Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе
Переводная версия: 10.1134/S1063783418040030 
Астанкова К.Н.
1, Кожухов А.С.1,2, Азаров И.А.
1,2, Горохов Е.Б.
1, Щеглов Д.В.
1, Латышев А.В.
1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: as-tankoff@ya.ru, antonkozhukhov@yandex.ru, azarov_ivan@mail.ru, gorokhov@isp.nsc.ru, sheglov@isp.nsc.ru, latyshev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 5 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.
Представлены результаты исследований процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO с помощью атомно-силового микроскопа. Методом рентгеновского микроанализа установлено, что окисленные участки пленки GeO представляют собой диоксид германия. Исследовано влияние длительности импульсов напряжения, прикладываемого к системе зонд-подложка, и влажности воздуха на высоту оксидных структур. Кинетика процесса локального анодного окисления (ЛАО) GeO в полуконтактном режиме подчиняется модели Кабрера-Мотта для больших времен. Начальная скорость роста окисла (R0) значительно увеличивается, а время начала окисления (t0) уменьшается при повышении влажности воздуха на 20%, что связано с увеличением концентрации кислородсодержащих ионов на поверхности окисляемой пленки GeO. Показана возможность формирования наноструктур в тонких слоях GeO методом ЛАО. Рентгеновский микроанализ пленки GeO до и после окисления выполнялся при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 16-07-00975). АСМ измерения проводились при поддержке Российского научного фонда (грант N 14-22-00143). Работа частично выполнена с использованием оборудования ЦКП "Наноструктуры" ИФП СО РАН. DOI: 10.21883/FTT.2018.04.45677.183
- R. Garcia, A.W. Knoll, E. Riedo. Nature Nanotechnology 9, 577 (2014)
- А.В. Старцева, А.И. Максимов. Молодой ученый 9, 12 (2012)
- R. Garcia, M. Calleja. Appl. Phys. Lett. 72, 2295 (1998)
- P. Avouris, T. Hertel. Appl. Phys. Lett. 71, 285 (1997)
- K. Matsumoto, Y. Gotoh, T. Maeda, J.A. Dagata, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett. 76, 239 (2000)
- D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Appl. Surf. Sci. 243, 138 (2005)
- C. Delacour, B. Pannetier, J.C. Villegier, V. Bouchiat. Nano Lett. 12, 3501 (2012)
- F.S.-S. Chien, Y.C. Chou, T.T. Chen, W.-F. Hsieh, T.-S. Chao, S. Gwo. J. Appl. Phys. 89, 2465 (2001)
- I. Fernandez-Cuesta, X. Borrise, F. Perez-Murano. Nanotechnology 16, 2731 (2005)
- Laser Pulses --- Theory, Technology, and Applications / Ed. I. Peshko, INTECH, Rijeka (2012). Chap. 13. P. 383
- Y. Kamata. Materials Today 11, 30 (2008)
- N. Cabrera, N.F. Mott. Rep. Prog. Phys., 12, 163 (1949)
- H.-F. Hsu, C.-W. Lee. Ultramicroscopy 108, 1076 (2008)
- О.А. Агеев, В.А. Смирнов, М.С. Солодовник, А.В. Рукомойкин, В.И. Авилов. Изв. вузов. Электроника 2, 43 (2012)
- P. Hidalgo, B. Mendez, J. Piqueras. Nanotechnology 16, 2521 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
