Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO₂

Ершов А.В.¹, Чугров И.А.¹, Тетельбаум Д.И.¹, Машин А.И.¹, Павлов Д.А.¹, Нежданов А.В.¹, Бобров А.И.¹, Грачев Д.А.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 10 мая 2012 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом поочередного осаждения вакуумным испарением SiO и SiO₂ из раздельных источников были получены аморфные многослойные нанопериодические структуры (МНС) a-SiO_x/SiO₂ с периодами 5-10 нм и числом слоев до 64. Исследовано влияние отжига при температурах T_a=500-1100^oC на структурные и оптические свойства МНС. Результаты использования просвечивающей электронной микроскопии образцов, отожженных при 1100^oC, указали на формирование квазипериодических вертикально упорядоченных массивов нанокристаллов кремния с размерами, соизмеримыми с толщиной слоев a-SiO_x исходных МНС. После отжига при 1100^oC наноструктуры обладали размернозависимой фотолюминесценцией в области 750-830 нм, связанной с нанокристаллами Si. Результаты по инфракрасному поглощению и комбинационному рассеянию света показали, что термическая эволюция структурно-фазовых состояний в слоях SiO_x МНС с увеличением температуры отжига осуществляется через образование аморфных нановключений Si с последующим формированием и ростом нанокристаллов Si.

L. Pavesi, R. Turan. Silicon Nanocrystals. Fundamentals, Synthesis and Applications (Weinheim, WILEY-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, 2010)
M. Zacharias, J. Heitmann, R. Scholz, U. Kahler, M. Schmidt, J. Blasing. Appl. Phys. Lett., 80 (4), 661 (2002)
T.Z. Lu, M. Alexe, R. Scholz, V. Talalaev, R.J. Zhang, M. Zacharias. J. Appl. Phys., 100, 014 310 (2006)
А.В. Ершов, И.А. Чугров, Д.И. Тетельбаум, С.С. Андреев, А.И. Белов, Ю.А. Вайнер, А.А. Ершов, И.А. Карабанова, А.И. Машин, А.Н. Михайлов. Вестн. Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, 4, 45 (2009)
А.В. Ершов, Д.И. Тетельбаум, И.А. Чугров, А.И. Машин, А.Н. Михайлов, А.В. Нежданов, А.А. Ершов, И.А. Карабанова. ФТП, 45 (6), 747 (2010)
А.Ф. Хохлов, И.А. Чучмай, А.В. Ершов. ФТП, 34 (3), 349 (2000)
Precision Ion Polishing System: User's Guide (Gatan Inc, 1998)
Gwyddion --- Free SPM (AFM, SNOM/NSOM, STM, MFM, ...) data analysis software: [сайт]. URL: http://gwyddion.net/ (дата обращения: 10.09.2011)
L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias. Appl. Phys. Lett., 81 (22), 4248 (2002)
R.A. Puglisi, C. Vecchio, S. Lombardo, S. Lorenti, M.C. Camalleri. J. Appl. Phys., 108, 023 701 (2010)
Л.И. Миркин. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов (М., Физматлит, 1961)
V. Vinciguerra, G. Franz\`o, F. Priolo, F. Iacona, C. Spinella. J. Appl. Phys., 87 (11), 8165 (2000)
H. Rinnert, M. Vergnat, A. Burneau. J. Appl. Phys., 89, 237 (2001)
M. Zacharias, D. Dimova-Malinovska, M. Stutzmann. Phil. Mag. B, 73, 799 (1996)
D.V. Tsu, G. Lucovsky, B.N. Davidson. Phys. Rev. B, 40, 1795 (1989)
H. Ono, T. Ikarashi, K. Ando, T. Kitano. J. Appl. Phys., 84 (11), 6064 (1998)
P. Lange. J. Appl. Phys., 66 (1), 201 (1989)
R.M. Almeida, A.C. Marques, S. Pelliz, G.C. Righini, A. Chiasera, M. Mattarelli, M. Montagna, C. Tosello, R.R. Goncales, H. Portales, S. Chaussedent, M. Ferrari, L. Zampedri. Phil. Mag., 84, 1659 (2004)
S. Yerci, U. Serincan, I. Dogan, S. Tokay, M. Genisel, A. Aydinli, R. Turan. J. Appl. Phys., 100, 074 301 (2006)
R. Tsu, H. Shen, M. Dutta. Appl. Phys. Lett., 60 (1), 112 (1992)
L. Tsybeskov, K.D. Hirschman, S.P. Duttagupta, M. Zacharias, P.M. Fauchet, J.P. McCaffrey, D.J. Lockwood. Appl. Phys. Lett., 72 (1) 43 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель