.V. Osinnykh, V.I. Solomonov, A.V. Spirina. J. Appl. Phys., 116, 113103 (2014)
  2. I.V. Osinnykh, T.V. Malin, V.F. Plyusnin, A.S. Suranov, A.M. Gilinski, K.S. Zhuravlev. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 05FG09 (2016)
  3. K.S. Zhuravlev, I.V. Osinnykh, D.Yu. Protasov, T.V. Malin, V.Yu. Davydov, A.N. Smirnov, R.N. Kyutt, A.V. Spirina, V.I. Solomonov. Phys. Status Solidi C, 10, 315 (2013)
  4. V.V. Ratnikov, R.N. Kyutt, A.N. Smirnov, V.Yu. Davydov, M.P. Scheglov, T.V. Malin, K.S. Zhuravlev. Crystallography Reports, 58, 1023 (2013)
  5. D. Zolotukhin, D. Nechaev, N. Kuznetsova, V. Ratnikov, S. Rouvimov, V. Jmerik, S. Ivanov. J. Phys. Conf. Ser., 741, 012025 (2016)
  6. S. Raghavan, J.M. Redwing. J. Appl. Phys. 98, 023514 (2005)
  7. R.G. Wilson, F.A. Stevie, C.W. Magee. Secondary Ion Mass Spectrometry. A Practical Handbook for Depth Profiling and Bulk Impurity Analysis (Wiley, N.Y., 1989)
  8. P.Y. Fewster, A. Andrew. J. Appl. Cryst., 20. 451 (1995)
  9. G.A. Rozgonii, T.J. Ciesielka. Rev. Sci. Instrum., 44, 1053 (1973)
  10. G.G. Stoney. Proc. Royal Soc. (London), 82 (553), 172 (1909)
  11. M.A. Moram, M.E. Vickers. Rep. Progr. Phys., 72, 036502 (2009).
  12. B. Borisov, V. Kuryatkov, Yu. Kudryavtsev, R. Asomoza, S. Nikishin, D.Y. Song, M. Holtz, H. Temkin. Appl. Phys. Lett. 87, 132106 (2005)
  13. Z.H. Lu, T. Tyliszczak, P. Broderson, A.P. Hitchcock, J.B. Webb, H. Tang, J. Bardwell. Appl. Phys. Lett., 75, 534 (1999)
  14. Y. Zhang, W. Liu, H. Niu. Phys. Rev. B 77, 035201 (2008)
  15. M. Albrecht, J.L. Weyher, B. Lucznik, I. Grzegory, S. Porowski. Appl. Phys. Lett. 92, 231909 (2008)
  16. Landolt-Bornstein. In: Physics of Group IV Elements and HI-V Compounds, ed. by O. Madelung (Springer, N.Y., 1982) v. 17
  17. S. Heanre, E. Chason, J. Han. Appl. Phys. Lett., 74, 356 (1999)
  18. P. Cantu, F. Wu, P. Waltereit, S. Keller, A.E. Romanov, S.P. DenBaars, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 97, 103534 (2005)
  19. W.D. Nix, B.V. Clemens. J. Mater. Res. 14, 3467 (1999)
  20. A. Cremades, L. Gorgens, O. Ambacher, M. Stutzmann, F. Scholz. Phys. Rev. B., 61, 2812 (2000)
  21. L.T. Romano, C.G. Van de Walle, J.W. Ager III, W. Gotz, R.S. Kern. J. Appl. Phys., 87, 7745 (2000)
  22. T. Bottcher, S. Einfeldt, S. Figge, R. Chierchia, H. Heinke, D. Hommel, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 78, 1976 (2001)
  23. J.G. Kim, A. Kimura, Y. Ketei. J. Appl. Phys., 110, 033511 (2011)
  24. P. Boguslawski, J. Bernholc. Phys. Rev. B, 56, 9496 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme