Проведены исследования электротеплового пробоя в высоковольтных (1430 В) 4H-SiC p⁺-n₀-n⁺-диодах c толщиной n₀-базы 7.5 мкм, концентрацией доноров 8.0·10¹⁵ см^-3 и площадью 4.9·10^-4 см². Устойчивость диодов к лавинному пробою охарактеризована максимальной энергией одиночного импульса лавинного тока, которая может быть рассеяна диодом до того, как происходит его катастрофический отказ (деструкция). При длительности импульса ~ 1 мкс максимальная энергия составляет 1.4 мДж (2.9 Дж/см²). Показано, что деструкция диодов вызвана локальным перегревом структуры диода до температуры около 1600 K, при которой концентрация собственных носителей становится больше концентрации легирующих доноров в блокирующей n₀-базе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.