"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Полевой транзистор на протонной проводимости пленок оксида графена и нафиона
Смирнов В.А.1, Мокрушин А.Д.2, Денисов Н.Н.1, Добровольский Ю.А.1
1Иститут проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: vas@icp.ac.ru, mad@mail.ru, ndenisov@cat.icp.ac.ru, dobr@icp.ac.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

В модели полевого транзистора исследована протонная проводимость в пленках оксида графена и нафиона в зависимости от влажности и напряжений на электродах. Электрические характеристики пленок подобны друг другу, но подвижность положительных зарядов в нафионе и усиление тока на 2-3 порядка выше, чем в оксиде графена. В пленках оксида графена отрицательно-ионный ток при положительном напряжении смещения составляет заметную величину от протонного (до ~10%), в то время как в пленках нафиона он практически отсутствует (<1%). DOI: 10.21883/0000000000
  • O.C. Compton, S.B.T. Nguyen. Small, 6, 711 (2010)
  • T. Ramanathan, A.A. Abdala, S. Stankovich, D.A. Dikin, M. Herrera-Alonso, R.D. Piner, D.H. Adamson, H.C. Schniepp, X. Chen, R.S. Ruoff, S.T. Nguyen, I.A. Aksay, R.K. Prud'Homme, L.C. Brinson. Nature Nanotechnol., 3, 327 (2008)
  • F. Perrozzi, S. Prezioso, L. Ottaviano. J. Phys.: Condens. Matter, 27, 013002 (2015)
  • D.A. Dikin, S. Stankovich, E.J. Zimney, R.D. Piner, G.H.B. Dommett, G. Evmenenko, S.T. Nguyen, R.S. Ruoff. Nature, 448, 457 (2007)
  • X. Wu, M. Sprinkle, X. Li, F. Ming, C. Berger, W.A. de Heer. Phys. Rev. Lett., 101, 026801 (2008)
  • G. Eda, Y.-Y. Lin, C. Mattevi, H. Yamaguchi, H.-A. Chen, I.-S. Chen, C.-W. Chen, M. Chhowalla. Adv. Mater., 22, 505 (2010)
  • L.W.K. Lee, Y.-Y. Sun, M. Lucking, Z. Chen, J.J. Zhao, S.B. Zhang. ACS Nano, 3, 2995 (2009)
  • B.S. Paratala, B.D. Jacobson, S. Kanakia, L.D. Francis, B. Sitharaman. PLoS ONE, 7, e38185 (2012)
  • И.В. Антонова, И.А. Котин, В.И. Попов, Ф.Д. Васильева, А.Н. Капитонов, С.А. Смагулова. ФТП, 50, 1086 (2016) [Simiconductors, 50, 1065 (2016)]
  • W. Gao, N. Singh, L. Song, Z. Liu, A.L. Reddy, L. Ci, R. Vajtai, Q. Zhang, B. Wei, P.M. Ajayan. Nature Nanotechnol., 6, 496 (2011)
  • Y.M. Shulga, S.A. Baskakov, V.A. Smirnov, N.Y. Shulga, K.G. Belay, G.L. Gutsev. J. Power Sources, 245, 33 (2014)
  • V.A. Smirnov, N.N. Denisov, A.E. Ukshe, Yu.M. Shulga. Chem. Phys. Lett., 583, 155 (2013)
  • V.A. Smirnov, N.N. Denisov, N.N. Dremova, Y.M. Vol'fkovich, A.Y. Rychagov, V.E. Sosenkin, K.G. Belay, G.L. Gutsev, N.Yu. Shulga, Yu.M. Shulga. Appl. Phys. A, 117, 1859 (2014)
  • M.R. Karim, K. Hatakeyama, T. Matsui, H. Takehira, T. Taniguchi, M. Koinuma, Y. Matsumoto, T. Akutagawa, T. Nakamura, S.-I. Noro, T. Yamada, H. Kitagawa, S. Hayami. J. Am. Chem. Soc., 135, 8097 (2013)
  • K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov. Science, 306, 666 (2004)
  • M. Lemme. Sol. St. Phenomena, 156, 499 (2010)
  • F. Schwierz. Nature Nanotechnol., 5, 486 (2010)
  • A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, R.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys., 81, 109 (2009)
  • J.-H. Chen, C. Jang, S. Xiao, M. Ishigami, M.S. Fuhrer. Nature Nanotechnol., 3, 206 (2008)
  • I. Childres, L.A. Jauregui, M. Foxe, J. Tian, R. Jalilian, I. Jovanovic, Y.P. Chen. Appl. Phys. Lett., 97, 173109 (2010)
  • И.В. Антонова, И.А. Котин, В.И. Попов, Ф.Д. Васильева, А.Н. Капитонов, С.А. Смагулова. ФТП, 50, 1086 (2016). [Semiconductors, 50, 1065 (2016)]
  • G. Eda, A. Nathan, P. Wobkenberg, F. Colleaux, T.D. Ghaffarzadeh, K. Anthopoulos, M. Chhowalla. Appl. Phys. Lett., 102, 133108 (2013)
  • B. Standley, A. Mendez, E. Schmidgall, M. Bockrath. Nano Lett., 12, 1165 (2012).
