Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние gamma-облучения на фотолюминесценцию кристаллов Cd0.9Zn0.1Te, предварительно обработанных интенсивным излучением неодимового лазера
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Riga Technical University, L Riga, Latvia
2Riga Technical University, L Riga, Latvia
Поступила в редакцию: 16 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
Изучено влияние предварительной обработки кристаллов Cd0.9Zn0.1Te мощным импульсным излучением неодимового лазера (мощность ≤ 1.8 МВт/см2, длина волны 532 нм) на индуцированную gamma-облучением (доза 5 кГр) низкотемпературную (5 K) фотолюминесценцию. Полосы люминесценции обусловлены радиационно-стимулированными донорно-акцепторными парами, включающими мелкие нейтральные доноры и стимулированные gamma-облучением нейтральные вакансии кадмия, переходом свободных электронов на нейтральные созданные радиацией вакансии кадмия и аннигиляцией связанных на последних экситонов. Показано, что в предварительно обработанных лазерным излучением кристаллах интенсивности gamma-стимулированных полос люминесценции слущественно ниже, чем в не обработанных лазерным излучением. Этот факт объясняется понижением концентрации созданных gamma-облучением вакансий кадмия вследствие их аннигиляции при взаимодействии с лазерно-стимулированными дефектами, в частности вследствии их рекомбинации на лазерно-стимулированных межузельных атомах кадмия.
- S.G. Krylyuk, D.V. Korbutyak, Yu.V. Kryuchenko, I.M. Kupchak, N.D. Vakhnyak. J. Alloys. Comp., 371, 142 (2004)
- K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, Yu.N. Naseka, A.V. Prohorovich, L.V. Rashkovetskyi, O.N. Strilchuk, F.F. Sizov, O.O. Voitsihovska, B.O. Danilchenko. Ukr. J. Phys., 55, 776 (2010)
- Q. Li, W. Jie, Z. Gu, G. Yang, T. Wang, J. Zhang. J. Cryst. Growth, 265, 159 (2004)
- A. Medvid', L. Fedorenko, B. Korbytjak, S. Kryluk, M. Yusupov, A. Mychko. Radiat. Meas., 42, 701 (2007)
- K. Hjelt, M. Juvonen, T. Tuomi, S. Nenonen, E. Eissler, M. Bavdaz. Phys. Status Solidi A, 162, 747 (1997)
- T.E. Schlesinger, J.E. Toney, H. Yoon, E.Y. Lee, B.A. Branett, R.B. James. Mater. Sci. Engin R, 32, 103 (2001)
- Q. Li, W. Jie, L. Fu, G. Yang, G. Zha, T. Wang, D. Zeng. J. Appl. Phys., 100, 013 518 (2006)
- K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, O.N. Strilchuk. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron. 6, 121 (2003)
- К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, А.В. Прохорович, О.Н. Стрильчук. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 2008) вып. 43, с. 44
- Л.С. Смирнов. Физические процессы в облученных полупроводниках (Наука, Сиб. отд-ние, Новосибирск, 1977)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