  • S.-K. Lee, H.Y. Jang, S. Jang, E. Choi, B.H. Hong, J. Lee, S. Park, J.-H. Ahn. Nano Lett., 12, 3472 (2012)
  • A.N. Aleshin, I.P. Shcherbakov, A.S. Komolov, V.N. Petrov, I.N. Trapeznikova. Organic Electron., 16, 186 (2015)
  • M.A. Mamo, A.O. Sustaita, N.J. Coville, I.A. Hummelgen. Organic Electron., 14, 175 (2013)
  • T.-W. Kim, N. Cernetic, Y. Gao, S. Bae, S. Lee, H. Ma, H. Chen, A.K.-Y. Jen. Organic Electron., 15, 2775 (2014)
  • Y. Park, D. Gupta, C. Lee, Y. Hong. Organic Electron., 13, 2887(2012)
  • В.А. Смирнов, А.Д. Мокрушин, В.П. Васильев, Н.Н. Денисов, К.Н. Денисова. Письма ЖТФ, 13, 18 (2016). [Techn. Phys. Lett., 42, 671 (2016)]
  • V.A. Smirnov, A.D. Mokrushin, V.P. Vasiliev, N.N. Denisov, K.N. Denisova. Appl. Phys. A, 122, 513 (2016)
  • C. Zhong, Y. Deng, A.F. Roudsari, A. Kapetanovic, M.P. Anantram, M. Rolandi. Nature Commun., 2, 476 (2011)
  • K.L. Riskey. http://dspace.library.colostate.edu/webclient/ deliverymanager/digitool\_items/csm01\_storage/2013/06/15/ file\_1/207313
  • A.M. Deml, A.L. Bunge, M.A. Reznikov, A. Kolessov, R.P. O'Hayre. J. Appl. Phys., 111, 074511 (2012)
  • M.A. Hickner, H. Ghassemi, Y.S. Kim, B.R. Einsla, J.E. McGrath. Chem. Rev., 104, 4587 (2004)
  • K.A. Mauritz, R.B. Moore. Chem. Rev., 104, 4535 (2004)
  • R.H. Alonso, L. Estevez, H. Lian, A. Kelarakis, E.P. Giannelis. Polymer, 50, 2402 (2009)
  • S. Seesukphronrarak, A. Ohira. Chem. Commun., 45, 4744 (2009)
  • S. Ochi, O. Kamishima, J. Mizusaki, J. Kawamura. Solid State Ionics, 180, 580 (2009)
  • R. Kumar, M. Mamlouk, K. Scott. Int. J. Electrochem., Article ID 434186 (2011)
  • S. Hu, M. Lozada-Hidalgo, F.C. Wang, A. Mishchenko, F. Schedin, R.R. Nair, E.W. Hill, D.W. Boukhvalov, M.I. Katsnelson, R.A.W. Dryfe, I.V. Grigorieva, H.A. Wu, A.K. Geim. Nature, 516, 227 (2014)
  • L.M. Onishi, J.M. Prausnitz, J. Newman. J. Phys. Chem. B, 111, 10166 (2007)
  • Y. Sone, P. Ekdunge, D. Simonsson. J. Electrochem. Soc., 143, 1254 (1996)
  • S. Hink, N. Wagner, W.G. Besslerm, E. Roduner. Membranes, 2, 237 (2012)
  • K.D. Kreuer. Annu. Rev. Mater. Res., 33, 333 (2003)
  • M. Kunst, J.M. Warman. Nature, 288, 465 (2980).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.